TC4535
PRE1_12/12/2004
初步
13.75 - 14.5 GHz的MMIC 1W
特点
P
-1
分贝: 30 dBm的
小信号增益: 30分贝
IP3 : 39 dBm的
比赛进行到50
手术
偏置条件:750毫安, 8 V
描述
该TC4535是一个4级PHEMT MMIC功率放大器。它被设计用于低成本,高容量,喾使用
频带应用。在MMIC匹配到50欧姆的操作。无需外部匹配组件是必需的。它
提供30 dB和P的典型增益
1分贝
超过29 dBm的功率。典型的偏置条件为8V ,在750 mA的电流。
该MMIC是一个封装在铜基陶瓷6针电源包。的铜系载体
封装允许器件直接焊接在PCB上进行适当的散热。
应用
Ku波段VSAT传输子系统
LECTRICAL规格( TA = 25
°
C)
符号
频率
SSG
P
-1
dB
P
-3
dB
IP3
VSWR ,IN
驻波比,输出
VDD
Vg
国际直拨电话
IDP
-1
描述
频带
小信号增益
1 dB增益压缩输出功率
3 dB增益压缩输出功率
三阶截点
输入VSWR
输出VSWR
电源电压
栅极电压
目前供应无RF
目前供应@噘= P
-1
dB
民
13.75
29
29
30
典型值
30
30
31
39
2:1
2.5:1
8
-1.0
750
750
最大
14.5
单位
GHz的
dB
DBM
DBM
DBM
-
-
伏特
伏特
mA
mA
-0.5
-1.5
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
路,台南科学为基础的工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网站: www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
P1/3
TC4535
PRE1_12/12/2004
绝对最大额定值
符号
V
dd
I
dd
P
in
P
t
T
ch
T
英镑
参数/条件
漏源电压
总漏电流
RF输入功率
功耗
工作通道温度
储存温度
分钟。
马克斯。
10
1600
10
12
175
175
单位
伏
mA
DBM
W
°C
°C
-65
注意:
1.
2.
这砷化镓MMIC易受静电放电损坏。操作这些设备的时候适当的预防措施应该被使用。
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
测试电路
评估板电路图
部件类型
参考标志
描述
生产厂家
产品型号
电容
电容
C1, C3, C5, C7
C2, C4, C6, C8
1000pF的0603
0.1 uF的0603
村田
村田
GRM39C0G102J50V
GRM39Y5V104Z25V
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
路,台南科学为基础的工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
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电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
P2/3
TC4535
PRE1_12/12/2004
接线图和引脚说明
Vd
Vd
在RF
50 Ohm线路
50 Ohm线路
RF OUT
Vg
Vg
针#
2
1,6
3,4
5
名字
在RF
Vd
Vg
RF OUT
描述
RF输入(内部DC封锁)
MMIC漏极偏置
MMIC栅极偏置
RF输出(内部DC封锁)
物理尺寸
(单位:万美元)
TRANSCOM ,INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园,惺她享,台南县,台湾, ROC
网站: www.transcominc.com.tw
电话: 886-6-5050086
传真: 886-6-5051602
P3/3