TC4423/TC4424/TC4425
3A双高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 3A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力：
- 1800 pF的在25纳秒
短延迟时间： <40纳秒（典型值）
匹配的上升/下降时间
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 3.5毫安（最大）
- 对于逻辑“0”输入 - 350 μA （最大值）
低输出阻抗： 3.5 （典型值）
闭锁保护：可承受1.5A的反向
当前
逻辑输入可承受负电压最高达
5V
ESD保护： 4 kV的
引脚与TC1426 / TC1427 / TC1428兼容，
TC4426 / TC4427 / TC4428和TC4426A /
TC4427A / TC4428A器件。
节省空间的8引脚6x5 DFN封装
概述
在TC4423 / TC4424 / TC4425器件是一个家庭
3A ，双输出缓冲器/ MOSFET驱动器。销compati-
竹叶提取与TC1426 / 27 /28， TC4426 / 27 /28和
TC4426A / 27A / 28A双1.5A驱动器系列，该
TC4423 / 24/25家族具有增加的闭锁电流
1.5A的评价，使他们更健壮
运行在恶劣的电气环境。
由于MOSFET驱动器，在TC4423 / TC4424 / TC4425可以
易充下1800 pF的栅极电容
35纳秒，提供足够低的阻抗，同时在
开和关状态，以确保MOSFET的预期
国家将不会受到影响，即使是大的瞬变。
的TC4423 / TC4424 / TC4425输入可被驱动
直接由TTL或CMOS （ 2.4V至18V ） 。在
此外，内置的迟滞300 mV的规定
噪声抑制能力，并允许设备从驱动
慢慢地上升或下降的波形。
应用
开关电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
封装类型
(1)
8引脚PDIP
TC4423 TC4424 TC4425
NC
IN A
GND
IN B
1
8
2
TC4423
7
3
TC4424
6
4
TC4425
5
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
16引脚SOIC （宽）
TC4423 TC4424 TC4425
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
8引脚DFN
(2)
TC4423 TC4424 TC4425
NC
1
8
TC4423
TC4424
TC4425
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
IN A
2
GND
3
TC4423
TC4424
TC4425
7
6
5
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
IN B
4
注1 ：
重名的引脚必须同时连接才能正常工作。
2:
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
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TC4423/TC4424/TC4425
1.0
电动
特征
绝对最大额定值
电源电压................................................ ................ + 22V
输入电压，单位为A或B中的
................................................ (V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
≤
70°C)
DFN ................................................. ........................
注2
PDIP ................................................. ...................... 730毫瓦
SOIC ................................................. ...................... 470毫瓦
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护承受
的反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 ：
2:
I
S
—
—
1.5
0.15
2.5
0.25
mA
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
23
25
33
38
35
35
75
75
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
2.8
3.5
3
>1.5
—
0.025
5
5
—
—
V
V
A
A
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒。
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
–1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
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DS21421D第3页
TC4423/TC4424/TC4425
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
100
4700 pF的
80
100
4700 pF的
80
t
秋天
（纳秒）
t
上升
（纳秒）
60
3300 pF的
2200 pF的
60
3300 pF的
2200 pF的
40
40
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
图2-1：
电压。
100
上升时间与供应
图2-4：
电压。
100
下降时间与供应
5V
80
80
t
秋天
（纳秒）
5V
t
上升
（纳秒）
60
10V
15V
60
10V
15V
40
40
20
20
0
100
1000
C
负载
（PF ）
10,000
0
100
1000
C
负载
（PF ）
10,000
图2-2：
负载。
32
30
28
时间（纳秒）
上升时间与电容
图2-5：
负载。
100
下降时间 - 容性
C
负载
= 2200 pF的
t
秋天
延迟时间（纳秒）
80
C
负载
= 2200 pF的
V
DD
= 10V
t
D1
26
24
22
20
18
-55
t
秋天
t
上升
60
t
上升
40
20
t
D2
-35
-15
5
25 45
T
A
(
°
C)
65
85
105 125
0
1
2
3
4
5 6 7
输入电压（V ）
8
9
10 11 12
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
幅度。
传输延迟与输入
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