TC4423A/TC4424A/TC4425A
3A双高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 4.5A （典型值）
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力：
- 1800 pF的12纳秒
短延迟时间： 40纳秒（典型值）
匹配的上升/下降时间
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 1.0 mA（最大值）
- 对于逻辑“0”输入 - 150 μA （最大值）
低输出阻抗： 2.5Ω （典型值）
闭锁保护：可承受1.5A的反向
当前
逻辑输入可承受负电压最高达
5V
引脚与TC4423 / TC4424 / TC4425兼容
和TC4426A / TC4427A / TC4428A器件
节省空间的8引脚150密耳体SOIC和8引脚
引脚6x5 DFN封装
概述
该TC4423A / TC4424A / TC4425A系列器件是
双输出3A缓冲器/ MOSFET驱动器。这些
设备完善的早期TC4423版本/
TC4424 / TC4425双输出3A驱动器系列。这
改进的版本具有更高的峰值输出电流
驱动能力，较低的枪战throught电流匹配
上升/下降时间和传播延迟时间。该
TC4423A / TC4424A / TC4425A器件引脚
与现有的TC4423 / TC4424 / TC4425兼容
家庭。采用8引脚SOIC封装选项已被添加
家庭。 8引脚DFN封装选项报价
为驾驶增加功率耗散能力
更大的容性或阻性负载。
该TC4423A / TC4424A / TC4425A MOSFET驱动器
可以很容易地充电和放电1800 pF的门
在20纳秒电容，提供足够低
同时在开启和关闭状态的阻抗，以确保
MOSFET的预期状态也不会受到影响，甚至
大的瞬变。
该TC4423A / TC4424A / TC4425A的输入可能
直接由TTL或CMOS （ 2.4V至18V ）驱动。
此外，内置的迟滞300 mV的规定
噪声抑制能力，并允许设备从驱动
缓慢上升或下降的波形。
该TC4423A / TC4424A / TC4425A双输出3A
MOSFET驱动器系列offerd了-40
o
C至+ 125
o
C
温度等级，使得它在任何有用的广
温度范围的应用。
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
小型直流电机直接驱动
封装类型
8引脚PDIP / SOIC TC4423A TC4424A TC4425A
NC
IN A
GND
IN B
1
8
2
TC4423A
7
3
TC4424A
6
4
TC4425A
5
16引脚SOIC （宽
)
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
TC4423A TC4424A TC4425A
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
TC4423A
TC4424A
TC4425A
8引脚6x5 DFN
(1
)
NC
1
IN A
2
GND
3
IN B
4
TC4423A
TC4424A
TC4425A
8
7
6
5
TC4423A TC4424A TC4425A
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
注1 ：
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
2:
重名的引脚必须同时连接才能正常工作
.
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TC4423A/TC4424A/TC4425A
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ................ + 20V
输入电压，单位为A或B中的.......... （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
=50°C)
8L PDIP ................................................ ....................... 1.2W
8L SOIC ................................................ .................... 0.61W
16L SOIC ................................................ ..................... 1.1W
8L DFN ................................................ ....................
注3
直流特性（注2 ）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护承受
的反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电压
电源电流
注1 ：
2:
3:
V
DD
I
S
I
S
4.5
—
—
—
1.0
0.15
18
2.0
0.25
V
mA
mA
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
12
12
40
41
21
21
48
48
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
2.2
2.8
4.5
>1.5
—
0.025
3.0
3.5
—
—
V
V
Ω
Ω
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
10V≤ V
DD
≤18V
（注2 ）
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒。
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
–1
-5
1.5
1.3
—
—
—
0.8
1
V
DD
+0.3
V
V
A
V
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试，未经生产测试。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
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2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V < = V
DD
< = 18V 。
80
70
上升时间（纳秒）
50
40
30
20
10
0
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
470 pF的
3300 pF的
1800 pF的
1000 pF的
80
70
4700 pF的
4700 pF的
3300 pF的
下降时间（纳秒）
60
60
50
40
30
20
10
0
4
6
1000 pF的
1800 pF的
470 pF的
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
图2-1：
电压。
60
50
上升时间（纳秒）
40
30
20
10
0
100
上升时间与供应
图2-4：
电压。
70
60
下降时间与供应
5V
10V
下降时间（纳秒）
5V
50
40
30
20
10
15V
10V
15V
1000
容性负载（PF ）
10000
0
100
1000
容性负载（PF ）
10000
图2-2：
负载。
24
22
20
时间（纳秒）
18
16
14
12
10
-40 -25 -10
5
t
上升
上升时间与电容
图2-5：
负载。
145
传播延迟（ NS ）
下降时间 - 容性
C
负载
= 1800 pF的
V
DD
= 12V
125
105
85
65
45
25
t
D2
t
D1
C
负载
= 1800 pF的
t
秋天
20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
o
2
3
4
5
6
7
8
9
10
输入幅值（ V）
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
幅度。
传输延迟与输入
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