TC4451/TC4452
12A高速MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 13A （典型值）。
低直通/交叉传导电流的
输出级
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高连续输出电流： 2.6A （最大）
匹配的快速上升和下降时间：
- 21 ns的10000 pF负载
- 42 ns的22000 pF负载
匹配的短传播延迟： 44 ns（典型值）。
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 140
μA
（典型值）。
- 对于逻辑“0”输入 - 40
μA
（典型值）。
低输出阻抗： 0.9Ω （ TYP。）
闭锁保护：可承受1.5A的输出
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
引脚兼容与TC4420 / TC4429 ，
TC4421 / TC4422和TC4421A / TC4422A
MOSFET驱动器
节省空间的，热增强型8引脚DFN
包
概述
在TC4451 / TC4452是单输出MOSFET
驱动程序。这些设备是大电流缓冲器/驱动器
能够驱动大功率MOSFET和绝缘栅
双极晶体管（IGBT ） 。在TC4451 / TC4452有
匹配的输出上升和下降时间，以及匹配
前缘和下降沿的传播延迟时间。该
TC4451 / TC4452器件还具有极低的交叉
导通电流，减小了整体功率
耗散装置的。
这些器件基本上不受任何形式的
心烦，除非直接过压或过消散。
它们不能在任何条件下锁存
其功率和电压额定值。这些部件不
如有损坏或操作不当的时候最多
接地反弹的5V出现在他们的地上
终端。他们能够接受，而不会损坏或逻辑
心烦，超过1.5A电感电流要么
极性被迫返回到输出端。此外，
所有引脚都被充分保护，免受高达4千伏
静电放电。
的TC4451 / TC4452输入可直接驱动
从TTL或CMOS （ 3V至18V ） 。此外，
滞后的300毫伏内置于输入，提供
抗干扰性和允许设备驱动
从缓缓上升或下降的波形。
随着表面贴装和引脚通孔
包中，除了一个很宽的工作温度
范围，12A MOSFET的TC4451 / TC4452家族
驱动程序适用于大多数的应用程序需要很高的门/线
电容驱动器是必需的。
应用
额外负载很重的线线路驱动器
脉冲发生器
开车最大的MOSFET和IGBT
本地电源ON / OFF开关
电机和电磁驱动器
LF引发
2006年Microchip的科技公司
DS21987A第1页
TC4451/TC4452
1.0
电动
特征
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压.................... （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
输入电流（V
IN
＆ GT ; V
DD
） ................................... 50毫安
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
连续输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
传播延迟时间
传播延迟时间
电源
电源电流
工作输入电压
注1 ：
2:
I
S
V
DD
—
—
4.5
140
40
—
200
100
18.0
μA
μA
V
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
30
32
44
44
40
40
52
52
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，
C
L
= 15000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 15000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 15000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 15000 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
DC
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
2.6
—
—
—
1.0
0.9
13
—
>1.5
—
0.025
1.5
1.5
—
—
—
V
V
Ω
Ω
A
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
DD
= 18V
10V
≤
V
DD
≤
18V
（注2 ，注3 ）
占空比
≤
2%, t
≤
300
μs
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
–10
–5
1.5
1.3
—
—
—
0.8
+10
V
DD
+ 0.3
V
V
μA
V
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试，未经生产测试。
3:
仅对AT和MF包。牛逼
A
= +25°C.
2006年Microchip的科技公司
DS21987A第3页
TC4451/TC4452
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
300
47000 pF的
250
下降时间（纳秒）
200
150
100
50
上升时间（纳秒）
5V
10V
22000 pF的
18V
万pF的
6
8
10
12
14
16
18
0
100
1000
10000
100000
电源电压（ V）
容性负载（PF ）
图2-1：
电压。
300
250
上升时间（纳秒）
200
150
100
50
0
100
上升时间与供应
图2-4：
负载。
40
下降时间 - 容性
上升和下降时间（ NS ）
V
DD
= 18V
5V
10V
t
上升
t
秋天
30
20
10
0
18V
1000
10000
100000
-40
-25
-10
5
20
35
50
65
80
95
110 125
容性负载（PF ）
温度（℃）
图2-2：
负载。
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
上升时间与电容
图2-5：
温度。
1E-07
10
-7
上升和下降时间与
47000 pF的
交叉能源（ A·秒）
下降时间（纳秒）
22000 pF的
1E-08
10
-8
万pF的
1E-09
10
-9
6
8
10
12
14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
电源电压（ V）
图2-3：
电压。
下降时间与供应
图2-6：
电源电压。
交越能量 -
2006年Microchip的科技公司
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12A高速MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 13A （典型值）。
低直通/交叉传导电流的
输出级
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高连续输出电流： 2.6A （最大）
匹配的快速上升和下降时间：
- 21 ns的10000 pF负载
- 42 ns的22000 pF负载
匹配的短传播延迟： 44 ns（典型值）。
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 140
μA
（典型值）。
- 对于逻辑“0”输入 - 40
μA
（典型值）。
低输出阻抗： 0.9Ω （ TYP。）
闭锁保护：可承受1.5A的输出
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
引脚兼容与TC4420 / TC4429 ，
TC4421 / TC4422和TC4421A / TC4422A
MOSFET驱动器
节省空间的，热增强型8引脚DFN
包
概述
在TC4451 / TC4452是单输出MOSFET
驱动程序。这些设备是大电流缓冲器/驱动器
能够驱动大功率MOSFET和绝缘栅
双极晶体管（IGBT ） 。在TC4451 / TC4452有
匹配的输出上升和下降时间，以及匹配
前缘和下降沿的传播延迟时间。该
TC4451 / TC4452器件还具有极低的交叉
导通电流，减小了整体功率
耗散装置的。
这些器件基本上不受任何形式的
心烦，除非直接过压或过消散。
它们不能在任何条件下锁存
其功率和电压额定值。这些部件不
如有损坏或操作不当的时候最多
接地反弹的5V出现在他们的地上
终端。他们能够接受，而不会损坏或逻辑
心烦，超过1.5A电感电流要么
极性被迫返回到输出端。此外，
所有引脚都被充分保护，免受高达4千伏
静电放电。
的TC4451 / TC4452输入可直接驱动
从TTL或CMOS （ 3V至18V ） 。此外，
滞后的300毫伏内置于输入，提供
抗干扰性和允许设备驱动
从缓缓上升或下降的波形。
随着表面贴装和引脚通孔
包中，除了一个很宽的工作温度
范围，12A MOSFET的TC4451 / TC4452家族
驱动程序适用于大多数的应用程序需要很高的门/线
电容驱动器是必需的。
应用
额外负载很重的线线路驱动器
脉冲发生器
开车最大的MOSFET和IGBT
本地电源ON / OFF开关
电机和电磁驱动器
LF引发
2006年Microchip的科技公司
DS21987A第1页
TC4451/TC4452
1.0
电动
特征
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压.................... （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
输入电流（V
IN
＆ GT ; V
DD
） ................................... 50毫安
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
连续输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
传播延迟时间
传播延迟时间
电源
电源电流
工作输入电压
注1 ：
2:
I
S
V
DD
—
—
4.5
140
40
—
200
100
18.0
μA
μA
V
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
30
32
44
44
40
40
52
52
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，
C
L
= 15000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 15000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 15000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 15000 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
DC
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
2.6
—
—
—
1.0
0.9
13
—
>1.5
—
0.025
1.5
1.5
—
—
—
V
V
Ω
Ω
A
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
DD
= 18V
10V
≤
V
DD
≤
18V
（注2 ，注3 ）
占空比
≤
2%, t
≤
300
μs
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
–10
–5
1.5
1.3
—
—
—
0.8
+10
V
DD
+ 0.3
V
V
μA
V
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
特性测试，未经生产测试。
3:
仅对AT和MF包。牛逼
A
= +25°C.
2006年Microchip的科技公司
DS21987A第3页
TC4451/TC4452
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
300
47000 pF的
250
下降时间（纳秒）
200
150
100
50
上升时间（纳秒）
5V
10V
22000 pF的
18V
万pF的
6
8
10
12
14
16
18
0
100
1000
10000
100000
电源电压（ V）
容性负载（PF ）
图2-1：
电压。
300
250
上升时间（纳秒）
200
150
100
50
0
100
上升时间与供应
图2-4：
负载。
40
下降时间 - 容性
上升和下降时间（ NS ）
V
DD
= 18V
5V
10V
t
上升
t
秋天
30
20
10
0
18V
1000
10000
100000
-40
-25
-10
5
20
35
50
65
80
95
110 125
容性负载（PF ）
温度（℃）
图2-2：
负载。
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
4
上升时间与电容
图2-5：
温度。
1E-07
10
-7
上升和下降时间与
47000 pF的
交叉能源（ A·秒）
下降时间（纳秒）
22000 pF的
1E-08
10
-8
万pF的
1E-09
10
-9
6
8
10
12
14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
电源电压（ V）
图2-3：
电压。
下降时间与供应
图2-6：
电源电压。
交越能量 -
2006年Microchip的科技公司
DS21987A第5页
QQ：2880707522 复制
