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TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
产品特点:
高峰值输出电流 - 1.5A
宽输入电源电压工作范围:
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力 - 1000 pF的
在25纳秒(典型值)。
短延迟时间 - 30 ns(典型值)。
匹配的上升,下降和延迟时间
低电源电流:
- 对于逻辑“1”输入 - (典型值) 1毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 100
μA
(典型值)。
低输出阻抗 - 7Ω (典型值)。
闭锁保护:可承受0.5A的反向
当前
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护 - 4千伏
与TC426 / TC427 / TC428和引脚兼容
TC4426/TC4427/TC4428
节省空间的8引脚MSOP和8引脚6x5 DFN
套餐
概述:
该TC4426A / TC4427A / TC4428A得到改善
早先TC4426 / TC4427 / TC4428系列的版本
的MOSFET驱动器。除了匹配的上升和下降
次, TC4426A / TC4427A / TC4428A器件有
匹配领先和下降沿传输延迟
次。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时,最多噪声的5V
扣球(任一极性)发生在接地引脚。
他们能够接受,而不会损坏或逻辑混乱,达
500mA的反向电流(无论极性)是
被迫返回到输出端。所有的终端都完全
防止静电放电( ESD )高达
4千伏。
该TC4426A / TC4427A / TC4428A MOSFET驱动器
可以
容易
充电/放电
1000 pF的
电容在30纳秒。这些器件提供
足够低的阻抗,同时在开和关状态,以
确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响,即使是大的瞬变。
应用范围:
开关电源
线路驱动器
脉冲变压器驱动
封装类型
8引脚MSOP /
PDIP / SOIC TC4426A TC4427A TC4428A
NC
IN A
GND
IN B
1
8
NC
2
TC4426A
7
OUT A
3
TC4427A
6
V
DD
4
TC4428A
5
OUT B
8引脚DFN
(1)
TC4426A TC4427A TC4428A
NC
1
IN A
2
GND
3
IN B
4
TC4426A
TC4427A
TC4428A
8
7
6
5
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
注1 :
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
2006年Microchip的科技公司
DS21423F第1页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
功能框图
反相
500
μA
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 12 pF的
(每个输入)
GND
4.7V
非反相
TC4426A/TC4427A/TC4428A
注1 :
TC4426A有两个反相驱动器,而TC4427A有两个非反相
驱动程序。该TC4428A具有一个反相和一个非反相驱动器。
2:
地面未使用的驱动器输入。
DS21423F第2页
2006年Microchip的科技公司
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.0
电动
特征
注意:
注意,超出上述绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件表示
在操作规范的部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值?
电源电压................................................ ..... + 22V
输入电压,单位为A或B中的
..................................... (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5V )
封装功耗(T
A
70°C)
DFN ................................................. .............
注2
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 0.025
7
7
8
8
1.5
> 0.5
0.025
9
10
11
12
V
V
Ω
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V ,T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C
V
DD
= 18V
占空比
2%, t
300
微秒
V
DD
= 18V
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C,
图4-1
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入) ,V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
–1.0
–10
0.8
+1.0
+10
V
V
μA
0V
V
IN
V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
I
PK
I
A
A
t
R
25
27
29
30
25
27
29
30
30
33
35
38
30
33
35
38
1.0
0.1
35
40
40
40
35
40
40
40
35
40
45
50
35
40
45
50
2.0
0.2
ns
下降时间
t
F
ns
延迟时间
t
D1
ns
延迟时间
t
D2
ns
电源
电源电流
注1 :
2:
I
S
mA
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
2006年Microchip的科技公司
DS21423F第3页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于4.5V
V
DD
18V.
参数
温度范围
规定温度范围( C)
规定温度范围( E)
规定温度范围( V)
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻,8引脚6x5 DFN
热阻,8 - MSOP
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
33.2
206
125
155
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
J
T
A
0
-40
-40
-65
+70
+85
+125
+150
+150
°C
°C
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
DS21423F第4页
2006年Microchip的科技公司
TC4426A/TC4427A/TC4428A
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V.
100
80
t
上升
(纳秒)
C
L
= 2200 pF的
T
A
= +25
°
C
100
80
t
秋天
(纳秒)
C
L
= 2200pF
C
L
= 2200 pF的
T
A
= +25
°
C
60
40
20
0
5.0
C
L
= 100 pF的
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 470 pF的
60
40
20
C
L
= 100 pF的
0
5.0
7.5
CL = 100pF的
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 470 pF的
7.5
10.0
12.5
V
DD
(V)
15.0
17.5
10.0
12.5
V
DD
(V)
15.0
17.5
图2-1:
电压。
上升时间与供应
图2-4:
电压。
下降时间与供应
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
1
2
延迟时间(纳秒)
t
D1
60
延迟时间(纳秒)
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 10V
55
50
45
40
35
30
25
20
t
D2
t
D1
C
L
= 1000 pF的
t
D2
3
4
5
6
7
输入幅值( V)
8
9
0
5
10
V
DD
(V)
15
20
图2-2:
幅度。
延迟时间 - 输入
图2-5:
电源电压。
传输延迟时间 -
28
延迟时间(纳秒)
26
时间(纳秒)
24
22
20
18
16
14
-100
t
上升
t
秋天
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
40
35
30
25
t
D2
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
20
15
-100
t
D1
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
温度(
°
C)
温度(
°
C)
图2-3:
温度。
上升和下降时间与
图2-6:
温度。
传输延迟时间 -
2006年Microchip的科技公司
DS21423F第5页
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