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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第409页 > TC4426ACOA
TC4426A
TC4427A
TC4428A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流1.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力................. 1000 pF的25纳秒典型值
短延迟时间................................. 30纳秒典型值
匹配的上升,下降和延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入............................ 1毫安典型值
- 对于逻辑“ 0 ”输入......................... 100
一个典型值
低输出阻抗................................ 7
典型值
闭锁保护:可承受0.5A
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护................................................ .... 4千伏
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
1
概述
该TC4426A / 4427A / 4428A得到改善的版本
早前TC426 /四百二十八分之四百二十七家庭缓冲/驱动器(带
它们是引脚兼容的) 。他们不会在闭锁
在其功率和电压的任何条件。他们
不受最多时有噪声5V尖峰损坏(中
任一极性)上发生的接地插针。他们可以接受的,
无损坏或逻辑混乱,高达500反向毫安
电流(无论极性)被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护,免受高达4 kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器,在TC4426A / 4427A / 4428A可以
轻松切换1000 pF的栅极电容在30纳秒,并
提供足够低的阻抗,同时在开和关
国家确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响,即使是大的瞬变。
2
3
4
5
6
7
s
s
s
s
s
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
8 NC
7 OUT A
订购信息
产品型号
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
TC4426A
6 V
DD
5 OUT B
TC4427A
6 VDD
5 OUT B
TC4428A
6 VDD
5 OUT B
2
2,4
7,5
2,4
7,5
4
反相
NC - 无内部连接
注意:
SOIC引脚排列完全相同畅游。
同相
7
TC4426ACOA
TC4426ACPA
TC4426AEOA
TC4426AEPA
TC4426AMJA
TC4427ACOA
TC4427ACPA
TC4427AEOA
TC4427AEPA
TC4427AMJA
TC4428ACOA
TC4428ACPA
TC4428AEOA
TC4428AEPA
TC4428AMJA
5
迪FF erential
功能框图
反相
输出
2毫安
300毫伏
V
DD
产量
同相
输出
输入
4.7V
TC4426A/TC4427A/TC4428A
GND
有效投入
C≤ 12 pF的
注意事项:
1. TC4426A有2个反相驱动器; TC4427A有2个同相的驱动程序。
2. TC4428A有一个反相和同相1驱动程序。
3,地面未使用的驱动器输入。
8
TC4426A / 7A / 8A- 9 96年10月21日
TELCOM半导体,INC。的
4-251
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426A
TC4427A
TC4428A
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压,单位为A或B中的.. (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5.0V )
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗(T
A
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性:
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1,高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V ,除非
另有规定ED 。
典型值
2.4
–1
– 10
V
DD
– 0.025
0.5
参数
测试条件
最大
7
7
8
1.5
单位
0.8
1
10
0.025
9
10
11
V
V
A
– 0V
V
IN
V
DD
T
A
= 25°C
– 40°C
T
A
85°C
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
直流测试
直流测试
V
DD
= 18V ,我
O
= 10毫安
V
V
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°
T
A
85°C
V
DD
= 18V
I
PK
I
峰值输出电流
V
DD
= 18V
闭锁保护
占空比
2%
承受反向电流T
300sec
上升时间
图1
A
A
开关时间
(注1 )
t
R
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
V
DD
= 18V
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
1.0
0.1
35
40
40
35
40
40
35
40
45
35
40
45
2.0
0.2
纳秒
t
F
下降时间
图1
纳秒
t
D1
延迟时间
图1
纳秒
t
D2
延迟时间
图1
纳秒
电源
I
S
电源电流
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
mA
注意:
1.切换的时间由设计保证。
4-252
TELCOM半导体,INC。的
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426A
TC4427A
TC4428A
1
+5V
输入
90%
2
tR
90%
VDD = 18V
4.7
F
0.1
F
0V
VDD
10%
tD1
90%
tF
tD2
产量
6
输入
2
7
0V
产量
10%
10%
3
4
t
F
CL = 1000 pF的
4
5
+5V
输入
反相驱动器
90%
3
0V
VDD
10%
90%
90%
tD2
10%
输入: 100 kHz时,方波,
TRISE = TFALL
10nsec
tD1
产量
0V
10%
tR
同相驱动器
5
6
7
图1.开关时间测试电路
8
TELCOM半导体,INC。的
4-253
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426A
TC4427A
TC4428A
典型特征
上升时间与电源电压
温度为25℃
100
CL = 2200pF
下降时间与电源电压
温度为25℃
100
80
TF(的纳秒)
CL = 2200pF
80
TR (纳秒)
60
40
CL = 470pF的
CL = 1500pF
CL = 1000pF的
CL = 1500pF
60
CL = 1000pF的
40
20
CL = 470pF的
20
0
5.0
CL = 100pF的
CL = 100pF的
7.5
10.0
12.5
VDD(伏)
15.0
17.5
0
5.0
7.5
10.0
12.5
VDD(伏)
15.0
17.5
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
1
延迟时间(纳秒)
在延迟输入幅度的影响
V
DD
= 10V
L
= 1000pF的
tD1
延迟时间(纳秒)
传播延迟时间与电源电压
C
L
= 1000pF的
60
55
50
45
40
35
30
25
20
0
5
10
VDD(伏)
15
20
tD2
tD1
tD2
2
3
4
5
6
7
8
9
VDD(伏)
上升和下降时间与温度的关系
V
DD
= 18V
L
= 1000pF的
28
延迟时间(纳秒)
26
时间(纳秒)
24
22
20
18
16
14
-100
tR
tF
-50
0
50
100
150
温度(℃)
40
35
30
25
传播延迟时间vs.Temperature
V
DD
= 18V
L
= 1000pF的
tD2
20
15
-100
tD1
-50
0
50
温度(℃)
100
150
高态输出电阻
30
25
RDS(ON)欧
20
15
10
5
0
0
5
10
VDD(伏)
15
20
T
A
= 125°C
RDS(ON)欧
30
25
较低的国家输出电阻
T
A
= 125°C
20
15
10
5
0
0
5
10
VDD(伏)
15
20
T
A
= 125°C
T
A
= 125°C
4-254
TELCOM半导体,INC。的
1.5A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4426A
TC4427A
TC4428A
典型特征
(续)
电源电流与频率的关系
V
DD
= 18v
60
50
CL = 2200pF
1
电源电流与电容负载
V
DD
= 18v
60
2MHz
900MHz
2
3
4
5
6
7
CL = 1500pF
50
我公司供应(毫安)
我公司供应(毫安)
40
30
20
10
0
0
500
CL = 1000pF的
40
600MHz
CL = 100pF的
30
20
200MHz
10
0
1000
1500
2000
2500
0
500
1000
1500
2000
频率(kHz )
20MHz
2500
C
L
(PF )
电源电流vs.Capacitance负载
V
DD
= 12v
80
70
60
50
40
30
20
10
0
900MHz
600MHz
200MHz
20MHz
2MHz
电源电流与频率的关系
V
DD
= 12v
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1000
1500
2000
2500
频率(kHz )
CL = 1500pF
CL = 2200pF
我公司供应(毫安)
CL = 1000pF的
CL = 100pF的
我公司供应(毫安)
0
500
1000
1500
2000
2500
C
L
(PF )
电源电流与电容负载
V
DD
= 6v
40
CL = 2200pF
电源电流与频率的关系
V
DD
= 6v
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
500
1000
1500
频率(kHz )
CL = 1500pF
35
2MHz
我公司供应(毫安)
我公司供应(毫安)
30
25
15
10
5
0
0
500
1000
1500
2000
900MHz
600MHz
CL = 1000pF的
CL = 100pF的
200MHz
20MHz
2000
2500
2500
C
L
(PF )
静态电源电流与电压
温度为25℃
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
两个输入= 1
两个输入= 0
0
5
10
VDD(伏)
15
20
1100
1000
两个输入= 0
900
800
700
600
500
400
300
200
两个输入= 0
100
0
-50
-100
静态电源电流与温度的关系
V
DD
= 18v
我静态( μA )
我静态( μA )
50
0
温度 - (℃)
100
150
8
4-255
TELCOM半导体,INC。的
M
特点
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2,4
反相
7,5
8 NC
高峰值输出电流 - 1.5A
宽工作范围
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力 - 1000pF的
在25nsec典型。
短延迟时间 - 30nsec典型。
匹配的上升,下降和延迟时间
低电源电流:
- 对于逻辑"1"输入 - 1毫安
- 对于逻辑"0"输入 - 100μA
低输出阻抗 - 7
闭锁保护:可承受0.5A的反向
当前
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护 - 为4kV
引脚排列相同TC426 / TC427 / TC428
TC4426A
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2
7
8 NC
TC4428A
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2,4
7,5
8 NC
TC4427A
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
4
迪FF erential
5
应用
同相
NC - 无内部连接。
注意:
SOIC引脚排列完全相同畅游。
概述
该TC4426A / TC4427A / TC4428A得到改善
早前TC426 / TC427 / TC428系列的版本
缓冲/驱动器(与它们的引脚兼容) 。
他们不会在任何情况下,锁定了他们的
功率和额定电压。它们不受
损坏最多时的噪声尖峰的5V (或者
极性)上发生的接地插针。他们可以接受的,
无损坏或逻辑混乱,高达反向500mA的
电流(无论极性)被迫回到自己的
输出。所有引脚都被充分保护,免受高达
4kV的静电放电。
由于MOSFET驱动器,在TC4426A / TC4427A /
TC4428A可以轻松地切换1000pF的栅极电容
下30nsec ,并提供足够低的阻抗
在ON和OFF状态既保证了
MOSFET的预期状态也不会受到影响,甚至
大的瞬变。
器件选型表
产品型号
TC4426ACOA
TC4426ACPA
TC4426AEOA
TC4426AEPA
TC4426AMJA
TC4427ACOA
TC4427ACPA
TC4427AEOA
TC4427AEPA
TC4427AMJA
TC4428ACOA
TC4428ACPA
TC4428AEOA
TC4428AEPA
TC4428AMJA
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
2002年Microchip的科技公司
DS21423B第1页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
功能框图
反相
输出
2mA
300mV
产量
同相
输出
输入
4.7V
V
DD
TC4426A/TC4427A/TC4428A
GND
有效投入
C = 12pF时
注意事项:
1. TC4426A有2个反相驱动器; TC4427A有2个同相的驱动程序。
2. TC4428A有一个反相和同相1驱动程序。
3,地面未使用的驱动器输入。
DS21423B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 22V
输入电压,单位为A或B中的
..................................(V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5V )
封装功耗(T
A
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730mW
CERDIP ................................................. .. 800mW的
SOIC ................................................. ....... 470mW
封装热阻
CERDIP
θ
J- á
........................................ 150 ° C / W
CERDIP
θ
J-
......................................... 50 ° C / W
PDIP
θ
J- á
............................................. 125°C / W
PDIP
θ
J-
............................................... 42℃ / W
SOIC
θ
J- á
............................................ 155 ° C / W
SOIC
θ
J-
.............................................. 45 ° C / W
工作温度范围
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
版本..................................... -40 ° C至+ 85°C
M版................................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC4426A / TC4427A / TC4428A电气规范
电气特性:
在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V,除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
DD
– 0.025
0.5
7
7
8
1.5
0.025
9
10
11
V
V
参数
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ,高输入电压
逻辑0 ,低输入电压
输入电流
2.4
-1
-10
0.8
1
10
V
V
A
0V
V
IN
V
DD
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10毫安,V
DD
= 18V ,T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
V
DD
= 18V
占空比
2%, t
300
美国证券交易委员会
V
DD
= 18V
I
PK
I
1:
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间由设计保证。
A
A
2002年Microchip的科技公司
DS21423B第3页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
符号
参数
典型值
最大
单位
测试条件
开关时间
(注1 )
t
R
上升时间
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
1.0
0.1
35
40
40
35
40
40
35
40
45
35
40
45
2.0
0.2
纳秒
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+ 85°C ,图3-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+ 85°C ,图3-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+ 85°C ,图3-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+ 85°C ,图3-1
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入) ,V
DD
= 18V
t
F
下降时间
纳秒
t
D1
延迟时间
纳秒
t
D2
延迟时间
纳秒
电源
I
S
1:
电源电流
开关时间由设计保证。
mA
DS21423B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC4426A/TC4427A/TC4428A
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1:
PIN号
( 8引脚PDIP ,
SOIC , CERDIP )
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
NC
IN A
GND
IN B
OUT B
V
DD
OUT A
NC
无连接。
地面上。
无连接。
描述
2002年Microchip的科技公司
DS21423B第5页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.5A双高速功率MOSFET驱动器
产品特点:
高峰值输出电流 - 1.5A
宽输入电源电压工作范围:
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力 - 1000 pF的
在25纳秒(典型值)。
短延迟时间 - 30 ns(典型值)。
匹配的上升,下降和延迟时间
低电源电流:
- 对于逻辑“1”输入 - (典型值) 1毫安
- 对于逻辑“0”输入 - 100
μA
(典型值)。
低输出阻抗 - 7Ω (典型值)。
闭锁保护:可承受0.5A的反向
当前
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护 - 4千伏
与TC426 / TC427 / TC428和引脚兼容
TC4426/TC4427/TC4428
节省空间的8引脚MSOP和8引脚6x5 DFN
套餐
概述:
该TC4426A / TC4427A / TC4428A得到改善
早先TC4426 / TC4427 / TC4428系列的版本
的MOSFET驱动器。除了匹配的上升和下降
次, TC4426A / TC4427A / TC4428A器件有
匹配领先和下降沿传输延迟
次。
这些设备是高度闭锁性在任何
在其功率和电压的条件。他们
不受到损坏时,最多噪声的5V
扣球(任一极性)发生在接地引脚。
他们能够接受,而不会损坏或逻辑混乱,达
500mA的反向电流(无论极性)是
被迫返回到输出端。所有的终端都完全
防止静电放电( ESD )高达
4千伏。
该TC4426A / TC4427A / TC4428A MOSFET驱动器
可以
容易
充电/放电
1000 pF的
电容在30纳秒。这些器件提供
足够低的阻抗,同时在开和关状态,以
确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响,即使是大的瞬变。
应用范围:
开关电源
线路驱动器
脉冲变压器驱动
封装类型
8引脚MSOP /
PDIP / SOIC TC4426A TC4427A TC4428A
NC
IN A
GND
IN B
1
8
NC
2
TC4426A
7
OUT A
3
TC4427A
6
V
DD
4
TC4428A
5
OUT B
8引脚DFN
(1)
TC4426A TC4427A TC4428A
NC
1
IN A
2
GND
3
IN B
4
TC4426A
TC4427A
TC4428A
8
7
6
5
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
注1 :
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
2006年Microchip的科技公司
DS21423F第1页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
功能框图
反相
500
μA
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 12 pF的
(每个输入)
GND
4.7V
非反相
TC4426A/TC4427A/TC4428A
注1 :
TC4426A有两个反相驱动器,而TC4427A有两个非反相
驱动程序。该TC4428A具有一个反相和一个非反相驱动器。
2:
地面未使用的驱动器输入。
DS21423F第2页
2006年Microchip的科技公司
TC4426A/TC4427A/TC4428A
1.0
电动
特征
注意:
注意,超出上述绝对马克西在“上市
妈妈“,可能对器件造成永久性损坏。
这些压力额定值只和功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件表示
在操作规范的部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值?
电源电压................................................ ..... + 22V
输入电压,单位为A或B中的
..................................... (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5V )
封装功耗(T
A
70°C)
DFN ................................................. .............
注2
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 0.025
7
7
8
8
1.5
> 0.5
0.025
9
10
11
12
V
V
Ω
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V ,T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C
V
DD
= 18V
占空比
2%, t
300
微秒
V
DD
= 18V
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
-40°C
T
A
+125°C,
图4-1
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入) ,V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
–1.0
–10
0.8
+1.0
+10
V
V
μA
0V
V
IN
V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
I
PK
I
A
A
t
R
25
27
29
30
25
27
29
30
30
33
35
38
30
33
35
38
1.0
0.1
35
40
40
40
35
40
40
40
35
40
45
50
35
40
45
50
2.0
0.2
ns
下降时间
t
F
ns
延迟时间
t
D1
ns
延迟时间
t
D2
ns
电源
电源电流
注1 :
2:
I
S
mA
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
2006年Microchip的科技公司
DS21423F第3页
TC4426A/TC4427A/TC4428A
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于4.5V
V
DD
18V.
参数
温度范围
规定温度范围( C)
规定温度范围( E)
规定温度范围( V)
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻,8引脚6x5 DFN
热阻,8 - MSOP
热阻,8 - PDIP
热阻,8 - SOIC
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JA
33.2
206
125
155
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
A
T
A
T
J
T
A
0
-40
-40
-65
+70
+85
+125
+150
+150
°C
°C
°C
°C
°C
符号
典型值
最大
单位
条件
DS21423F第4页
2006年Microchip的科技公司
TC4426A/TC4427A/TC4428A
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
18V.
100
80
t
上升
(纳秒)
C
L
= 2200 pF的
T
A
= +25
°
C
100
80
t
秋天
(纳秒)
C
L
= 2200pF
C
L
= 2200 pF的
T
A
= +25
°
C
60
40
20
0
5.0
C
L
= 100 pF的
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 470 pF的
60
40
20
C
L
= 100 pF的
0
5.0
7.5
CL = 100pF的
C
L
= 1500 pF的
C
L
= 1000 pF的
C
L
= 470 pF的
7.5
10.0
12.5
V
DD
(V)
15.0
17.5
10.0
12.5
V
DD
(V)
15.0
17.5
图2-1:
电压。
上升时间与供应
图2-4:
电压。
下降时间与供应
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
1
2
延迟时间(纳秒)
t
D1
60
延迟时间(纳秒)
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 10V
55
50
45
40
35
30
25
20
t
D2
t
D1
C
L
= 1000 pF的
t
D2
3
4
5
6
7
输入幅值( V)
8
9
0
5
10
V
DD
(V)
15
20
图2-2:
幅度。
延迟时间 - 输入
图2-5:
电源电压。
传输延迟时间 -
28
延迟时间(纳秒)
26
时间(纳秒)
24
22
20
18
16
14
-100
t
上升
t
秋天
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
40
35
30
25
t
D2
C
L
= 1000 pF的
V
DD
= 18V
20
15
-100
t
D1
-50
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
温度(
°
C)
温度(
°
C)
图2-3:
温度。
上升和下降时间与
图2-6:
温度。
传输延迟时间 -
2006年Microchip的科技公司
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TC4426ACOA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制 点击这里给我发消息 QQ:2880133232 复制

电话:0755-83202411
联系人:杨泽鹏
地址:深圳市福田区 汉国中心55楼
TC4426ACOA
Microchip(微芯)
22+
10479
原装原厂公司现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
TC4426ACOA
Microchip Technology
2423+
74220
SOIC-8
代理Microchip Technology专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TC4426ACOA
MICROCHIP/微芯
24+
15300
SOP-8
原装热卖,绝对仓库现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TC4426ACOA
MICROCHI
21+
16800
SOP8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
TC4426ACOA
MICROCHIP
22+
5000
SOP8
13528893675¥/片,大量原装库存长期供应欢迎实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004205445 复制

电话:0755-23995152
联系人:林
地址:广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
TC4426ACOA
Microchip
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TC4426ACOA
MICROCHIP/微芯
2407+
10750
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只有原装!量大可以订!一片起卖!
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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
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TC4426ACOA
TELCOM
17+
4550
进口原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制

电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
TC4426ACOA
MICROCH
24+
18310
SOIC-8
全新原装正品现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
TC4426ACOA
MICROCHIP/微芯
2018+
13200
SOP8
全新原装15818663367
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