TC4421/TC4422
9A高速MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 9A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高连续输出电流： 2A最大
快速上升和下降时间：
- 30 ns的有4700 pF负载
- 180 ns的有47000 pF负载
短传播延迟： 30 ns（典型值）
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 200 μA （典型值）
- 对于逻辑“0”输入 - 55 μA （典型值）
低输出阻抗： 1.4 （典型值）
闭锁保护：可承受1.5A的输出
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
引脚兼容与TC4420 / TC4429
6A MOSFET驱动器
节省空间的8引脚6x5 DFN封装
概述
在TC4421 / TC4422是大电流缓冲器/驱动器
能够驱动大功率MOSFET和IGBT的。
这些器件基本上不受任何形式的
心烦，除非直接过压或过消散。
它们不能在任何条件下锁存
其功率和电压额定值。这些部件不
如有损坏或操作不当的时候最多
接地反弹的5V出现在他们的接地端
良。他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，
以上任一极性幸福的1A电流电感
被迫返回到输出端。此外，所有的终端
得到充分的保护，免受高达4 kV的静电
放电。
在TC4421 / TC4422的输入可以直接驱动
从TTL或CMOS （ 3V至18V ） 。此外，
滞后的300毫伏内置于输入，提供
抗干扰性和允许设备驱动
从缓缓上升或下降的波形。
随着表面贴装和引脚通孔
包和四个工作温度范围优惠 -
英格斯时， TC4421 / 22系列9A MOSFET驱动器的配合
为大多数应用需要很高的门/线
电容驱动器是必需的。
应用
额外负载很重的线线路驱动器
脉冲发生器
开车最大的MOSFET和IGBT
本地电源ON / OFF开关
电机和电磁驱动器
封装类型
(1)
8引脚PDIP / TC4421 TC4422
SOIC
V
DD
输入
NC
GND
1
8 V
DD
2
TC4421
7 OUTPUT
3
TC4422
6输出
4
5 GND
V
DD
产量
产量
GND
V
DD
1
输入
2
NC
3
GND
4
8引脚DFN
(2)
8
TC4421 TC4422
V
DD
V
DD
5引脚TO- 220
选项卡
常见
到V
DD
TC4421
TC4422
7
6
5
输出输出
输出输出
GND
GND
TC4421
TC4422
注1 ：
重名的引脚必须同时连接才能正常工作。
2:
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
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输入
GND
V
DD
GND
产量
DS21420D第1页
TC4421/TC4422
1.0
电动
特征
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压.................... （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
输入电流（V
IN
＆ GT ; V
DD
） ................................... 50毫安
封装功耗（T
A
≤
70°C)
5引脚TO- 220 ............................................ ........ 1.6W
DFN ................................................. .............
注2
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 750毫瓦
封装功耗（T
A
≤
25°C)
5引脚TO- 220 （带散热器） ........................ 12.5W
热阻抗（大小写）
5引脚TO- 220
θJ -C
...................................... 10 ° C / W
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
连续输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
工作输入电压
注1 ：
2:
3:
I
S
V
DD
—
—
4.5
0.2
55
—
1.5
150
18
mA
A
V
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
60
60
30
33
75
75
60
60
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，
C
L
= 10,000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 10,000 pF的
图4-1
图4-1
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
DC
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
2
—
—
—
1.4
0.9
9.0
—
>1.5
—
0.025
—
1.7
—
—
—
V
V
A
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
DD
= 18V
10V
≤
V
DD
≤
18V ，T
A
= +25°C
（ TC4421 / TC4422 CAT只）
（注3）
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
–10
1.8
1.3
—
—
0.8
+10
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
特性测试，未经生产测试。
2004年Microchip的科技公司
DS21420D第3页
TC4421/TC4422
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
220
200
180
160
22000 pF的
t
秋天
（纳秒）
180
160
140
22000 pF的
120
100
80
60
4700 pF的
40
20
1000 pF的
万pF的
t
上升
（纳秒）
140
120
100
80
60
40
20
0
4
万pF的
4700 pF的
1000 pF的
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
0
4
6
8
10
12
V
DD
(V)
14
16
18
图2-1：
电压。
300
上升时间与供应
图2-4：
电压。
300
下降时间与供应
5V
250
10V
200
150
15V
100
50
0
100
250
10V
200
150
5V
t
秋天
（纳秒）
t
上升
（纳秒）
15V
100
50
0
100
1000
10,000
C
负载
（PF ）
100,000
1000
10,000
C
负载
（PF ）
100,000
图2-2：
负载。
90
80
70
60
上升时间与电容
图2-5：
负载。
50
下降时间 - 容性
C
负载
= 10,000 pF的
V
DD
= 15V
C
负载
= 1000 pF的
45
时间（纳秒）
时间（纳秒）
40
t
上升
50
40
30
35
t
D1
t
D2
t
秋天
30
-40
0
40
T
A
(
°
C)
80
120
25
4
6
8
10
12
14
16
18
V
DD
(V)
图2-3：
温度。
上升和下降时间与
图2-6：
电源电压。
传输延迟 -
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