TC4426A
TC4427A
TC4428A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流1.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力................. 1000 pF的25纳秒典型值
短延迟时间................................. 30纳秒典型值
匹配的上升，下降和延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入............................ 1毫安典型值
- 对于逻辑“ 0 ”输入......................... 100
一个典型值
低输出阻抗................................ 7
典型值
闭锁保护：可承受0.5A
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护................................................ .... 4千伏
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
1
概述
该TC4426A / 4427A / 4428A得到改善的版本
早前TC426 /四百二十八分之四百二十七家庭缓冲/驱动器（带
它们是引脚兼容的） 。他们不会在闭锁
在其功率和电压的任何条件。他们
不受最多时有噪声5V尖峰损坏（中
任一极性）上发生的接地插针。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，高达500反向毫安
电流（无论极性）被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，免受高达4 kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC4426A / 4427A / 4428A可以
轻松切换1000 pF的栅极电容在30纳秒，并
提供足够低的阻抗，同时在开和关
国家确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。
2
3
4
5
6
7
s
s
s
s
s
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
订购信息
产品型号
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
TC4426A
6 V
DD
5 OUT B
TC4427A
6 VDD
5 OUT B
TC4428A
6 VDD
5 OUT B
2
2,4
7,5
2,4
7,5
4
反相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
同相
7
TC4426ACOA
TC4426ACPA
TC4426AEOA
TC4426AEPA
TC4426AMJA
TC4427ACOA
TC4427ACPA
TC4427AEOA
TC4427AEPA
TC4427AMJA
TC4428ACOA
TC4428ACPA
TC4428AEOA
TC4428AEPA
TC4428AMJA
5
迪FF erential
功能框图
反相
输出
2毫安
300毫伏
V
DD
产量
同相
输出
输入
4.7V
TC4426A/TC4427A/TC4428A
GND
有效投入
C≤ 12 pF的
注意事项：
1. TC4426A有2个反相驱动器; TC4427A有2个同相的驱动程序。
2. TC4428A有一个反相和同相1驱动程序。
3，地面未使用的驱动器输入。
8
TC4426A / 7A / 8A- 9 96年10月21日
TELCOM半导体，INC。的
4-251
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426A
TC4427A
TC4428A
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中的.. （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V ，除非
另有规定ED 。
民
典型值
2.4
—
–1
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
0.5
参数
测试条件
最大
—
—
—
—
—
—
7
7
8
1.5
—
单位
—
0.8
1
10
—
0.025
9
10
11
—
—
V
V
A
– 0V
≤
V
IN
≤
V
DD
T
A
= 25°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
直流测试
直流测试
V
DD
= 18V ，我
O
= 10毫安
V
V
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°
≤
T
A
≤
85°C
V
DD
= 18V
I
PK
I
转
峰值输出电流
V
DD
= 18V
闭锁保护
占空比
≤
2%
承受反向电流T
≤
300sec
上升时间
图1
A
A
开关时间
（注1 ）
t
R
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
DD
= 18V
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
1.0
0.1
35
40
40
35
40
40
35
40
45
35
40
45
2.0
0.2
纳秒
t
F
下降时间
图1
纳秒
t
D1
延迟时间
图1
纳秒
t
D2
延迟时间
图1
纳秒
电源
I
S
电源电流
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-252
TELCOM半导体，INC。的
M
特点
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2,4
反相
7,5
8 NC
高峰值输出电流 - 1.5A
宽工作范围
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力 - 1000pF的
在25nsec典型。
短延迟时间 - 30nsec典型。
匹配的上升，下降和延迟时间
低电源电流：
- 对于逻辑"1"输入 - 1毫安
- 对于逻辑"0"输入 - 100μA
低输出阻抗 - 7
闭锁保护：可承受0.5A的反向
当前
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护 - 为4kV
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
TC4426A
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2
7
8 NC
TC4428A
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2,4
7,5
8 NC
TC4427A
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
4
迪FF erential
5
应用
同相
NC - 无内部连接。
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
概述
该TC4426A / TC4427A / TC4428A得到改善
早前TC426 / TC427 / TC428系列的版本
缓冲/驱动器（与它们的引脚兼容） 。
他们不会在任何情况下，锁定了他们的
功率和额定电压。它们不受
损坏最多时的噪声尖峰的5V （或者
极性）上发生的接地插针。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，高达反向500mA的
电流（无论极性）被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护，免受高达
4kV的静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC4426A / TC4427A /
TC4428A可以轻松地切换1000pF的栅极电容
下30nsec ，并提供足够低的阻抗
在ON和OFF状态既保证了
MOSFET的预期状态也不会受到影响，甚至
大的瞬变。
器件选型表
产品型号
TC4426ACOA
TC4426ACPA
TC4426AEOA
TC4426AEPA
TC4426AMJA
TC4427ACOA
TC4427ACPA
TC4427AEOA
TC4427AEPA
TC4427AMJA
TC4428ACOA
TC4428ACPA
TC4428AEOA
TC4428AEPA
TC4428AMJA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2002年Microchip的科技公司
DS21423B第1页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
功能框图
反相
输出
2mA
300mV
产量
同相
输出
输入
4.7V
V
DD
TC4426A/TC4427A/TC4428A
GND
有效投入
C = 12pF时
注意事项：
1. TC4426A有2个反相驱动器; TC4427A有2个同相的驱动程序。
2. TC4428A有一个反相和同相1驱动程序。
3，地面未使用的驱动器输入。
DS21423B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 22V
输入电压，单位为A或B中的
..................................(V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730mW
CERDIP ................................................. .. 800mW的
SOIC ................................................. ....... 470mW
封装热阻
CERDIP
θ
J- á
........................................ 150 ° C / W
CERDIP
θ
J-
......................................... 50 ° C / W
PDIP
θ
J- á
............................................. 125°C / W
PDIP
θ
J-
............................................... 42℃ / W
SOIC
θ
J- á
............................................ 155 ° C / W
SOIC
θ
J-
.............................................. 45 ° C / W
工作温度范围
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
版本..................................... -40 ° C至+ 85°C
M版................................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC4426A / TC4427A / TC4428A电气规范
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
0.5
—
—
7
7
8
1.5
—
—
0.025
9
10
11
—
—
V
V
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
2.4
—
-1
-10
—
—
—
—
—
0.8
1
10
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 18V ，T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
DD
= 18V
占空比
≤
2%, t
≤
300
美国证券交易委员会
V
DD
= 18V
I
PK
I
转
记
1:
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间由设计保证。
A
A
2002年Microchip的科技公司
DS21423B第3页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
产品特点：
高峰值输出电流 - 1.5A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力 - 1000 pF的
在25纳秒（典型值）。
短延迟时间 - 30 ns（典型值）。
匹配的上升，下降和延迟时间
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - （典型值） 1毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 100
μA
（典型值）。
低输出阻抗 - 7Ω （典型值）。
闭锁保护：可承受0.5A的反向
当前
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护 - 4千伏
与TC426 / TC427 / TC428和引脚兼容
TC4426/TC4427/TC4428
节省空间的8引脚MSOP和8引脚6x5 DFN
套餐
概述：
该TC4426A / TC4427A / TC4428A得到改善
早先TC4426 / TC4427 / TC4428系列的版本
的MOSFET驱动器。除了匹配的上升和下降
次， TC4426A / TC4427A / TC4428A器件有
匹配领先和下降沿传输延迟
次。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时，最多噪声的5V
扣球（任一极性）发生在接地引脚。
他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，达
500mA的反向电流（无论极性）是
被迫返回到输出端。所有的终端都完全
防止静电放电（ ESD ）高达
4千伏。
该TC4426A / TC4427A / TC4428A MOSFET驱动器
可以
容易
充电/放电
1000 pF的
门
电容在30纳秒。这些器件提供
足够低的阻抗，同时在开和关状态，以
确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。
应用范围：
开关电源
线路驱动器
脉冲变压器驱动
封装类型
8引脚MSOP /
PDIP / SOIC TC4426A TC4427A TC4428A
NC
IN A
GND
IN B
1
8
NC
2
TC4426A
7
OUT A
3
TC4427A
6
V
DD
4
TC4428A
5
OUT B
8引脚DFN
(1)
TC4426A TC4427A TC4428A
NC
1
IN A
2
GND
3
IN B
4
TC4426A
TC4427A
TC4428A
8
7
6
5
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
注1 ：
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
2006年Microchip的科技公司
DS21423F第1页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
功能框图
反相
500
μA
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 12 pF的
（每个输入）
GND
4.7V
非反相
TC4426A/TC4427A/TC4428A
注1 ：
TC4426A有两个反相驱动器，而TC4427A有两个非反相
驱动程序。该TC4428A具有一个反相和一个非反相驱动器。
2:
地面未使用的驱动器输入。
DS21423F第2页
2006年Microchip的科技公司
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述绝对马克西在“上市
妈妈“，可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件表示
在操作规范的部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
电源电压................................................ ..... + 22V
输入电压，单位为A或B中的
..................................... (V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
≤
70°C)
DFN ................................................. .............
注2
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7
7
8
8
1.5
> 0.5
—
0.025
9
10
11
12
—
—
V
V
Ω
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V ，T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C
V
DD
= 18V
占空比
≤
2%, t
≤
300
微秒
V
DD
= 18V
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
-40°C
≤
T
A
≤
+125°C,
图4-1
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入） ，V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
–1.0
–10
—
—
—
—
—
0.8
+1.0
+10
V
V
μA
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
I
PK
I
转
A
A
t
R
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
29
30
25
27
29
30
30
33
35
38
30
33
35
38
1.0
0.1
35
40
40
40
35
40
40
40
35
40
45
50
35
40
45
50
2.0
0.2
ns
下降时间
t
F
ns
延迟时间
t
D1
ns
延迟时间
t
D2
ns
电源
电源电流
注1 ：
2:
I
S
mA
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
2006年Microchip的科技公司
DS21423F第3页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
100
80
t
上升
（纳秒）
C
L
= 2200 pF的
T
A
= +25
°
C
100
80
t
秋天
（纳秒）
C
L
= 2200pF
C
L
= 2200 pF的
T
A
= +25
°
C
60
40
20
0
5.0
C
L
= 100 pF的
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 470 pF的
60
40
20
C
L
= 100 pF的
0
5.0
7.5
CL = 100pF的
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 470 pF的
7.5
10.0
12.5
V
DD
(V)
15.0
17.5
10.0
12.5
V
DD
(V)
15.0
17.5
图2-1：
电压。
上升时间与供应
图2-4：
电压。
下降时间与供应
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
1
2
延迟时间（纳秒）
t
D1
60
延迟时间（纳秒）
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 10V
55
50
45
40
35
30
25
20
t
D2
t
D1
C
L
= 1000 pF的
t
D2
3
4
5
6
7
输入幅值（ V）
8
9
0
5
10
V
DD
(V)
15
20
图2-2：
幅度。
延迟时间 - 输入
图2-5：
电源电压。
传输延迟时间 -
28
延迟时间（纳秒）
26
时间（纳秒）
24
22
20
18
16
14
-100
t
上升
t
秋天
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
40
35
30
25
t
D2
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
20
15
-100
t
D1
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
温度（
°
C)
温度（
°
C)
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
温度。
传输延迟时间 -
2006年Microchip的科技公司
DS21423F第5页
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