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TC4423M/TC4424M/TC4425M
3A双高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流: 3A
宽输入电源电压工作范围:
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力:
- 1800 pF的在25纳秒
短延迟时间: <40纳秒(典型值)
匹配的上升/下降时间
低电源电流:
- 对于逻辑“1”输入 - 3.5毫安(最大)
- 对于逻辑“0”输入 - 350 μA (最大值)
低输出阻抗: 3.5 (典型值)
闭锁保护:可承受1.5A的反向
当前
逻辑输入:可承受负电压最高达
5V
ESD保护: 4 kV的
与TC4426M / TC4427M引脚兼容/
TC4428M和TC4426AM / TC4427AM /
TC4428AM设备
宽工作温度范围:
- -55 ° C至+ 125°C
见TC4423 / TC4424 / TC4425数据表
( DS21421 )进行额外的温度范围,
包装产品
概述
该TC4423M / TC4424M / TC4425M设备是
家庭3A的双输出缓冲器/ MOSFET驱动器。引脚
同时兼容了TC4426M / TC4427M /
TC4428M和TC4426AM / 4427AM / 4428AM家庭
(双1.5A的驱动程序)时, TC4423M / TC4424M / TC4425M
家有1.5A的增加闩锁电流额定值,
使他们更加适用于恶劣的操作稳健
电气环境。
由于MOSFET驱动器,该TC4423M / TC4424M /
TC4425M可以轻松充电1800 pF的栅极电容
下35纳秒,同时提供足够低
同时在开启和关闭状态的阻抗,以确保
MOSFET的预期状态也不会受到影响,甚至
大的瞬变。
该TC4423M / TC4424M / TC4425M输入可能
直接由TTL或CMOS ( 2.4V至18V )驱动。
此外,滞后为300毫伏是内置的,以提供
抗噪声能力,并允许设备驱动
从缓缓上升或下降的波形。
封装类型
8引脚CERDIP TC4423M TC4424M TC4425M
在一个2
GND 3
IN B 4
TC4423M
TC4424M
TC4425M
NC 1
8
7
6
5
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
2005年Microchip的科技公司
DS21937A第1页
TC4423M/TC4424M/TC4425M
功能框图
反相
300毫伏
产量
V
DD
输入
有效
输入C = 20 pF的
(每个输入)
GND
(1)
注1 :
未使用的输入应接地。
4.7V
非反相
TC4423M双反相
TC4424M双非反相
TC4425M一个反相,
一非反相
DS21937A第2页
2005年Microchip的科技公司
TC4423M/TC4424M/TC4425M
1.0
电动
特征
注意:
注意,超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ................ + 22V
输入电压,单位为A或B中的.......... (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5V )
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,T
A
= + 25 ℃, 4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
峰值输出电流
闭锁保护承受
反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 :
I
S
1.5
0.15
2.5
0.25
mA
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
t
R
t
F
t
D1
t
D2
23
25
33
38
35
35
75
75
ns
ns
ns
ns
图4-1 ,图4-2 ,
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ,图4-2 ,
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ,图4-2 ,
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ,图4-2 ,
C
L
= 1800 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
V
DD
0.025
2.8
3.5
3
>1.5
0.025
5
5
V
V
Ω
Ω
A
A
占空比
2%, t
300微秒。
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
-1
0.8
1
V
V
A
0V
V
IN
V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
2005年Microchip的科技公司
DS21937A第3页
TC4423M/TC4424M/TC4425M
直流特性(在整个工作温度范围内)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,工作温度范围在4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
I
S
2.0
0.2
3.5
0.3
mA
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
t
R
t
F
t
D1
t
D2
28
32
32
38
60
60
100
100
ns
ns
ns
ns
图4-1 ,图4-2 ,
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ,图4-2 ,
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ,图4-2 ,
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ,图4-2 ,
C
L
= 1800 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
V
DD
– 0.025
3.7
4.3
3.0
>1.5
0.025
8
8
V
V
Ω
Ω
A
A
占空比
2%, t
300微秒
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
-10
0.8
+10
V
V
A
0V
V
IN
V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
注1 :
开关时间由设计保证。
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,所有参数适用于4.5V
V
DD
18V.
参数
温度范围
规定温度范围(M )
最高结温
存储温度范围
封装热阻
热阻,8 - CERDIP
θ
JA
150
摄氏度/ W
T
A
T
J
T
A
-55
-65
+125
+150
+150
C
C
C
符号
典型值
最大
单位
条件
DS21937A第4页
2005年Microchip的科技公司
TC4423M/TC4424M/TC4425M
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
100
4700 pF的
80
100
4700 pF的
80
t
秋天
(纳秒)
t
上升
(纳秒)
60
3300 pF的
2200 pF的
60
3300 pF的
2200 pF的
40
40
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
图2-1:
电压。
100
上升时间与供应
图2-4:
电压。
100
下降时间与供应
5V
80
t
秋天
(纳秒)
t
上升
(纳秒)
80
5V
60
10V
15V
60
10V
15V
40
40
20
20
0
100
1000
C
负载
(PF )
10,000
0
100
1000
C
负载
(PF )
10,000
图2-2:
负载。
32
30
28
时间(纳秒)
上升时间与电容
图2-5:
负载。
100
下降时间 - 容性
C
负载
= 2200 pF的
t
秋天
延迟时间(纳秒)
80
C
负载
= 2200 pF的
V
DD
= 10V
t
D1
26
24
22
20
18
-55
t
秋天
t
上升
60
t
上升
40
20
t
D2
-35
-15
5
25 45
T
A
(
°
C)
65
85
105 125
0
1
2
3
4
5 6 7
输入电压(V )
8
9
10 11 12
图2-3:
温度。
上升和下降时间与
图2-6:
幅度。
传输延迟与输入
2005年Microchip的科技公司
DS21937A第5页
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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