1
TC4626
TC4627
与电压三倍功率CMOS驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
电源驱动器，船上电压升压
低IDD ................................................ ......... < 4毫安
小包装........................................ 8引脚PDIP
欠压电路
快速的上升，下降时间.................. < 40nsec @ 1000pF的
下面对轨输入保护
概述
在TC4626 / 4627顷单CMOS高速驱动器
与板载升压电路。这些部件一起工作
从4至6伏的输入电源电压。内部电压
助力器将产生一个V
BOOST
上述电位高达12伏
V
IN
。这款V
BOOST
不规范，因此其电压依赖
在输入V
DD
电压和输出驱动负载要求一
求。一个内部欠压闭锁电路保持
处于低状态时， V的输出
BOOST
低于7.8伏。
输出时启用V
BOOST
高于11.3伏。
2
3
4
5
6
7
应用
s
s
提出了5V驱动高栅极电压（ON ）的MOSFET
消除了一个系统电源
订购信息
销刀豆网络gurations
8引脚塑料DIP
/ CERDIP
C1– 1
C1+ 2
C2 3
GND 4
TC4626
TC4627
8 VDD
7年
6 VBOOST
5 OUT
产品型号
包
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
- 55 ° C至+ 125°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
= 0 ° C至+ 70°C
= 0 ° C至+ 70°C
- 55 ° C至+ 125°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
= 0 ° C至+ 70°C
= 0 ° C至+ 70°C
16引脚SOIC （宽）
C1–
NC
C1+
NC
C2
NC
1
2
3
4
5
6
TC4626
TC4627
16 VDD
15 NC
14 NC
13
12 NC
11 VBOOST
10 NC
9 OUT
TC4626COE
TC4626CPA
TC4626EOE
TC4626EPA
TC4626MJA
TC4627COE
TC4627CPA
TC4627EOE
TC4627EPA
TC4627MJA
NC 7
GND
8
功能框图
EXT +
C1
C1+
C1-
C2
2
1
3
V = 2× VDD
电压
助推器
不
反相
4627
5
VDD
8
时钟
产量
VBOOST
（未调整3× VDD ）
6
EXT +
C3
UV LOCK
EXT +
C2
IN
GND
7
反相
4626
4
注意：
引脚编号对应8引脚封装
TC4626 / 7-7 96年10月21日
8
4-271
TELCOM半导体，INC。的
与电压三倍功率CMOS驱动器
TC4626
TC4627
绝对最大额定值
封装功耗（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ................ 730mW
CERDIP ................................................. ............. 800mW的
SOIC ................................................. ................ 760mW的功耗
降额因子
PDIP ....................................... 5.6毫瓦/ ℃，高于36 ℃，
CERDIP ................................................. ....... 6.0毫瓦/°C的
电源电压................................................ 6.2V ...........
输入电压，任何终端...... V
S
+ 0.3V至GND - 0.3V
工作温度：M版本... - 55 ° C至+ 125°C
版......... - 40 ° C至+ 85°C
C版.............. 0 ° C至+ 70°C
最大片上温度................................. + 150°C
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（ 10秒） ................................... + 300℃
电气特性：
T
A
= 25 ℃， VDD = 5V， C1 = C2 = C3 10μF ，除非另有规定。
符号
驱动器输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1 ，输入电压
逻辑0 ，输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
最大开关频率
2.4
—
–1
V
BOOST
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
—
—
—
—
—
10
8
1.5
33
27
35
45
—
—
0.8
1
—
0.025
15
10
—
40
35
45
55
—
V
V
A
V
V
A
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
兆赫
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DRIVE
驱动器输出
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
t
R
t
F
t
D1
t
D2
F
最大
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 5V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 5V
开关时间
测试图1,2
测试图1,2
测试图1,2
测试图1,2
测试图1
V
DD
= 5V, V
BOOST
> 8.5V
I
L
= 10 mA时， V
DD
= 5V
升压
R
3
R
2
F
OSC
V
OSC
UV
@ V
BOOST
V
开始
@ V
BOOST
V
BOOST
电压三倍输出
源电阻
倍压输出
源电阻
振荡器频率
振荡幅度
测量C1-
欠压阈值
启动电压
@V
DD
= 5V
电源电流
电源电压
空载
V
IN
=低或高
—
—
12
4.5
7.0
10.5
14.6
—
4.0
300
120
—
—
7.8
11.3
—
—
—
400
200
28
10
8.5
12
—
2.5
6.0
千赫
V
V
V
V
mA
V
R
负载
= 10k
电源
I
DD
V
DD
4-272
TELCOM半导体，INC。的
TC4626/TC4627
与电压三倍功率CMOS驱动器
特点
电源驱动器，船上电压升压
我低
DD
- <4毫安
小包装 - 采用8引脚PDIP
欠压电路
快速的上升，下降时间 - <40nsec @ 1000pF的
下面对轨输入保护
套餐类型
8引脚PDIP / CERDIP
C1–
C1+
C2
GND
1
2
3
4
8
V
DD
TC4626
TC4627
7年
6 V
BOOST
5 OUT
应用
引发5V驱动高 - 栅极电压（ ON）的MOSFET
消除了一个系统电源
16引脚SOIC （宽）
C1–
NC
C1+
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
DD
15 NC
14 NC
器件选型表
部分
数
TC4626COE
TC4626CPA
TC4626EOE
TC4626EPA
TC4626MJA
TC4627COE
TC4627CPA
TC4627EOE
TC4627EPA
TC4627MJA
C2
NC
TC4626
TC4627
12 NC
11 V
BOOST
10 NC
9 OUT
13
包
16引脚SOIC （宽）
8引脚PDIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚PDIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
NC
GND
概述
在TC4626 / TC4627是单CMOS高速
驱动程序与一个板上的电压升压电路。这些
部件与从4至6伏的输入电源电压下工作。
内部电压升压器将产生一个V
BOOST
电位高达12伏高于V
IN
。这款V
BOOST
不
调节的，所以它的电压是依赖于输入V
DD
电压和输出驱动负载的要求。一
内部欠压锁定电路保持输出
低时的状态V
BOOST
低于7.8伏。产量
开启当V
BOOST
高于11.3伏。
功能框图
EXT +
C
1
C1+
C1-
C2
2
1
3
V = 2× V
DD
电压
助推器
同相
TC4627
5
V
DD
8
时钟
产量
V
BOOST
（未调整3× V
DD
)
6
EXT +
C
3
UV LOCK
EXT +
C
2
In
GND
7
反相
TC4626
4
注意：
引脚编号对应的8引脚封装。
2002年Microchip的科技公司
DS21426B第1页
TC4626/TC4627
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ...... 6.2V
输入电压，在任何终端
..................................... V
S
+ 0.3V至GND - 0.3V
封装功耗（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ........ 730mW
CERDIP....................................................800mW
SOIC ................................................. ....... 760mW的功耗
降额因子
PDIP ....... 5.6毫瓦/ ℃，高于36 ℃，
CERDIP................................................6.0mW/°C
工作温度范围（环境）
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
版本...................................... -40 ° C至+ 85°C
M版................................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
TC4626 / TC4627电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 5V ，C
1
= C
2
= C
3
10F除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
开关时间
t
R
t
F
t
D1
t
D2
F
最大
升压
R
3
R
2
F
OSC
V
OSC
UV @V
BOOST
V
开始
@V
BOOST
V
BOOST
电压三倍输出
源电阻
倍压输出
源电阻
振荡器频率
振荡幅度测量
在C1-
欠压阈值
启动电压
@V
DD
= 5V
—
—
12
4.5
7.0
10.5
14.6
300
120
—
—
7.8
11.3
—
400
200
28
10
8.5
12
—
千赫
V
V
V
V
空载
R
负载
= 10k
I
L
= 10毫安，V
DD
= 5V
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
最大开关频率
—
—
—
—
1.0
33
27
35
45
—
40
35
45
55
—
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
兆赫
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
DD
= 5V, V
BOOST
> 8.5V ，
图3-1
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
V
BOOST
– 0.025
—
—
—
—
—
—
10
8
1.5
—
0.025
15
10
—
V
V
A
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 5V
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 5V
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
2.4
—
-1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DRIVE
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
DS21426B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC4626/TC4627
与电压三倍功率CMOS驱动器
特点
电源驱动器，船上电压升压
我低
DD
- <4毫安
小包装 - 采用8引脚PDIP
欠压电路
快速的上升，下降时间 - <40nsec @ 1000pF的
下面对轨输入保护
套餐类型
8引脚PDIP / CERDIP
C1–
C1+
C2
GND
1
2
3
4
8
V
DD
TC4626
TC4627
7年
6 V
BOOST
5 OUT
应用
引发5V驱动高 - 栅极电压（ ON）的MOSFET
消除了一个系统电源
16引脚SOIC （宽）
C1–
NC
C1+
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
DD
15 NC
14 NC
器件选型表
部分
数
TC4626COE
TC4626CPA
TC4626EOE
TC4626EPA
TC4626MJA
TC4627COE
TC4627CPA
TC4627EOE
TC4627EPA
TC4627MJA
C2
NC
TC4626
TC4627
12 NC
11 V
BOOST
10 NC
9 OUT
13
包
16引脚SOIC （宽）
8引脚PDIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚PDIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-55 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
NC
GND
概述
在TC4626 / TC4627是单CMOS高速
驱动程序与一个板上的电压升压电路。这些
部件与从4至6伏的输入电源电压下工作。
内部电压升压器将产生一个V
BOOST
电位高达12伏高于V
IN
。这款V
BOOST
不
调节的，所以它的电压是依赖于输入V
DD
电压和输出驱动负载的要求。一
内部欠压锁定电路保持输出
低时的状态V
BOOST
低于7.8伏。产量
开启当V
BOOST
高于11.3伏。
功能框图
EXT +
C
1
C1+
C1-
C2
2
1
3
V = 2× V
DD
电压
助推器
同相
TC4627
5
V
DD
8
时钟
产量
V
BOOST
（未调整3× V
DD
)
6
EXT +
C
3
UV LOCK
EXT +
C
2
In
GND
7
反相
TC4626
4
注意：
引脚编号对应的8引脚封装。
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21426C第1页
TC4626/TC4627
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ...... 6.2V
输入电压，在任何终端
..................................... V
S
+ 0.3V至GND - 0.3V
封装功耗（T
A
70°C)
PDIP ................................................. ........ 730mW
CERDIP....................................................800mW
SOIC ................................................. ....... 760mW的功耗
降额因子
PDIP ....... 5.6毫瓦/ ℃，高于36 ℃，
CERDIP................................................6.0mW/°C
工作温度范围（环境）
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
版本......................................- 40 ° C至+ 85°C
M版...................................- 55 ° C至+ 125°C
存储温度范围..............- 65 ° C至+ 150°C
TC4626 / TC4627电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ° C，V
DD
=
5V ，C
1
= C
2
= C
3
10F除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
开关时间
t
R
t
F
t
D1
t
D2
F
最大
升压
R
3
R
2
F
OSC
V
OSC
UV @V
BOOST
V
开始
@V
BOOST
V
BOOST
电压三倍输出
源电阻
倍压输出
源电阻
振荡器频率
振荡幅度测量
在C1-
欠压阈值
启动电压
@V
DD
= 5V
—
—
12
4.5
7.0
10.5
14.6
300
120
—
—
7.8
11.3
—
400
200
28
10
8.5
12
—
千赫
V
V
V
V
空载
R
负载
= 10k
I
L
= 10毫安，V
DD
= 5V
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
最大开关频率
—
—
—
—
1.0
33
27
35
45
—
40
35
45
55
—
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
兆赫
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
DD
= 5V, V
BOOST
> 8.5V ，
图3-1
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
V
BOOST
– 0.025
—
—
—
—
—
—
10
8
1.5
—
0.025
15
10
—
V
V
A
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 5V
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 5V
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
2.4
—
-1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
0VV
IN
V
DRIVE
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
DS21426C第2页
2001-2012 Microchip的科技公司
QQ：2880707522 复制
