TC4426/TC4427/TC4428
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
产品特点：
高峰值输出电流 - 1.5A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力 - 1000 pF的
在25纳秒（典型值）。
短延迟时间 - 40 ns（典型值）。
匹配的上升和下降时间
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 4毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 400
μA
低输出阻抗 - 7
闭锁保护：可承受0.5A的反向
当前
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护 - 4千伏
与TC426 / TC427 / TC428引脚兼容
节省空间的8引脚MSOP和8引脚6x5 DFN
套餐
概述：
在TC4426 / TC4427 / TC4428是改良版
早前TC426 / TC427 / TC428系列MOSFET的
驱动程序。在TC4426 / TC4427 / TC4428器件
当充电和匹配的上升和下降时间
放电MOSFET的栅极。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时，最多噪声的5V spik-
荷兰国际集团（任一极性）发生在接地引脚。他们
可以接受，不会损坏或逻辑混乱，达
500mA的反向电流（无论极性）是
被迫返回到输出端。所有的终端都完全
防止静电放电（ ESD ）高达
4千伏。
可以在TC4426 / TC4427 / TC4428 MOSFET驱动器
易充/放电1000pF的栅极电容
在30纳秒。这些器件提供足够低的
同时在开启和关闭状态的阻抗，以确保
MOSFET的预期状态也不会受到影响，甚至
大的瞬变。
其它兼容的驱动程序是TC4426A / TC4427A /
TC4428A系列器件。该TC4426A / TC4427A /
TC4428A器件匹配的领先和下降
边的输入至输出的延迟时间，除了
在TC4426 / TC4427匹配的上升和下降时间/
TC4428器件。
应用范围：
开关电源
线路驱动器
脉冲变压器驱动
封装类型
8引脚MSOP /
PDIP / SOIC TC4426 TC4427 TC4428
NC
IN A
GND
IN B
1
8
NC
2
TC4426
7
OUT A
3
TC4427
6
V
DD
4
TC4428
5
OUT B
8引脚DFN
(1)
NC
1
8
TC4426 TC4427 TC4428
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
IN A
2
GND
3
TC4426
TC4427
TC4428
7
6
5
IN B
4
注1 ：
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
2006年Microchip的科技公司
DS21422D第1页
TC4426/TC4427/TC4428
功能框图
反相
1.5毫安
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 12 pF的
（每个输入）
GND
4.7V
非反相
TC4426/TC4427/TC4428
注1 ：
TC4426具有两个反相驱动器，而TC4427有两个非反相
驱动程序。该TC4428有一个反相和一个非反相驱动器。
2:
地面未使用的驱动器输入。
DS21422D第2页
2006年Microchip的科技公司
TC4426/TC4427/TC4428
1.0
电动
特征
引脚功能表
名字
NC
IN A
GND
IN B
OUT B
V
DD
OUT A
NC
输入A
地
输入B
OUTPUT B
电源输入
OUTPUT A
无连接
功能
无连接
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 22V
输入电压，单位为A或B中的
..................................... (V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
≤
70°C)
DFN ................................................. .............
注3
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
最高结温...................... + 150°C
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 ：
2:
3:
I
S
—
—
—
—
4.5
0.4
mA
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
19
19
20
40
30
30
30
50
ns
ns
ns
ns
图4-1
图4-1
图4-1
图4-1
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
7
1.5
> 0.5
—
0.025
10
—
—
V
V
Ω
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
DD
= 18V
占空比
≤
2%, t
≤
300
μs
V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
-1.0
—
—
—
—
0.8
+1.0
V
V
μA
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
注2
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
对于V温度范围内的设备，在V
IH
（最小值）限为2.0V 。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
2006年Microchip的科技公司
DS21422D第3页
TC4426/TC4427/TC4428
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
100
100
2200 pF的
80
2200 pF的
80
1500 pF的
TFALL （纳秒）
1500 pF的
60
TRISE （纳秒）
60
1000 pF的
40
1000 pF的
40
470 pF的
20
20
470 pF的
100 pF的
100 pF的
0
0
4
6
8
10
12
VDD
(V)
14
16
18
4
6
8
10
12
Vdd的（V）的
14
16
18
图2-1：
电压。
100
上升时间与供应
图2-4：
电压。
100
下降时间与供应
5V
5V
80
80
10V
15V
40
TFALL （纳秒）
TRISE （纳秒）
60
60
10V
15V
40
20
20
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
图2-2：
负载。
60
上升时间与电容
图2-5：
负载。
80
75
70
65
60
55
50
45
40
35
30
25
20
4
6
8
下降时间 - 容性
传播延迟（纳秒）
C加载= 1000 pF的
C
负载
= 1000 pF的
V
IN
= 5V
50
时间（纳秒）
VDD = 17.5V
40
t
D2
30
TFALL
20
素养
t
D1
10
–55 –35 –15
10
12
14
16
18
5
25 45 65
温度（℃）
85
105 125
V
DD
(V)
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
电源电压。
传输延迟时间 -
2006年Microchip的科技公司
DS21422D第5页
TC4426
TC4427
TC4428
1.5A双高速，功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流1.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力........................ 1000 pF的25纳秒
短延迟时间................................ <40nsec典型值
一致的延迟时间的变化
电源电压
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入.................................... 4毫安
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 400
A
低输出阻抗....................................... 7
闭锁保护：可承受>0.5A
反向电流.................................下到 - 5V
输入端可承受的负输入端
ESD保护................................................ .....为4kV
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
1
概述
的TC4426 / 4428分之4427得到改进的版本
早期TC426 / 428分之427家庭缓冲/驱动器（与
它们是引脚兼容的） 。他们不会在任何闭锁
在其功率和电压的条件。他们是
不受最多时的噪声尖峰5V （中损坏
任一极性）上发生的接地插针。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，高达反向500mA的
电流（无论极性）被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，免受高达4kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC4426 / 4428分之4427可以很容易地
开关1000 pF的栅极电容下30nsec ，并
提供足够低的阻抗，同时在开和关
国家确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。
其它兼容的驱动程序是TC4426A / 27A / 28A 。
这些司机都匹配的输入到输出的前沿
和下降沿延迟， TD1和TD2 ，用于处理短
宽度的脉冲，在25毫微秒范围内。他们是针
与TC4426兼容/ 28分之27 。
功能框图
V
DD
反相
输出
2
3
4
5
产量
s
s
s
s
s
订购信息
产品型号
TC4426COA
TC4426CPA
TC4426EOA
TC4426EPA
TC4426MJA
TC4427COA
TC4427CPA
TC4427EOA
TC4427EPA
TC4427MJA
TC4428COA
TC4428CPA
TC4428EOA
TC4428EPA
TC4428MJA
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
300毫伏
同相
输出
6
7
输入
4.7V
TC4426/TC4427/TC4428
GND
有效投入
C≤ 12 pF的
注意事项：
1.TC4426有2个反相驱动器; TC4427拥有2相驱动器。
2. TC4428有一个反相和同相1驱动程序。
3，地面未使用的驱动器输入。
8
TC4426/7/8-8
10/21/96
TELCOM半导体，INC。的
4-245
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中。 （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2
7
8 NC
7 OUT A
TC4426
6 V
DD
5 OUT B
TC4427
6 VDD
5 OUT B
TC4428
6 VDD
5 OUT B
2,4
7,5
2,4
7,5
4
5
反相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
同相
迪FF erential
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
—
—
—
—
—
7
1.5
—
—
0.8
1
—
0.025
10
—
—
V
V
A
V
V
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
30
微秒
占空比
≤
2%
t
≤
30
微秒
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
19
19
20
40
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
电源
I
S
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-246
TELCOM半导体，INC。的
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
电气特性（续） ：
技术指标测量在工作温度
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
—
—
—
—
—
9
1.5
—
—
0.8
10
—
0.025
12
—
—
V
V
A
V
V
A
A
1
范围4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
民
典型值
最大
单位
参数
测试条件
2
3
4
5
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
300sec
值班cycle≤ 2 ％
t
≤
300sec
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
40
40
60
8
0.6
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
电源
I
S
注意：
1.切换的时间由设计保证。
10
–8
9
8
7
6
5
交叉能量损失
+5V
输入
0V
10%
tD1
90%
90%
VDD = 18V
4.7 F
0.1 F
tF
tD2
A秒
4
3
输入
VDD
产量
tR
90%
6
2,4
5,7
0V
产量
10%
10%
2
CL = 1000 pF的
反相驱动器
6
t
F
+5V
输入
90%
10
–9
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
3
0V
VDD
输入： 100 kHz时，方波，
TRISE = TFALL
≤
10ns
10%
90%
90%
tD2
10%
tD1
热降额曲线
1600
1400
8引脚DIP
8引脚CERDIP
1000
800
8引脚SOIC
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
产量
0V
10%
tR
MAX 。功率（ mW）的
同相驱动器
7
1200
图1.开关时间测试电路
注意：
在此图中的数值表示看到两位车手在包丢失
在一个完整的周期。对于单个驱动器，除以2的规定值，对于一个
单个驱动器的单个过渡，除以4所述值。
环境温度（ ℃）
8
TELCOM半导体，INC。的
4-247
TC4426
TC4427
TC4428
1.5A双高速，功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流1.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力........................ 1000 pF的25纳秒
短延迟时间................................ <40nsec典型值
一致的延迟时间的变化
电源电压
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入.................................... 4毫安
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 400
A
低输出阻抗....................................... 7
闭锁保护：可承受>0.5A
反向电流.................................下到 - 5V
输入端可承受的负输入端
ESD保护................................................ .....为4kV
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
1
概述
的TC4426 / 4428分之4427得到改进的版本
早期TC426 / 428分之427家庭缓冲/驱动器（与
它们是引脚兼容的） 。他们不会在任何闭锁
在其功率和电压的条件。他们是
不受最多时的噪声尖峰5V （中损坏
任一极性）上发生的接地插针。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，高达反向500mA的
电流（无论极性）被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，免受高达4kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC4426 / 4428分之4427可以很容易地
开关1000 pF的栅极电容下30nsec ，并
提供足够低的阻抗，同时在开和关
国家确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。
其它兼容的驱动程序是TC4426A / 27A / 28A 。
这些司机都匹配的输入到输出的前沿
和下降沿延迟， TD1和TD2 ，用于处理短
宽度的脉冲，在25毫微秒范围内。他们是针
与TC4426兼容/ 28分之27 。
功能框图
V
DD
反相
输出
2
3
4
5
产量
s
s
s
s
s
订购信息
产品型号
TC4426COA
TC4426CPA
TC4426EOA
TC4426EPA
TC4426MJA
TC4427COA
TC4427CPA
TC4427EOA
TC4427EPA
TC4427MJA
TC4428COA
TC4428CPA
TC4428EOA
TC4428EPA
TC4428MJA
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
300毫伏
同相
输出
6
7
输入
4.7V
TC4426/TC4427/TC4428
GND
有效投入
C≤ 12 pF的
注意事项：
1.TC4426有2个反相驱动器; TC4427拥有2相驱动器。
2. TC4428有一个反相和同相1驱动程序。
3，地面未使用的驱动器输入。
8
TC4426/7/8-8
10/21/96
TELCOM半导体，INC。的
4-245
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中。 （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2
7
8 NC
7 OUT A
TC4426
6 V
DD
5 OUT B
TC4427
6 VDD
5 OUT B
TC4428
6 VDD
5 OUT B
2,4
7,5
2,4
7,5
4
5
反相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
同相
迪FF erential
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
—
—
—
—
—
7
1.5
—
—
0.8
1
—
0.025
10
—
—
V
V
A
V
V
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
30
微秒
占空比
≤
2%
t
≤
30
微秒
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
19
19
20
40
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
电源
I
S
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-246
TELCOM半导体，INC。的
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
电气特性（续） ：
技术指标测量在工作温度
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
—
—
—
—
—
9
1.5
—
—
0.8
10
—
0.025
12
—
—
V
V
A
V
V
A
A
1
范围4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
民
典型值
最大
单位
参数
测试条件
2
3
4
5
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
300sec
值班cycle≤ 2 ％
t
≤
300sec
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
40
40
60
8
0.6
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
电源
I
S
注意：
1.切换的时间由设计保证。
10
–8
9
8
7
6
5
交叉能量损失
+5V
输入
0V
10%
tD1
90%
90%
VDD = 18V
4.7 F
0.1 F
tF
tD2
A秒
4
3
输入
VDD
产量
tR
90%
6
2,4
5,7
0V
产量
10%
10%
2
CL = 1000 pF的
反相驱动器
6
t
F
+5V
输入
90%
10
–9
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
3
0V
VDD
输入： 100 kHz时，方波，
TRISE = TFALL
≤
10ns
10%
90%
90%
tD2
10%
tD1
热降额曲线
1600
1400
8引脚DIP
8引脚CERDIP
1000
800
8引脚SOIC
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
产量
0V
10%
tR
MAX 。功率（ mW）的
同相驱动器
7
1200
图1.开关时间测试电路
注意：
在此图中的数值表示看到两位车手在包丢失
在一个完整的周期。对于单个驱动器，除以2的规定值，对于一个
单个驱动器的单个过渡，除以4所述值。
环境温度（ ℃）
8
TELCOM半导体，INC。的
4-247
TC4426
TC4427
TC4428
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流1.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力.......................... 1000pF的在25nsec
短延迟时间.............................. < 40nsec典型。
一致的延迟时间的变化
电源电压
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入.................................... 4毫安
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 400
A
低输出阻抗....................................... 7
闭锁保护.............可承受>0.5A
反向电流.................................下到 - 5V
输入端可承受的负输入端
ESD保护................................................ .....为4kV
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
概述
的TC4426 / 4428分之4427得到改进的版本
早期TC426 / 428分之427家庭缓冲/驱动器（与
它们是引脚兼容的） 。他们不会在任何闭锁
在其功率和电压的条件。他们是
不受最多时的噪声尖峰5V （中损坏
任一极性）上发生的接地插针。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，高达500反向毫安
电流（无论极性）被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，免受高达4kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC4426 / 4428分之4427可以很容易地
切换1000pF的栅极电容下30nsec ，并
提供足够低的阻抗，同时在开和关
国家确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。
其它兼容的驱动程序是TC4426A / 27A / 28A 。
这些司机都匹配的输入到输出的前沿
和下降沿延迟， TD1和TD2 ，用于处理短
宽度的脉冲，在25毫微秒范围内。他们是引脚相容
IBLE与TC4426 / 28分之27 。
功能框图
V
DD
反相
输出
s
s
s
s
s
订购信息
产品型号
TC4426COA
TC4426CPA
TC4426EOA
TC4426EPA
TC4426MJA
TC4427COA
TC4427CPA
TC4427EOA
TC4427EPA
TC4427MJA
TC4428COA
TC4428CPA
TC4428EOA
TC4428EPA
TC4428MJA
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
300毫伏
产量
同相
输出
输入
4.7V
TC4426/TC4427/TC4428
GND
有效投入
C≤ 12 pF的
注意事项：
1.TC4426有2个反相驱动器; TC4427拥有2相驱动器。
2. TC4428有一个反相和同相1驱动程序。
3，地面未使用的驱动器输入。
2001 Microchip的技术公司
DS21422A
TC4426/7/8-8
10/21/96
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中。 （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2
7
8 NC
7 OUT A
TC4426
6 V
DD
5 OUT B
TC4427
6 VDD
5 OUT B
TC4428
6 VDD
5 OUT B
2,4
7,5
2,4
7,5
4
5
反相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
同相
迪FF erential
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
参数
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
测试条件
民
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
典型值
—
—
—
—
—
7
1.5
—
最大
—
0.8
1
—
0.025
10
—
—
单位
V
V
A
V
V
A
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
30sec
占空比
≤
2%
t
≤
30
微秒
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
2
开关时间
（注1 ）
t
R
上升时间
t
F
下降时间
t
D1
延迟时间
t
D2
延迟时间
电源
I
S
电源电流
—
—
—
—
—
—
19
19
20
40
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
TC4426/7/8-8
10/21/96
2001 Microchip的技术公司
DS21422A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
TC4426
TC4427
TC4428
电气特性：
技术指标测量在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
测试条件
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
参数
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
民
2.4
—
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
> 0.5
典型值
—
—
—
—
—
9
1.5
—
最大
—
0.8
10
—
0.025
12
—
—
单位
V
V
A
V
V
A
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
占空比
≤
2%, t
≤
300sec
值班cycle≤ 2 ％
t
≤
300sec
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
上升时间
t
F
下降时间
t
D1
延迟时间
t
D2
延迟时间
电源
I
S
电源电流
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
40
40
60
8
0.6
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
–8
10
9
8
7
6
5
交叉能量损失
+5V
输入
0V
10%
90%
A秒
4
3
VDD = 18V
4.7 F
0.1 F
tD1
90%
tF
tD2
VDD
tR
90%
产量
6
2
输入
2,4
5,7
0V
10%
10%
产量
CL = 1000 pF的
反相驱动器
+5V
–9
10
90%
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
3
输入
0V
VDD
输入： 100 kHz时，方波，
TRISE = TFALL
≤
10ns
10%
90%
90%
tD2
10%
热降额曲线
1600
1400
8引脚DIP
8引脚CERDIP
1000
800
8引脚SOIC
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
tD1
产量
0V
10%
tR
t
F
MAX 。功率（ mW）的
1200
同相驱动器
图1.开关时间测试电路
注意：
在此图中的数值表示看到两位车手在包丢失
在一个完整的周期。对于单个驱动器，除以2的规定值，对于一个
单个驱动器的单个过渡，除以4所述值。
环境温度（ ℃）
2001 Microchip的技术公司
DS21422A
3
TC4426/7/8-8
10/21/96
QQ：2881677436 复制
