M
特点
高峰值输出电流 - 1.5A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至30V
高容性负载驱动能力：
- 1000 pF的25纳秒
短延迟时间 - <78纳秒典型。
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 2.5毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 300 μA
低输出阻抗 - 7
闭锁保护：可承受>300毫安
反向电流
ESD保护 - 4千伏
TC4431/TC4432
概述
在TC4431 / TC4432是30V CMOS缓冲器/驱动器
适合在高边驱动器的应用中使用。他们
不会闭锁在任何条件下其权力范围内
和额定电压。他们能够接受，而不会损坏
或逻辑混乱，高达反向电流300 MA（中
任一极性）被强制返回到输出端。所有
终端完全免受高达4千伏
静电放电。
欠压锁定电路强制输出到
当输入电源电压低于“低”状态
7V 。对于运行在更低的电压，禁用锁定
和启动电路由接地引脚3 （ LOCK DIS ） ;为
所有其他情况下， 3脚应悬空。该
欠压锁定和启动电路提供欠压
出保护在驱动MOSFET时。
1.5A高速30V MOSFET驱动器
应用
小型电机驱动
功率MOSFET驱动器
驾驶双极晶体管
封装类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
V
DD
1
8 V
DD
IN 2
7 OUT
TC4431
LOCK DIS 3
6 OUT
GND 4
5 GND
2
7
反相
6
V
DD
1
8 V
DD
IN 2
7 OUT
TC4432
LOCK DIS 3
6 OUT
GND 4
5 GND
2
7
6
非反相
2003 Microchip的技术公司
DS21424C第1页
TC4431/TC4432
1.0
电动
特征
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
电源电压................................................ 36V .......
输入电压（注
1)...................
V
DD
+ 0.3V至GND
封装功耗（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
CERDIP ................................................. ...... 800毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
最高结温，T
J
................ +150°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
30V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
（注1 ）
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注2 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
起动阈值
辍学阈值
注1 ：
2:
3:
I
S
V
S
V
DO
—
—
—
7
2.5
0.3
8.4
7.7
4
0.4
10
—
mA
V
V
注3
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
25
33
62
78
40
50
80
90
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
– 1.0
—
—
—
—
—
V
DD
– 0.8
—
7
3.0
1.5
0.3
—
0.025
10
—
—
—
V
V
A
A
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 30V
资料来源： V
DD
= 30V
水槽： V
DD
= 30V
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒
I
OUT
= 100毫安
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
-1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
12V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
对于输入>12V ，串联在输入端加一个1 kΩ电阻。请参阅“典型特征”图形输入
电流。
由设计确保开关时间。
对于低于7V操作，引脚3 （ LOCK DIS ）应接地以禁用闭锁和启动
电路，否则，销3
必须
悬空。
2003 Microchip的技术公司
DS21424C第3页
TC4431/TC4432
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
30V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流（注
1)
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
开关时间（注2 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
起动阈值
辍学阈值
注1 ：
2:
3:
I
S
V
S
V
DO
—
—
—
7
—
—
8.4
7.7
6
0.7
10
—
mA
V
V
注3
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
—
—
60
70
100
110
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
纳秒
图4-1
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 1.2
—
—
—
—
—
—
0.025
12
V
V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 30V
I
OUT
= 100毫安
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
-10
—
—
—
—
0.8
10
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
12V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
对于输入>12V ，串联在输入端加一个1 kΩ电阻。请参阅“典型特征”图形输入
电流。
由设计确保开关时间。
对于低于7V操作，引脚3 （ LOCK DIS ）应接地以禁用闭锁和启动税务局局长
扣器，否则，销3
必须
悬空。
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，所有参数适用于4.5V
≤
V
DD
≤
30V.
参数
温度范围
规定温度范围（ C）
规定温度范围（ E）
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻，8 - SOIC
热阻，8 - PDIP
热阻，8 - CERDIP
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
155
125
150
—
—
—
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
T
A
T
A
T
J
T
A
0
-40
—
-65
—
—
—
—
+70
+85
+150
+150
C
C
C
C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
DS21424C第4页
2003 Microchip的技术公司
TC4431/TC4432
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
30V.
60
VDD = 12V
50
40
30
900千赫
20
10
0
100
200千赫
20千赫
1000
C
负载
（PF ）
10,000
600千赫
2兆赫
125
100
75
50
25
0
3
6
9
12
15 18
V
DD
(V)
21
24
27
30
t
上升
t
秋天
150
C
负载
= 1000 pF的
T
A
= +25
°
C
I
供应
（MA ）
时间（纳秒）
图2-1：
容性负载。
50
45
电源电流与
图2-3：
上升/下降时间与V
DD
.
300
250
tD1
200
150
tD2
C
负载
= 1000 pF的
T
A
= +25
°
C
输入电流（mA ）
40
35
30
25
20
15
10
5
0
3
6
9
12 15 18 21 24
输入电压（V
IN
)
27
30
与1K的RES 。
无1K的RES 。
时间（纳秒）
100
50
0
3
6
9
12
15 18
V
DD
(V)
21
24
27
30
图2-2：
电压。
输入电流与输入
图2-4：
t
D1
和T
D2
DELAY与V
DD
.
2003 Microchip的技术公司
DS21424C第5页
1
TC4431
TC4432
1.5A高速30V MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
高峰值输出电流1.5A ...............................
宽工作范围............................. 5V至30V
高容性负载
驱动能力......................... 1000 pF的25nsec
短延迟时间................................ <78nsec典型值
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入................................. 2.5毫安
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 300
A
低输出阻抗....................................... 7
闭锁保护..........能够承受>300毫安
反向电流
ESD保护................................................ .... 4千伏
概述
在TC4431 / 4432顷30V CMOS缓冲器/驱动器suit-
能够在高边驱动器的应用中使用。他们不会
其功率和电压范围内，任何情况下闭锁
收视率。他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，同比增长
以反向电流（无论极性）被迫300毫安
返回到输出端。所有终端得到充分保护
对达静电放电4kV的。
欠压锁定电路强制输出到
"low"状态，当输入电源电压低于7V 。
最大启动V
DD
偏置电压阈值为10V 。为
工作在较低的电压下， LOCK DIS ，引脚3可
接地，以禁用闭锁和启动电路。该
欠压锁定和启动电路提供欠压
保护在驱动MOSFET时。
2
3
4
5
6
7
6
s
s
s
订购信息
产品型号
TC4431COA
TC4431CPA
TC4431EJA
TC4431EOA
TC4431EPA
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
产品型号
TC4432COA
TC4432CPA
TC4432EJA
TC4432EOA
TC4432EPA
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
功能框图
8
V
DD
3
UV LOCK
2毫安
LOCK DIS 。
倒
TC4431
OUT
OUT
7
输入
2
250mV
非倒
TC4432
TC4431/32
反相/同相
GND
4, 5
有效
输入
C = 10pF的
TC4431 / 2-8 96年10月21日
8
4-257
TELCOM半导体，INC。的
1.5A高速30V MOSFET驱动器
TC4431
TC4431
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ............ 36V
输入电压（注1 ） ........................ V
DD
+ 0.3V至GND
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 250 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 75 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本........................................... - 40 ° C至+ 85°C
封装功耗（T
A
≤
70°C )
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
T
A
= + 25°C 5.0
≤
V
DD
≤
30V，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流（注1 ）
高输出电压
低输出电压
输出电阻（V
OL
)
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
起动阈值
辍学阈值
2.4
—
–1
V
DD
– 1.0
—
—
—
—
0.3
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
V
V
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
（ 16V MAX）
I
OUT
= 100毫安
V
DD
= 30V ，我
O
= 10毫安
资料来源： V
DD
= 30V
水槽： V
DD
= 30V
占空比
≤
2%
t
≤
300
微秒
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
（注3）
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
– 0.8
—
—
0.025
7
10
3.0
—
1.5
—
—
—
开关时间
（注2 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
—
7
25
33
62
78
2.5
0.3
8.4
7.7
40
50
80
90
4
0.4
10
—
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
V
V
电源
I
S
V
S
V
DO
4-258
TELCOM半导体，INC。的
1.5A高速30V MOSFET驱动器
TC4431
TC4432
电气特性（续） ：
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流（注1 ）
2.4
—
–1
V
DD
– 1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.4
7.7
—
0.8
1
—
0.025
12
60
70
100
110
6
0.7
10
—
V
V
A
V
V
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
V
V
1
技术指标测量在工作温度范围
与5.0V
≤
V
DD
≤
30V，除非另有规定。
民
典型值
最大
单位
参数
测试条件
2
3
4
5
6
7
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
（ 16V MAX）
I
OUT
= 100毫安
V
DD
= 30V ，我
O
= 10毫安
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
（注3）
产量
V
OH
高输出电压
V
OL
低输出电压
R
O
输出电阻
开关时间
（注2 ）
t
R
上升时间
t
F
下降时间
t
D1
延迟时间
t
D2
延迟时间
电源
I
S
V
S
V
DO
电源电流
起动阈值
辍学阈值
注意事项：
1.对于输入>16V ，串联在输入端加一个1kΩ电阻。请参阅第4页的输入电流的曲线图。
2.切换的时间由设计保证。
3.对于低于7V操作， LOCK DIS 。 ， 3脚可接地禁用闭锁和启动电路。
销刀豆网络gurations
VDD 1
IN 2
LOCK DIS 3
GND 4
8 VDD
7 OUT
VDD 1
IN 2
LOCK DIS 3
GND 4
7
8 VDD
7 OUT
TC4431
6 OUT
5 GND
7
6
TC4432
6 OUT
5 GND
2
2
反相
6
同相
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
8
TELCOM半导体，INC。的
4-259
M
特点
TC4431/TC4432
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
V
DD
1
IN 2
LOCK DIS 3
GND 4
8 V
DD
1.5A高速30V MOSFET驱动器
高峰值输出电流 - 1.5A
宽工作范围
- 4.5V至30V
高容性负载驱动能力 - 1000pF的
在25nsec
短延迟时间 - <78nsec典型。
低电源电流：
- 对于逻辑"1"输入 - 2.5毫安
- 对于逻辑"0"输入 - 300μA
低输出阻抗 - 7
闭锁保护：可承受>300毫安
反向电流
ESD保护 - 为4kV
TC4431
7 OUT
6 OUT
5 GND
7
6
2
反相
V
DD
1
IN 2
LOCK DIS 3
8 V
DD
TC4432
7 OUT
6 OUT
5 GND
应用
GND 4
2
7
6
同相
器件选型表
产品型号
TC4431COA
TC4431CPA
TC4431EJA
TC4431EOA
TC4431EPA
TC4432COA
TC4432CPA
TC4432EJA
TC4432EOA
TC4432EPA
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
概述
在TC4431 / TC4432是30V CMOS缓冲器/驱动器
适合在高边驱动器的应用中使用。他们
在任何条件下不会锁定他们的权力范围内
和额定电压。他们能够接受，而不会损坏
或逻辑混乱，高达反向电流300mA（对任
极性）被迫返回到输出端。所有
终端完全免受高达4kV的
静电放电。
欠压锁定电路强制输出到
当输入电源电压低于"low"状态
7V 。为了在更低的电压运行，禁用锁定
和启动电路由接地引脚3 （ LOCK DIS ） ;为
所有其他情况下，引脚3 （ LOCK DIS ）应留
浮动。欠压锁定和启动电路
在驱动MOSFET时，给出了欠压保护。
2002年Microchip的科技公司
DS21424B第1页
TC4431/TC4432
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ 36V .......
输入电压（注1 ） .................... V
DD
+ 0.3V至GND
封装功耗（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730mW
CERDIP ................................................. .. 800mW的
SOIC ................................................. ....... 470mW
封装热阻
CERDIP
θ
J- á
........................................ 150 ° C / W
CERDIP
θ
J-
......................................... 50 ° C / W
PDIP
θ
J- á
............................................. 125°C / W
PDIP
θ
J-
............................................... 42℃ / W
SOIC
θ
J- á
............................................ 250 ° C / W
SOIC
θ
J-
.............................................. 75 ° C / W
工作温度范围
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
版本..................................... -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC4431 / TC4432电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
30V，除非另有说明..
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
起动阈值
辍学阈值
1:
2:
3:
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流（注1 ）
2.4
—
-1
V
DD
– 1.0
—
—
—
—
0.3
—
—
—
V
DD
– 0.8
—
7
3.0
1.5
—
—
0.8
1
—
0.025
10
—
—
—
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
12V
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 30V
资料来源： V
DD
= 30V
水槽： V
DD
= 30V
占空比
≤
2%, t
≤
300
美国证券交易委员会
V
V
A
A
开关时间
（注2 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
V
S
V
DO
记
—
—
—
—
—
—
—
7
25
33
62
78
2.5
0.3
8.4
7.7
40
50
80
90
4
0.4
10
—
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
V
V
图3-1
图3-1
图3-1
图3-1
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
注3
电源
对于输入>12V ，加1K
电阻器串联在输入。请参阅“典型特征”图形的输入电流。
由设计确保开关时间。
对于低于7V动作，销3 （LOCK DIS）应该连接到地，以禁用闭锁和启动电路，否则，销3
必须
留
浮动。
2002年Microchip的科技公司
DS21424B第3页
TC4431/TC4432
TC4431 / TC4432电气规范（续）
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
30V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
V
S
V
DO
记
1:
2:
3:
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流（注1 ）
高输出电压
低输出电压
输出电阻
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
起动阈值
辍学阈值
2.4
—
-1
V
DD
– 1.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8.4
7.7
—
0.8
1
—
0.025
10
60
70
100
110
6
0.7
10
—
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
12V
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 30V
图3-1
图3-1
图3-1
图3-1
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
注3
V
V
开关时间
（注2 ）
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
V
V
电源
对于输入>12V ，加1K
电阻器串联在输入。请参阅“典型特征”图形的输入电流。
由设计确保开关时间。
对于低于7V动作，销3 （LOCK DIS）应该连接到地，以禁用闭锁和启动电路，否则，销3
必须
留
浮动。
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