TC4423/TC4424/TC4425
3A双高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 3A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力：
- 1800 pF的在25纳秒
短延迟时间： <40纳秒（典型值）
匹配的上升/下降时间
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 3.5毫安（最大）
- 对于逻辑“0”输入 - 350 μA （最大值）
低输出阻抗： 3.5 （典型值）
闭锁保护：可承受1.5A的反向
当前
逻辑输入可承受负电压最高达
5V
ESD保护： 4 kV的
引脚与TC1426 / TC1427 / TC1428兼容，
TC4426 / TC4427 / TC4428和TC4426A /
TC4427A / TC4428A器件。
节省空间的8引脚6x5 DFN封装
概述
在TC4423 / TC4424 / TC4425器件是一个家庭
3A ，双输出缓冲器/ MOSFET驱动器。销compati-
竹叶提取与TC1426 / 27 /28， TC4426 / 27 /28和
TC4426A / 27A / 28A双1.5A驱动器系列，该
TC4423 / 24/25家族具有增加的闭锁电流
1.5A的评价，使他们更健壮
运行在恶劣的电气环境。
由于MOSFET驱动器，在TC4423 / TC4424 / TC4425可以
易充下1800 pF的栅极电容
35纳秒，提供足够低的阻抗，同时在
开和关状态，以确保MOSFET的预期
国家将不会受到影响，即使是大的瞬变。
的TC4423 / TC4424 / TC4425输入可被驱动
直接由TTL或CMOS （ 2.4V至18V ） 。在
此外，内置的迟滞300 mV的规定
噪声抑制能力，并允许设备从驱动
慢慢地上升或下降的波形。
应用
开关电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
封装类型
(1)
8引脚PDIP
TC4423 TC4424 TC4425
NC
IN A
GND
IN B
1
8
2
TC4423
7
3
TC4424
6
4
TC4425
5
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
16引脚SOIC （宽）
TC4423 TC4424 TC4425
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
8引脚DFN
(2)
TC4423 TC4424 TC4425
NC
1
8
TC4423
TC4424
TC4425
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
IN A
2
GND
3
TC4423
TC4424
TC4425
7
6
5
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
IN B
4
注1 ：
重名的引脚必须同时连接才能正常工作。
2:
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
2004年Microchip的科技公司
DS21421D第1页
TC4423/TC4424/TC4425
1.0
电动
特征
绝对最大额定值
电源电压................................................ ................ + 22V
输入电压，单位为A或B中的
................................................ (V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
≤
70°C)
DFN ................................................. ........................
注2
PDIP ................................................. ...................... 730毫瓦
SOIC ................................................. ...................... 470毫瓦
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护承受
的反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 ：
2:
I
S
—
—
1.5
0.15
2.5
0.25
mA
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
23
25
33
38
35
35
75
75
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
2.8
3.5
3
>1.5
—
0.025
5
5
—
—
V
V
A
A
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒。
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
–1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
2004年Microchip的科技公司
DS21421D第3页
TC4423/TC4424/TC4425
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
100
4700 pF的
80
100
4700 pF的
80
t
秋天
（纳秒）
t
上升
（纳秒）
60
3300 pF的
2200 pF的
60
3300 pF的
2200 pF的
40
40
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
图2-1：
电压。
100
上升时间与供应
图2-4：
电压。
100
下降时间与供应
5V
80
80
t
秋天
（纳秒）
5V
t
上升
（纳秒）
60
10V
15V
60
10V
15V
40
40
20
20
0
100
1000
C
负载
（PF ）
10,000
0
100
1000
C
负载
（PF ）
10,000
图2-2：
负载。
32
30
28
时间（纳秒）
上升时间与电容
图2-5：
负载。
100
下降时间 - 容性
C
负载
= 2200 pF的
t
秋天
延迟时间（纳秒）
80
C
负载
= 2200 pF的
V
DD
= 10V
t
D1
26
24
22
20
18
-55
t
秋天
t
上升
60
t
上升
40
20
t
D2
-35
-15
5
25 45
T
A
(
°
C)
65
85
105 125
0
1
2
3
4
5 6 7
输入电压（V ）
8
9
10 11 12
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
幅度。
传输延迟与输入
2004年Microchip的科技公司
DS21421D第5页
TC4423
TC4424
TC4425
3A双高速功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流3A ..................................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力......................... 1800 pF的在25nsec
短延迟时间............................. < 40nsec典型值
匹配的上升/下降时间
低电源电流
- 对于逻辑"1"输入................................ 3.5毫安
- 对于逻辑"0"输入................................ 350
A
低输出阻抗............................. 3.5Ω典型值
闭锁保护。能够承受1.5A反向
当前
逻辑输入可承受负电压高达
至5V
ESD保护................................................ .... 4千伏
引脚排列相同， TC1426 / 28分之27 ; TC4426 /二十八分之二十七
1
概述
在TC4423 / 4425分之4424更高的输出电流ver-
新的TC4426的sions / 4428分之4427缓冲/驱动器，其中，
反过来，提高早期TC426的/版本四百二十八分之四百二十七
系列。这三个系列的引脚兼容。在TC4423 /
四千四百二十五分之四千四百二十四司机能够提供可靠的服务
更为苛刻的电气环境比他们的宰前
cedents 。
尽管主要用于驱动功率MOSFET ，
的TC4423 / 4425分之4424司机同样非常适合于
找到任何其它负载（电容性，电阻性或电感性）
这就要求能够高峰低阻抗驱动器
电流和快速的开关时间。例如，重
装载时钟线，同轴电缆，或压电transduc-
器都可以驱动从TC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四。唯一
在加载已知的限制是总功耗
驾驶员必须保持最大功率耗散之内
封装和灰的限制。
2
3
4
5
6
7
s
s
s
s
s
订购信息
产品型号
TC4423COE
TC4423CPA
TC4423EOE
TC4423EPA
TC4423MJA
TC4424COE
TC4424CPA
TC4424EOE
包
温度
范围
部件号
TC4424EPA
TC4424MJA
TC4425COE
TC4425CPA
TC4425EOE
TC4425EPA
TC4425MJA
16引脚SOIC （宽）
0 ° C至+ 70°C
8引脚塑料DIP
0 ° C至+ 70°C
16引脚SOIC （广角） - 40 ° C至+ 85°C
8引脚塑料DIP
- 40 ° C至+ 85°C
8引脚CERDIP
- 55 ° C至+ 125°C
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
16引脚SO宽
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
包
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
16引脚SO宽
8引脚塑料DIP
16引脚SO宽
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
温度
范围
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
功能框图
反相
VDD
300毫伏
产量
输入
4.7V
同相
TC4423双反相
TC4424双非反相
TC4425 ONE INV 。一NONINV 。
GND
有效
输入C = 20 pF的
（每个输入）
注意事项：
1. TC4425有一个反相和同相1驱动程序。
2.地面任何未使用的驱动器输入。
TC4423 / 4 / 5-6 96年10月21日
8
4-237
TELCOM半导体，INC。的
3A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中...... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 55 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
销刀豆网络gurations
16引脚SO宽
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
TC4423
TC4424
TC4425
16
15
14
13
12
11
10
9
4423
NC
4424
NC
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 75 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
我版本............................................ - 25℃至+ 85°C
版本........................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版........................................ - 55 ° C至+ 125 °
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
4425
NC
8引脚DIP
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
TC4423
TC4424
TC4425
4423
8 NC
4424
NC
4425
NC
OUT A OUT A OUT A
OUT A OUT A OUT A
VDD
VDD
VDD
VDD
VDD
VDD
7 OUT A OUT A OUT A
6 VDD
VDD
VDD
5 OUT B OUT B OUT B
OUT B OUT B OUT B
OUT B OUT B OUT B
NC
NC
NC
NC =无连接
注意：
重复的引脚必须
两
连接才能正常运行。
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
OH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
1.5
—
—
—
—
—
2.8
3.5
3
—
—
0.8
1
—
0.025
5
5
—
—
V
V
A
V
V
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
I
转
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
占空比
≤
2%
t
≤
300
微秒
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
23
25
33
38
1.5
0.15
35
35
75
75
2.5
0.25
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
电源
I
S
4-238
TELCOM半导体，INC。的
TC4423
TC4424
TC4425
3A双高速功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
高峰值输出电流3A ..................................
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
高容性负载
驱动能力.......................... 1800pF的25nsec
短延迟时间............................. <40nsec典型。
匹配的上升/下降时间
低电源电流
- 对于逻辑"1"输入................................. 3.5毫安
- 对于逻辑"0"输入................................. 350
A
低输出阻抗............................ 3.5
典型值。
闭锁保护..能够承受1.5A反向
当前
逻辑输入可承受负电压高达
至5V
ESD保护................................................ .....为4kV
引脚排列相同， TC1426 / 28分之27 ; TC4426 /二十八分之二十七
概述
在TC4423 / 4425分之4424更高的输出电流ver-
新TC4426的sions / 4428分之4427缓冲器/驱动器，其中，在
反过来，提高早期TC426的/版本四百二十八分之四百二十七
系列。这三个系列的引脚兼容。在TC4423 /
四千四百二十五分之四千四百二十四司机能够提供可靠的服务
更为苛刻的电气环境比他们的宰前
cedents 。
尽管主要用于驱动功率MOSFET ，
的TC4423 / 4425分之4424司机同样非常适合于
找到任何其它负载（电容性，电阻性或电感性）
这就要求能够高峰低阻抗驱动器
电流和快速的开关时间。例如，重
装载时钟线，同轴电缆，或压电transduc-
器都可以驱动从TC4423 /四千四百二十五分之四千四百二十四。唯一
在加载已知的限制是总功耗
驾驶员必须保持最大功率耗散之内
封装和灰的限制。
温度
范围
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
s
s
s
s
s
订购信息
产品型号
TC4423COE
TC4423CPA
TC4423EOE
TC4423EPA
TC4423MJA
TC4424COE
TC4424CPA
TC4424MJA
包
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 55 ° C至+ 125°C
部件号
TC4424EOE
TC4424EPA
TC4425MJA
TC4425COE
TC4425CPA
TC4425EOE
TC4425EPA
包
16引脚SO宽
8引脚塑料DIP
8引脚CERDIP
16引脚SO宽
8引脚塑料DIP
16引脚SO宽
8引脚塑料DIP
功能框图
反相
VDD
300毫伏
产量
输入
4.7V
同相
TC4423双反相
TC4424双非反相
TC4425 ONE INV 。一NONINV 。
GND
有效
输入C = 20 pF的
（每个输入）
2001 Microchip的技术公司
DS21421A
注意事项：
1. TC4425有一个反相和同相1驱动程序。
2.地面任何未使用的驱动器输入。
TC4423 / 4 / 5-6 96年10月21日
3A双高速功率MOSFET驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
绝对最大额定值
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中...... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 55 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
销刀豆网络gurations
16引脚SO宽
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
TC4423
TC4424
TC4425
16
15
14
13
12
11
10
9
4423
NC
4424
NC
4425
NC
8引脚DIP
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
TC4423
TC4424
TC4425
4423
8 NC
4424
NC
4425
NC
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 75 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
我版本............................................ - 25℃至+ 85°C
版本........................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版........................................ - 55 ° C至+ 125 °
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
OUT A OUT A OUT A
OUT A OUT A OUT A
VDD
VDD
VDD
VDD
VDD
VDD
7 OUT A OUT A OUT A
6 VDD
VDD
VDD
5 OUT B OUT B OUT B
OUT B OUT B OUT B
OUT B OUT B OUT B
NC
NC
NC
NC =无连接
注意：
重复的引脚必须
两
连接才能正常运行。
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
OH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
1.5
—
—
—
—
—
2.8
3.5
3
—
—
0.8
1
—
0.025
5
5
—
—
V
V
A
V
V
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
I
转
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
占空比
≤
2%
t
≤
300
微秒
图1 ，C
L
= 1800pF
图1 ，C
L
= 1800pF
图1 ，C
L
= 1800pF
图1 ，C
L
= 1800pF
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
2
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
23
25
33
38
1.5
0.15
35
35
75
75
2.5
0.25
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
DS21421A
电源
I
S
TC4423 / 4 / 5-6 96年10月21日
2001 Microchip的技术公司
3A双高速功率MOSFET驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
电气特性
（续）
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
18V ，除非
另有规定ED 。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流0V
≤
V
IN
≤
V
DD
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
2.4
—
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
1.5
t
≤
300
微秒
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
3.7
4.3
3
—
—
0.8
10
—
0.025
8
8
—
—
V
V
A
V
V
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
产量
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
I
转
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
占空比
≤
2%
承受反向电流
图1 ，C
L
= 1800pF
图1 ，C
L
= 1800pF
图1 ，C
L
= 1800pF
图1 ，C
L
= 1800pF
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
28
32
32
38
2
0.2
60
60
100
100
3.5
0.3
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
电源
I
S
注意：
1.切换的时间保证了设计。
测试电路
VDD = 16V
1
F
WIMA
MKS-2
0.1
F
陶瓷的
测试电路
VDD = 16V
1
F
WIMA
MKS-2
0.1
F
陶瓷的
输入
1
2
TC4423
（ 1/2 TC4425 ）
产量
CL = 1800pF
输入
1
2
TC4424
（ 1/2 TC4425 ）
产量
CL = 1800pF
输入： 100 kHz时，
方波，
TRISE = TFALL
≤
10纳秒
+5V
输入
0V
16V
产量
0V
10%
tD1
90%
输入： 100 kHz时，
方波，
TRISE = TFALL
≤
10纳秒
90%
+5V
输入
0V
10%
90%
tR
10%
90%
tF
tD2
tR
90%
16V
tD1
产量
0V
90%
tD2
10%
tF
10%
10%
图1.反相驱动器开关时间
2001 Microchip的技术公司
DS21421A
图2.同相驱动器开关时间
3
TC4423 / 4 / 5-6 96年10月21日
3A双高速功率MOSFET驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
典型特征
上升时间与电源电压
100
100
下降时间与电源电压
4700 pF的
80
TFALL （纳秒）
4700 pF的
80
TRISE （纳秒）
60
3300 pF的
60
3300 pF的
2200 pF的
40
2200 pF的
40
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
上升时间与容性负载
100
5V
80
TRISE （纳秒）
TFALL （纳秒）
下降时间 - 容性负载
100
5V
80
60
10V
15V
60
10V
15V
40
40
20
20
0
100
1000
C加载（PF ）
10,000
0
100
1000
10,000
CLOAD （PF ）
上升和下降时间与温度的关系
32
30
28
时间（纳秒）
传输延迟与输入幅度
100
C
负载
= 2200 pF的
延迟时间（纳秒）
C
负载
= 2200 pF的
吨下跌
80
吨D1
V DD = 10V
26
24
22
20
吨下跌
5
25
45
65
T上升
T上升
60
40
20
吨D2
18
–55 –35 –15
85
105 125
0
1
2
3
4
的Ta （℃）
TC4423 / 4 / 5-6 96年10月21日
5 6 7
输入电压（V ）
8
9
10 11 12
4
2001 Microchip的技术公司
DS21421A
3A双高速功率MOSFET驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
典型特征
（续）
传播延迟时间与电源电压
50
C加载= 2200 pF的
延迟时间与温度的关系
50
C加载= 2200 pF的
45
45
延迟时间（纳秒）
延迟时间（纳秒）
tD2
40
35
30
25
20
–55 –35 –15
40
35
30
25
20
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
tD2
tD2
tD2
5
25 45
的Ta （℃）
65
85
105 125
静态电流与电源电压
1.4
TA = + 25°C
1
两个输入= 1
1.2
静态电流与温度的关系
IQUIESCENT （毫安）
IQUIESCENT （毫安）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
输入量= 0
5
25 45
的Ta （℃）
65
85
105 125
INPUTS = 1
0.1
两个输入= 0
0.01
4
6
8
10
VDD
12
14
16
18
0.0
–55 –35 –15
输出阻抗（输出高）
- 电源电压
14
12
严重情况下@ TJ = + 150°C
10
8
6
4
2
4
6
8
10
VDD
2001 Microchip的技术公司
DS21421A
输出阻抗（输出低电平）
- 电源电压
14
12
严重情况下@ TJ = + 150°C
10
8
6
4
2
TYP @ TA = + 25°C
RDS（ON） （ Ω ）
TYP @ TA = + 25°C
RDS（ON） （ Ω ）
12
14
16
18
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
5
TC4423 / 4 / 5-6 96年10月21日
TC4423/TC4424/TC4425
3A双高速功率MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 3A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力：
- 1800 pF的在25纳秒
短延迟时间： <40纳秒（典型值）
匹配的上升/下降时间
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 3.5毫安（最大）
- 对于逻辑“0”输入 - 350 μA （最大值）
低输出阻抗： 3.5 （典型值）
闭锁保护：可承受1.5A的反向
当前
逻辑输入可承受负电压最高达
5V
ESD保护： 4 kV的
引脚与TC1426 / TC1427 / TC1428兼容，
TC4426 / TC4427 / TC4428和TC4426A /
TC4427A / TC4428A器件。
节省空间的8引脚6x5 DFN封装
概述
在TC4423 / TC4424 / TC4425器件是一个家庭
3A ，双输出缓冲器/ MOSFET驱动器。销compati-
竹叶提取与TC1426 / 27 /28， TC4426 / 27 /28和
TC4426A / 27A / 28A双1.5A驱动器系列，该
TC4423 / 24/25家族具有增加的闭锁电流
1.5A的评价，使他们更健壮
运行在恶劣的电气环境。
由于MOSFET驱动器，在TC4423 / TC4424 / TC4425可以
易充下1800 pF的栅极电容
35纳秒，提供足够低的阻抗，同时在
开和关状态，以确保MOSFET的预期
国家将不会受到影响，即使是大的瞬变。
的TC4423 / TC4424 / TC4425输入可被驱动
直接由TTL或CMOS （ 2.4V至18V ） 。在
此外，内置的迟滞300 mV的规定
噪声抑制能力，并允许设备从驱动
慢慢地上升或下降的波形。
应用
开关电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
封装类型
(1)
8引脚PDIP
TC4423 TC4424 TC4425
NC
IN A
GND
IN B
1
8
2
TC4423
7
3
TC4424
6
4
TC4425
5
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
16引脚SOIC （宽）
TC4423 TC4424 TC4425
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
8引脚DFN
(2)
TC4423 TC4424 TC4425
NC
1
8
TC4423
TC4424
TC4425
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
NC
OUT A
V
DD
OUT B
IN A
2
GND
3
TC4423
TC4424
TC4425
7
6
5
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
NC
OUT A
OUT A
V
DD
V
DD
OUT B
OUT B
NC
IN B
4
注1 ：
重名的引脚必须同时连接才能正常工作。
2:
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21421E第1页
TC4423/TC4424/TC4425
1.0
电动
特征
绝对最大额定值
电源电压................................................ ................ + 22V
输入电压，单位为A或B中的
................................................ (V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
70°C)
DFN ................................................. ........................
注2
PDIP ................................................. ...................... 730毫瓦
SOIC ................................................. ...................... 470毫瓦
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护承受
的反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 ：
2:
I
S
—
—
1.5
0.15
2.5
0.25
mA
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
23
25
33
38
35
35
75
75
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
图4-1 ，图4-2 ，
C
L
= 1800 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
2.8
3.5
3
>1.5
—
0.025
5
5
—
—
V
V
A
A
值班cycle2 ％ ，T
300
微秒。
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
–1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
0VV
IN
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21421E第3页
TC4423/TC4424/TC4425
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
100
4700 pF的
80
100
4700 pF的
80
t
秋天
（纳秒）
t
上升
（纳秒）
60
3300 pF的
2200 pF的
60
3300 pF的
2200 pF的
40
40
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
20
470 pF的
0
1500 pF的
1000 pF的
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
图2-1：
电压。
100
上升时间与供应
图2-4：
电压。
100
下降时间与供应
5V
80
t
秋天
（纳秒）
80
5V
t
上升
（纳秒）
60
10V
15V
60
10V
15V
40
40
20
20
0
100
1000
C
负载
（PF ）
10,000
0
100
1000
C
负载
（PF ）
10,000
图2-2：
负载。
32
30
28
时间（纳秒）
上升时间与电容
图2-5：
负载。
100
下降时间 - 容性
C
负载
= 2200 pF的
t
秋天
延迟时间（纳秒）
80
C
负载
= 2200 pF的
V
DD
= 10V
t
D1
26
24
22
20
18
-55
t
秋天
t
上升
60
t
上升
40
20
t
D2
-35
-15
5
25 45
T
A
(
°
C)
65
85
105 125
0
1
2
3
4
5 6 7
输入电压（V ）
8
9
10 11 12
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
幅度。
传输延迟与输入
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21421E第5页
QQ：2881677436 复制
