东芝
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL-70L/85L
硅栅CMOS
131,072字×8位的静态RAM
描述
该TC551001BPL是通过使用CMOS技术8位， 131072字1048576位的静态随机存取存储器，
并从单一5V电源工作。先进的电路技术，提供高速和低功耗的特点与
5毫安/ MHz（典型值），并为70ns的最短周期时间的工作电流。当CE1是逻辑高，或CE2为低时，器件
置于低功耗待机模式，其中的备用电流是2
一个典型的。该TC551001BPL有三个控制输入。
芯片使能输入（ CE1 ， CE2 ）允许设备的选择和数据保留控制，同时输出使能输入（ OE ）提供了快速
存储器存取。该TC551001BPL是在微处理器的应用系统适合于使用其中高速，低功耗，以及
备用电池是必需的。
该TC551001BPL是提供在一个标准的双列直插式32脚塑料封装，小外形塑料封装和薄小
外形塑料封装（正转，反转式） 。
特点
低功耗
:
- 待机电流：
5V单电源供电
访问时间（最大）
引脚连接（顶视图）
27.5mW / MHz（典型值）。
4
A（最大）在TA = 25
°
C
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL
-70L
存取时间
CE1访问时间
CE2访问时间
OE访问时间
70ns
70ns
70ns
35ns
-85L
85ns
85ns
85ns
45ns
断电功能：
CE1 ， CE2
数据保持电源电压：
2.0 ~ 5.5V
输入和输出直接TTL兼容
包
TC551001BPL
： DIP32 -P -600
TC551001BFL
： SOP32 -P- 525
TC551001BFTL
： TSOP32 -P - 0820
TC551001BTRL ： TSOP32 -P - 0820A
引脚名称
A0 ~ A16
读/写
OE
CE1 ， CE2
I / O1 I / O8
V
DD
GND
北卡罗来纳州
PIN号
引脚名称
PIN号
引脚名称
地址输入
读/写控制输入
输出使能输入
芯片使能输入
数据输入/输出
电源（+ 5V）的
地
无连接
1
A
11
17
A
3
2
A
9
18
A
2
3
A
8
19
A
1
4
A
13
20
A
0
5
读/写
21
I/O1
6
CE2
22
I/O2
7
A
15
23
I/O3
引脚TSOP
8
V
DD
24
GND
9
NC
25
I/O4
10
A
16
26
I/O5
11
A
14
27
I/O6
12
A
12
28
I/O7
13
A
7
29
I/O8
14
A
6
30
CE1
15
A
5
31
A
10
16
A
4
32
OE
东芝美国电子元件有限公司
.
1
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL-70L/85L
框图
静态RAM
SR01020795
经营模式
操作模式
读
写
输出取消
待机
* H或L
CE1
L
L
L
H
*
CE2
H
H
H
*
L
OE
L
*
H
*
*
读/写
H
L
H
*
*
I / O1 I / O8
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
动力
I
DDO
I
DDO
I
DDO
I
DDS
I
DDS
最大额定值
符号
V
DD
V
IN
V
I / O
P
D
T
STRG
T
OPR
项
电源电压
输入电压
输入和输出电压
功耗
储存温度
工作温度
等级
-0.3 ~ 7.0
-0.3* ~ 7.0
-0.5 ~ V
DD
+ 0.5
1.0/0.6**
260
-55 ~ 150
0 ~ 70
单位
V
V
V
W
°
C
°
C
°
C
T
SOLDER
焊接温度（ 10秒）
* -3.0V在50ns最大的脉冲宽度
** SOP
2
东芝美国电子元件有限公司
.
SR01020795
DC推荐工作条件
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
DH
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
数据保持电源电压
分钟。
4.5
2.2
-0.3*
2.0
静态RAM
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL-70L/85L
典型值。
5.0
–
–
–
马克斯。
5.5
V
DD
+ 0.3
0.8
5.5
单位
V
* -3.0V在50ns最大的脉冲宽度。
DC和操作特性（Ta = 0 70℃ ，V
DD
= 5V
±
10%)
符号
I
LI
I
LO
I
OH
I
OL
I
DDO1
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流
输出低电流
V
IN
= 0 ~ V
DD
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或R / W = V
IL
or
OE = V
IH ，
V
OUT
= 0 ~ V
DD
V
OH
= 2.4V
V
OL
= 0.4V
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
和R / W = V
IH ，
I
OUT
= 0毫安
其它输入= V
IH
/V
IL
工作电流
I
DDO2
CE1 = 0.2V和
CE2 = V
DD
- 0.2V
R / W = V
DD
- 0.2V
I
OUT
= 0毫安
其他投入
= V
DD
- 0.2V/0.2V
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
待机电流
CE1 = V
DD
- 0.2V或
CE2 ≤ 0.2V
V
DD
= 2.0V ~ 5.5V
TA = 0 70
°
C
TA = 25
°
C
分钟。
t
周期
1
s
分钟。
t
周期
测试条件
分钟。
–
–
-1.0
4.0
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
±
1.0
±
1.0
–
–
70
20
60
mA
单位
A
A
mA
mA
1
s
–
–
10
I
DDS1
I
DDS2(1)
–
–
–
–
–
2
3
30
4
mA
A
注：（1 ）在待机状态下与CE1
≥
V
DD
- 0.2V ，这些特定网络阳离子限制CE2的条件下保证
≥
V
DD
- 0.2V或CE2
≤
0.2V.
电容（钽= 25℃ ， F = 1MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
V
IN
= GND
V
OUT
= GND
测试条件
马克斯。
10
10
单位
pF
注：此参数是周期性采样，而不是100％测试。
东芝美国电子元件有限公司
.
3
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL-70L/85L
静态RAM
SR01020795
AC特性（Ta = 0 70 ° C，V
DD
= 5V±10%)
读周期
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL
符号
参数
分钟。
t
RC
t
加
t
CO1
t
CO2
t
OE
t
COE
t
OEE
t
OD
t
ODO
t
OH
读周期时间
地址访问时间
CE1访问时间
CE2访问时间
输出使能到输出的有效
芯片使能（ CE1 ， CE2 ）输出在低Z
输出使能，以在低Z输出
芯片使能（ CE1 ， CE2 ）输出高-Z
输出使能到输出高-Z
输出数据保持时间
70
–
–
–
–
10
5
–
–
10
-70L
马克斯。
–
70
70
70
35
–
–
25
25
–
分钟。
85
–
–
–
–
10
5
–
–
10
-85L
马克斯。
–
85
85
85
45
–
–
30
30
–
ns
单位
写周期
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL
符号
参数
分钟。
t
WC
t
WP
t
CW
t
AS
t
WR
t
ODW
t
OEW
t
DS
t
DH
写周期时间
把脉冲宽度
芯片的选择要写入的结束
地址建立时间
写恢复时间
R / W为输出高-Z
R / W ，以从低到Z输出
数据建立时间
数据保持时间
70
50
60
0
0
–
5
30
0
-70L
马克斯。
–
–
–
–
–
25
–
–
–
分钟。
85
60
75
0
0
–
5
35
0
-85L
马克斯。
–
–
–
–
–
30
–
–
–
ns
单位
AC测试条件
输入脉冲电平
输入脉冲上升时间和下降时间
输入定时测量参考电平
输出定时测量参考电平
输出负载
2.4V/0.6V
5ns
1.5V
1.5V
1 TTL门和C
L
= 100pF的
4
东芝美国电子元件有限公司
.
SR01020795
静态RAM
TC551001BPL/BFL/BFTL/BTRL-70L/85L
时序波形
读周期
(1)
写周期1
(4)
（R / W控制的写）
东芝美国电子元件有限公司
.
5
QQ：2880707522 复制
