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TC4426AM/TC4427AM/TC4428AM
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流: 1.5A
宽输入电源电压工作范围:
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力:
- 1000 pF的25纳秒(典型值)。
短延迟时间: 30 ns(典型值)。
匹配的上升,下降和延迟时间
低电源电流:
- 对于逻辑“1”输入 - (典型值) 1毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 100 μA (典型值)。
输出阻抗低: 7Ω (典型值)。
闭锁保护:可承受0.5A的反向
当前
输入:可承受的负输入高达5V
ESD保护: 4 kV的
与引脚兼容
TC426M / TC427M / TC428M和
TC4426M/TC4427M/TC4428M
宽工作温度范围:
- -55 ° C至+ 125°C
见TC4426A / TC4427A / TC4428A数据表
( DS21423 )进行额外的温度范围,
包装产品
概述
该TC4426AM / TC4427AM / TC4428AM得到改善
早前TC4426M / TC4427M / TC4428M版本
系列MOSFET驱动器。除了匹配的上升
时间和下降时间,该TC4426AM / TC4427AM / TC4428AM
设备已经匹配的领先和下降沿
传播延迟时间。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时,最多噪声的5V
扣球(任一极性)发生在接地引脚。
他们能够接受,而不会损坏或逻辑混乱,达
500mA的反向电流(无论极性)是
被迫返回到输出端。所有的终端都完全
防止静电放电( ESD )高达
4千伏。
该TC4426AM / TC4427AM / TC4428AM MOSFET
驾驶者可以很容易地进行充电/放电1000pF的门
电容在30纳秒,同时提供低
够的阻抗同时在开启和关闭状态,以
确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响,即使是大的瞬变。
封装类型
8引脚CERDIP TC4426AM TC4427AM TC4428AM
NC 1
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
应用
开关模式电源
线路驱动器
脉冲变压器驱动
在一个2
GND 3
IN B 4
2005年Microchip的科技公司
TC4426AM
TC4427AM
TC4428AM
DS21939A第1页
TC4426AM/TC4427AM/TC4428AM
功能框图
反相
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 12 pF的
(每个输入)
GND
(2)
4.7V
非反相
TC4426AM/TC4427AM/TC4428AM
(1)
注1 :
该TC4426AM有两个反相驱动器;该TC4427AM有两个非反相驱动器;
该TC4428AM具有一个反相和一个非反相驱动器。
2:
地面未使用的驱动器输入。
DS21939A第2页
2005年Microchip的科技公司
TC4426AM/TC4427AM/TC4428AM
1.0
电动
特征
注意:
注意,超出上述"Absolute下上市
最大Ratings"可能会导致永久性损坏
装置。这些仅仅是极限参数和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在规范的操作部指示的是不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值?
电源电压................................................ ................ + 22V
输入电压,单位为A或B中的.......... (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5V )
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 :
I
S
1.0
0.1
2.0
0.2
mA
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入) ,V
DD
= 18V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
25
30
25
30
30
38
30
38
35
40
35
40
35
50
35
50
ns
ns
ns
ns
T
A
= +25°C
-55°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
-55°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
-55°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
-55°C
T
A
+125°C,
图4-1
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
V
DD
– 0.025
7
8
1.5
>0.5
0.025
9
12
A
A
V
V
Ω
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V ,T
A
= +25°C
-55°C
T
A
+125°C
V
DD
= 18V
占空比
2%, t
300 s
V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
-1.0
-10
0.8
+1.0
+10
V
V
A
0V
V
IN
V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于4.5V
V
DD
18V.
参数
温度范围
规定温度范围(M )
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻,8 - CERDIP
θ
JA
150
摄氏度/ W
T
A
T
J
T
A
-55
-65
+125
+150
+150
C
C
C
符号
典型值
最大
单位
条件
2005年Microchip的科技公司
DS21939A第3页
TC4426AM/TC4427AM/TC4428AM
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V.
100
80
t
上升
(纳秒)
C
L
= 2200 pF的
T
A
= +25
°
C
100
80
t
秋天
(纳秒)
C
L
= 2200pF
C
L
= 2200 pF的
T
A
= +25
°
C
60
40
20
0
5.0
C
L
= 100 pF的
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 470 pF的
60
40
20
C
L
= 100 pF的
0
5.0
7.5
CL = 100pF的
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 470 pF的
7.5
10.0
12.5
V
DD
(V)
15.0
17.5
10.0
12.5
V
DD
(V)
15.0
17.5
图2-1:
电压。
上升时间与供应
图2-4:
电压。
下降时间与供应
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
1
2
延迟时间(纳秒)
t
D1
60
延迟时间(纳秒)
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 10V
55
50
45
40
35
30
25
20
t
D2
t
D1
C
L
= 1000 pF的
t
D2
3
4
5
6
7
输入幅值( V)
8
9
0
5
10
V
DD
(V)
15
20
图2-2:
幅度。
延迟时间 - 输入
图2-5:
电源电压。
传输延迟时间 -
28
延迟时间(纳秒)
26
时间(纳秒)
24
22
20
18
16
14
-100
t
上升
t
秋天
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
40
35
30
25
t
D2
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
20
15
-100
t
D1
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
温度(
°
C)
温度(
°
C)
图2-3:
温度。
上升和下降时间与
图2-6:
温度。
传输延迟时间 -
DS21939A第4页
2005年Microchip的科技公司
TC4426AM/TC4427AM/TC4428AM
注意:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V.
30
25
T
A
= +125
°
C
T
A
= +25
°
C
30
25
T
A
= +125
°
C
R
DS ( ON)
(Ω)
R
DS ( ON)
(Ω)
20
15
10
5
0
0
20
15
10
5
0
T
A
= +25
°
C
5
10
V
DD
(V)
15
20
0
5
10
V
DD
(V)
15
20
图2-7:
性。
高态输出
图2-10:
性。
低态输出
60
50
I
供应
(MA )
C
L
= 2200 pF的
60
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
C
L
= 100 pF的
2兆赫
V
DD
= 18V
50
I
供应
(MA )
900千赫
40
30
20
10
0
0
500
1000
40
30
20
600千赫
200千赫
10
20千赫
0
1500
2000
2500
0
500
频率(kHz )
1000
1500
C
负载
(PF )
2000
2500
图2-8:
频率。
电源电流与
图2-11:
容性负载。
电源电流与
80
70
I
供应
(MA )
V
DD
= 12V
C
L
= 2200 pF的
80
70
I
供应
(MA )
V
DD
= 12V
2兆赫
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1500
频率(kHz )
1000
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 100 pF的
60
50
40
30
20
10
0
900千赫
600千赫
200千赫
20千赫
2000
2500
0
500
1000
1500
C
负载
(PF )
2000
2500
图2-9:
频率。
电源电流与
图2-12:
容性负载。
电源电流与
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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