【TC55NEM208AFPN/AFTN55,70暂定东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS524,288】,IC型号TC55NEM208AFTN,TC55NEM208AFTN PDF资料,TC55NEM208AFTN经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

524,288 ，一个字一个8位的静态RAM

描述

该TC55NEM208AFPN / AFTN是（SRAM）组织为524288一4194304位的静态随机存取存储器

字由8位。采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该设备从工作

单5V

±

10 ％的电力供应。先进的电路技术在操作同时提供高速和低功耗

目前的3毫安/ MHz（典型值）和55 ns的最小周期时间。 1这是自动放置在低功耗模式

A

待机电流（典型值）时，芯片使能（

CE

）被置为高电平。有两个控制输入。

CE

用于选择

设备和数据保留控制和输出使能（

OE

）提供了快速内存访问。此设备是井

适合于各种微处理器系统的应用中高速，低功率和备用电池是必需的。

并且，与有保证的操作范围

40°

到85℃时， TC55NEM208AFPN / AFTN可被用

环境表现出极端的温度条件。该TC55NEM208AFPN / AFTN处于可用

标胶32引脚小外形封装（ SOP ），并正向和反向的引脚塑料32针

薄小外形封装（ TSOP ）。

特点

低功耗

操作： 15毫瓦/兆赫（典型值）

5 V单电源电压

±

10%

使用关机功能

CE

.

2.0 5.5 V数据保持电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

宽工作温度范围

40°

至85℃

待机电流（最大值）： 20

A

访问时间（最大）：

TC55NEM208AFPN/AFTN

55

存取时间

55纳秒

30纳秒

70

70纳秒

35纳秒

CE

存取时间

OE

存取时间

包装：

SOP32 -P - 525-1.27 （ AFPN ）

（重量：

TSOP II32 -P - 400-1.27 （ AFTN ）（重量：

克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

32脚SOP &

TSOP

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

DD

A15

A17

读/写

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CE

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

引脚名称

A0~A18

读/写

地址输入

读/写控制

OE

CE

I/O1~I/O8

V

DD

GND

OUTPUT ENABLE

芯片使能

数据输入/输出

功率（

+

5 V)

地

（ AFPN / AFTN ）

2002-09-18

1/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

框图

CE

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A11

A14

A15

A16

A18

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

行地址

卜FF器

行地址

注册

行地址

解码器

V

DD

GND

存储单元阵列

2,048

×

256

×

8

(4,194,304)

8

数据

控制

SENSE AMP

列地址

解码器

时钟

发电机

COLUMN ADDERSS

注册

列地址

卜FF器

CE

A0 A1 A2 A3 A10 A12A13 A17

OE

读/写

CE

经营模式

模式

读

写

输出取消

待机

*

=不关心

H =逻辑高

L =逻辑低

CE

L

H

OE

L

*

读/写

H

L

H

*

I/O1~I/O8

产量

输入

高-Z

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

H

*

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.3~7.0

0.3

*

~7.0

0.5~V

DD

+

0.5

单位

V

W

°C

0.6

260

55~150

40~85

*

:

2.0V，当在为20ns的脉冲宽度测

2002-09-18

2/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

DC推荐工作条件

（大

= 40°

至85 ℃）下

符号

V

DD

V

IH

V

IL

V

DH

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据保持电源电压

民

4.5

2.2

0.3

*

典型值

5.0

最大

5.5

V

DD

+

0.3

0.6

5.5

单位

V

2.0

*

:

2.0 V时为20 ns的脉冲宽度测量

DC特性

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

5 V

±

10%)

符号

I

IL

I

OH

I

OL

I

LO

参数

输入漏

当前

输出高电流

输出低电流

输出漏

当前

V

IN

=

0 V~V

DD

V

OH

=

2.4 V

V

OL

=

0.4 V

测试条件

民

1.0

典型值

最大

±

1.0

±

1.0

单位

A

mA

A

2.1

CE

=

V

IH

或读/写

=

V

IL

or

OE

=

V

IH

, V

OUT

=

0 V~V

DD

CE

=

V

IL

和读/写

=

V

IH

,

I

OUT

=

0毫安，

其他输入

=

V

IH

/V

IL

CE

=

0.2 V和R / W

=

V

DD

0.2 V,

I

OUT

=

0毫安，

其他输入

=

V

DD

0.2 V/0.2 V

CE

=

V

IH

Ta

=

25°C

民

1

s

t

周期

民

1

s

35

mA

l

DDO1

工作电流

l

DDO2

8

30

mA

3

I

DDS1

待机电流

I

DDS2

3

mA

1

CE

=

V

DD

0.2 V,

V

DD

=

2.0 V~5.5 V

Ta

=

40~40°C

Ta

=

40~85°C

3

20

A

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

注意：

参数

输入电容

输出电容

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

测试条件

最大

10

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-09-18

3/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

交流特性和操作条件

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

5 V

±

10%)

读周期

TC55NEM208AFPN/AFTN

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

COE

t

OEE

t

OD

t

ODO

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能存取时间

输出启用访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

输出数据保持时间

55

最大

70

民

70

单位

最大

55

30

70

35

5

0

5

0

ns

25

30

10

写周期

TC55NEM208AFPN/AFTN

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

55

40

45

0

55

最大

70

民

70

50

55

0

单位

最大

ns

25

30

0

25

0

30

0

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

测试条件

100 pF的

+

1 TTL门

0.4 V, 2.4 V

1.5 V

5纳秒

2002-09-18

4/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

时序图

读周期

（见注1 ）

t

RC

地址

A0~A18

t

加

t

CO

t

OH

CE

t

OE

t

OD

OE

t

OEE

t

COE

D

OUT

I/O1~8

高阻

有效的数据输出

高阻

t

ODO

写周期1 （R / W控）

（见注4 ）

t

WC

地址

A0~A18

t

AS

读/写

t

CW

t

WP

t

WR

CE

t

ODW

D

OUT

I/O1~8

（见注2 ）

高阻

t

DS

D

IN

I/O1~8

（见注5 ）

t

DH

（见注5 ）

t

OEW

（见注3 ）

有效的数据在

2002-09-18

5/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

暂定

东芝MOS数字集成电路硅栅CMOS

524,288 ，一个字一个8位的静态RAM

描述

该TC55NEM208AFPN / AFTN是（SRAM）组织为524288一4194304位的静态随机存取存储器

字由8位。采用东芝的CMOS硅栅工艺技术制造，该设备从工作

单5V

±

10 ％的电力供应。先进的电路技术在操作同时提供高速和低功耗

目前的3毫安/ MHz（典型值）和55 ns的最小周期时间。 1这是自动放置在低功耗模式

A

待机电流（典型值）时，芯片使能（

CE

）被置为高电平。有两个控制输入。

CE

用于选择

设备和数据保留控制和输出使能（

OE

）提供了快速内存访问。此设备是井

适合于各种微处理器系统的应用中高速，低功率和备用电池是必需的。

并且，与有保证的操作范围

40°

到85℃时， TC55NEM208AFPN / AFTN可被用

环境表现出极端的温度条件。该TC55NEM208AFPN / AFTN处于可用

标胶32引脚小外形封装（ SOP ），并正向和反向的引脚塑料32针

薄小外形封装（ TSOP ）。

特点

低功耗

操作： 15毫瓦/兆赫（典型值）

5 V单电源电压

±

10%

使用关机功能

CE

.

2.0 5.5 V数据保持电源电压

所有的输入和输出直接TTL兼容

宽工作温度范围

40°

至85℃

待机电流（最大值）： 20

A

访问时间（最大）：

TC55NEM208AFPN/AFTN

55

存取时间

55纳秒

30纳秒

70

70纳秒

35纳秒

CE

存取时间

OE

存取时间

包装：

SOP32 -P - 525-1.27 （ AFPN ）

（重量：

TSOP II32 -P - 400-1.27 （ AFTN ）（重量：

克典型值）

引脚分配

（ TOP VIEW ）

32脚SOP &

TSOP

A18

A16

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

GND

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

V

DD

A15

A17

读/写

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CE

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

引脚名称

A0~A18

读/写

地址输入

读/写控制

OE

CE

I/O1~I/O8

V

DD

GND

OUTPUT ENABLE

芯片使能

数据输入/输出

功率（

+

5 V)

地

（ AFPN / AFTN ）

2002-09-18

1/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

框图

CE

A4

A5

A6

A7

A8

A9

A11

A14

A15

A16

A18

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

行地址

卜FF器

行地址

注册

行地址

解码器

V

DD

GND

存储单元阵列

2,048

×

256

×

8

(4,194,304)

8

数据

控制

SENSE AMP

列地址

解码器

时钟

发电机

COLUMN ADDERSS

注册

列地址

卜FF器

CE

A0 A1 A2 A3 A10 A12A13 A17

OE

读/写

CE

经营模式

模式

读

写

输出取消

待机

*

=不关心

H =逻辑高

L =逻辑低

CE

L

H

OE

L

*

读/写

H

L

H

*

I/O1~I/O8

产量

输入

高-Z

动力

I

DDO

I

DDO

I

DDO

I

DDS

H

*

最大额定值

符号

V

DD

V

IN

V

I / O

P

D

T

SOLDER

T

英镑

T

OPR

电源电压

输入电压

输入/输出电压

功耗

焊接温度（ 10秒）

储存温度

工作温度

等级

价值

0.3~7.0

0.3

*

~7.0

0.5~V

DD

+

0.5

单位

V

W

°C

0.6

260

55~150

40~85

*

:

2.0V，当在为20ns的脉冲宽度测

2002-09-18

2/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

DC推荐工作条件

（大

= 40°

至85 ℃）下

符号

V

DD

V

IH

V

IL

V

DH

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

数据保持电源电压

民

4.5

2.2

0.3

*

典型值

5.0

最大

5.5

V

DD

+

0.3

0.6

5.5

单位

V

2.0

*

:

2.0 V时为20 ns的脉冲宽度测量

DC特性

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

5 V

±

10%)

符号

I

IL

I

OH

I

OL

I

LO

参数

输入漏

当前

输出高电流

输出低电流

输出漏

当前

V

IN

=

0 V~V

DD

V

OH

=

2.4 V

V

OL

=

0.4 V

测试条件

民

1.0

典型值

最大

±

1.0

±

1.0

单位

A

mA

A

2.1

CE

=

V

IH

或读/写

=

V

IL

or

OE

=

V

IH

, V

OUT

=

0 V~V

DD

CE

=

V

IL

和读/写

=

V

IH

,

I

OUT

=

0毫安，

其他输入

=

V

IH

/V

IL

CE

=

0.2 V和R / W

=

V

DD

0.2 V,

I

OUT

=

0毫安，

其他输入

=

V

DD

0.2 V/0.2 V

CE

=

V

IH

Ta

=

25°C

民

1

s

t

周期

民

1

s

35

mA

l

DDO1

工作电流

l

DDO2

8

30

mA

3

I

DDS1

待机电流

I

DDS2

3

mA

1

CE

=

V

DD

0.2 V,

V

DD

=

2.0 V~5.5 V

Ta

=

40~40°C

Ta

=

40~85°C

3

20

A

电容

（大

=

25 ° C，F

=

1兆赫）

符号

C

IN

C

OUT

注意：

参数

输入电容

输出电容

V

IN

=

GND

V

OUT

=

GND

测试条件

最大

10

单位

pF

此参数是周期性采样，而不是100％测试。

2002-09-18

3/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

交流特性和操作条件

（大

= 40°

至85℃ ，V

DD

=

5 V

±

10%)

读周期

TC55NEM208AFPN/AFTN

符号

参数

民

t

RC

t

加

t

CO

t

OE

t

COE

t

OEE

t

OD

t

ODO

t

OH

读周期时间

地址访问时间

芯片使能存取时间

输出启用访问时间

芯片使能低到输出有效

输出使能低到输出有效

芯片使能高到输出高阻

输出使能高到输出高阻

输出数据保持时间

55

最大

70

民

70

单位

最大

55

30

70

35

5

0

5

0

ns

25

30

10

写周期

TC55NEM208AFPN/AFTN

符号

参数

民

t

WC

t

WP

t

CW

t

AS

t

WR

t

ODW

t

OEW

t

DS

t

DH

写周期时间

把脉冲宽度

芯片使能写操作的结束

地址建立时间

写恢复时间

R / W低到输出高阻

R / W高到输出有效

数据建立时间

数据保持时间

55

40

45

0

55

最大

70

民

70

50

55

0

单位

最大

ns

25

30

0

25

0

30

0

AC测试条件

参数

输出负载

输入脉冲电平

定时测量

参考电平

t

R

, t

F

测试条件

100 pF的

+

1 TTL门

0.4 V, 2.4 V

1.5 V

5纳秒

2002-09-18

4/10

TC55NEM208AFPN/AFTN55,70

时序图

读周期

（见注1 ）

t

RC

地址

A0~A18

t

加

t

CO

t

OH

CE

t

OE

t

OD

OE

t

OEE

t

COE

D

OUT

I/O1~8

高阻

有效的数据输出

高阻

t

ODO

写周期1 （R / W控）

（见注4 ）

t

WC

地址

A0~A18

t

AS

读/写

t

CW

t

WP

t

WR

CE

t

ODW

D

OUT

I/O1~8

（见注2 ）

高阻

t

DS

D

IN

I/O1~8

（见注5 ）

t

DH

（见注5 ）

t

OEW

（见注3 ）

有效的数据在

2002-09-18

5/10