【1TC4421TC44229A高速MOSFET驱动器特点ssss艰难的CMOS施工高峰值输出电流..】,IC型号TC4421MJA,TC4421MJA PDF资料,TC4421MJA经销商,ic,电子元器件-51电子网

1

TC4421

TC4422

9A高速MOSFET驱动器

特点

s

艰难的CMOS

施工

高峰值输出电流.................................. 9A

高连续输出电流............... 2A最大

快速的上升和下降时间：

- 30纳秒与4700 pF负载

- 180纳秒有47000 pF负载

短期内延迟............................ 30nsec典型值

低输出阻抗............................ 1.4W典型值

概述

在TC4421 / 4422顷高电流缓冲器/驱动器

能够驱动大功率MOSFET和IGBT的。

它们基本上不受任何干扰因素的影响

除非直接过压或过耗散 - 他们可以 -

他们的权力和在任何条件下不被锁定

额定电压;它们不受损坏或不正确的

操作时可达地面反弹的5V上存在

它们的接地端;他们能够接受，要么不

损坏或逻辑混乱，超过1A的感应电流

任一极性被迫返回到输出端。此外

化，所有引脚都被充分保护，免受高达4千伏

静电放电。

在TC4421 / 4422输入可直接驱动

TTL或CMOS （ 3V至18V ）。此外， 300毫伏

磁滞内置于输入，提供抗噪声

并允许设备从缓慢上升或驱动

下降的波形。

2

3

4

5

6

7

s

应用

s

对于特高负载线线路驱动器

脉冲发生器

开车最大的MOSFET和IGBT

本地电源ON / OFF开关

电机和电磁驱动器

销刀豆网络gurations

5引脚TO- 220

8引脚塑料DIP / CERDIP

V

DD

1

8 V

DD

7 OUTPUT

订购信息

产品型号

TC4421CAT

TC4421CPA

TC4421EPA

TC4421MJA

TC4422CAT

TC4422CPA

TC4422EPA

TC4422MJA

包

5引脚TO- 220

8引脚PDIP

8引脚CERDIP

5引脚TO- 220

8引脚PDIP

8引脚CERDIP

温度范围

0 ° C至+ 70°C

- 40 ° C至+ 85°C

- 55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

- 40 ° C至+ 85°C

- 55 ° C至+ 125°C

输入2

TC4421

TC4422

选项卡

常见

到V

DD

输入

GND

V

DD

GND

产量

NC 3

GND 4

TC4421

TC4422

6输出

5 GND

注意：

重复的引脚必须

两

连接

正确操作。

NC =无连接

功能框图

反相

V

DD

300毫伏

产量

输入

4.7V

同相

TC4421/TC4422

反相/同相

GND

有效

输入的C

25 pF的

TC4421 / 2-7 -1018/96

8

4-231

TELCOM半导体，INC。的

9A高速MOSFET驱动器

TC4421

TC4422

绝对最大额定值*

功耗，T

A

≤

70°C

PDIP ................................................. ................. 730W

CERDIP ................................................. ........... 800mW的

5引脚TO- 220 ............................................ .......... 1.6W

功耗，T

A

≤

70°C

5引脚TO- 220 （带散热片） ......................... 1.60W

降额因子（到环境）

PDIP ................................................. ............ 8MW /°C的

CERDIP ................................................. ...... 6.4MW /°C的

5引脚TO- 220 ............................................ .. 12MW /°C的

热阻抗（大小写）

5引脚TO- 220

QJ -C ............................................... ......

10°C/W

储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C

工作温度（芯片） ................................ 150℃

工作温度（环境）

C版............................................... 0 ° C至+ 70°C

版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C

M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C

焊接温度（ 10秒） ..................................... 300℃

电源电压................................................ ............ 20V

输入电压.......................... （V

DD

+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）

输入电流（V

IN

＆ GT ; V

DD

） ........................................ 50毫安

*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电

材料。防止静电放电和静电场的设备。讲

超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-

新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其他条件的操作

在规范的操作部分表示是不是暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下工作会

影响器件的可靠性。

电气特性：

T

A

= 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V ，除非另有规定。

符号

输入

V

IH

V

IL

I

IN

逻辑1输入电压

逻辑0输入电压

输入电流

2.4

—

– 10

1.8

1.3

—

0.8

10

V

A

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

产量

V

OH

V

OL

R

O

R

O

I

PK

I

DC

I

转

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

峰值输出电流

连续输出电流

闭锁保护

见图1

V

DD

= 18V ，我

O

= 10毫安

V

DD

= 18V ，我

O

= 10毫安

V

DD

= 18V

10V

≤

V

DD

≤

18V ，T

C

= 25°

（ TC4421 / CAT 22只）

占空比

≤

2%

承受反向电流

V

DD

– 0.025

—

2

>1500

t

≤

300

微秒

—

1.4

0.9

9

—

0.025

—

1.7

—

V

A

mA

—

开关时间

（注1 ）

t

R

t

F

t

D1

t

D2

上升时间

下降时间

延迟时间

图1 ，C

L

= 10,000 pF的

图1 ，C

L

= 10,000 pF的

图1

—

60

30

33

75

60

纳秒

电源

I

S

V

DD

电源电流

工作输入电压

逻辑1输入电压

逻辑0输入电压

输入电流

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

—

4.5

2.4

—

– 10

0.2

55

—

1.5

150

18

—

0.8

10

mA

A

V

A

输入

V

IH

V

IL

I

IN

4-232

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

TELCOM半导体，INC。的

9A高速MOSFET驱动器

TC4421

TC4422

电气特性（续）：

符号

输入

V

IH

V

IL

I

IN

逻辑1输入电压

逻辑0输入电压

输入电流

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

上升时间

下降时间

延迟时间

电源电流

工作输入电压

2.4

—

– 10

V

DD

– 0.025

—

4.5

—

2.4

1.8

60

50

65

0.45

0.06

—

0.8

10

—

0.025

3.6

2.7

120

80

3

0.2

18

V

A

V

W

纳秒

mA

V

1

测量在工作温度范围内具有4.5V

≤

V

S

≤

18V ，除非另有规定。

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

2

3

4

5

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

见图1

V

DD

= 18V ，我

O

= 10毫安

V

DD

= 18V ，我

O

= 10毫安

图1 ，C

L

= 10,000 pF的

图1 ，C

L

= 10,000 pF的

图1

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

产量

V

OH

V

OL

R

O

R

O

t

R

t

F

t

D1

t

D2

开关时间（注1 ）

电源

I

S

V

DD

注意：

1.切换的时间保证了设计。

V

DD

= 18V

0.1

F

1

0.1

F

2

6

7

8

0.1

F

+5V

90%

输入

0V

输入

产量

6

t

R

10%

t

D1

t

F

t

D2

+18V

90%

产量

C L = 10,000 pF的

TC4421

4

5

0V

10%

7

输入：

100 kHz时，方波，

t

上升

= t

秋天

≤

10nsec

图1.开关时间测试电路

8

4-233

TELCOM半导体，INC。的

9A高速MOSFET驱动器

TC4421

TC4422

典型特征

上升时间与电源电压

220

200

180

160

下降时间与电源电压

TRISE （纳秒）

160

140

120

100

80

60

40

20

0

4

6

TFALL （纳秒）

22000 pF的

140

22000 pF的

120

100

80

60

4700 pF的

万pF的

4700 pF的

1000 pF的

40

20

1000 pF的

0

8

10

V

DD

12

14

16

18

4

6

8

10

12

VDD

14

16

18

上升时间与容性负载

300

5V

250

10V

300

下降时间 - 容性负载

5V

10V

TFALL （纳秒）

TRISE （纳秒）

200

150

15V

100

50

0

100

200

150

15V

100

50

0

100

1000

10,000

CLOAD （PF ）

100,000

1000

10,000

CLOAD （PF ）

100,000

上升和下降时间与温度的关系

90

80

70

60

传输延迟与电源电压

50

C加载= 1000 pF的

45

C

LOAD = 10,000 pF的

VDD = 15V

时间（纳秒）

40

T上升

50

40

30

35

tD1

tD2

吨下跌

30

–40

0

40

的Ta （℃）

80

120

25

4

6

8

10

12

VDD

14

16

18

4-234

TELCOM半导体，INC。的

9A高速MOSFET驱动器

TC4421

TC4422

典型特征

（续）

电源电流与容性负载

(V

DD

= 18V)

220

200

180

160

2兆赫

180

47000 pF的

160

140

万pF的

22000 pF的

1

电源电流与频率的关系

(V

DD

= 18V)

2

3

ISUPPLY （毫安）

140

120

100

80

60

40

20

0

100

1000

10,000

CLOAD （PF ）

100,000

632千赫

200千赫

20千赫

1.125兆赫

63.2千赫

ISUPPLY （毫安）

120

100

80

60

40

20

0

10

100

频率（kHz ）

1000

470 pF的

4700 pF的

0.1 F

电源电流 - 容性负载，

(V

DD

= 12)

180

160

140

180

160

140

电源电流与频率的关系

(V

DD

= 12)

22000 pF的

万pF的

47000 pF的

4

5

ISUPPLY （毫安）

100

80

60

40

20

0

2兆赫

63.2千赫

1.125兆赫

632千赫

200千赫

ISUPPLY （毫安）

120

100

80

60

40

0.1 F

4700 pF的

20千赫

20

0

470 pF的

100

1000

10,000

CLOAD （PF ）

100,000

10

100

频率（kHz ）

1000

6

7

电源电流与容性负载

(V

DD

= 6V)

100

90

80

70

200千赫

100

120

电源电流与频率的关系

(V

DD

= 6V)

47000 pF的

22000 pF的

ISUPPLY （毫安）

60

50

40

30

20

10

0

100

1000

10,000

CLOAD （PF ）

20千赫

2兆赫

632千赫

63.2千赫

ISUPPLY （毫安）

80

4700 pF的

60

40

0.1 F

20

万pF的

470 pF的

100,000

0

10

100

频率（kHz ）

1000

8

4-235

TELCOM半导体，INC。的

M

特点

TC4421/TC4422

套餐类型

TO-220-5

8引脚PDIP / CERDIP

V

DD

1

输入2

8 V

DD

9A高速MOSFET驱动器

应用

对于特高负载线线路驱动器

脉冲发生器

开车最大的MOSFET和IGBT

本地电源ON / OFF开关

电机和电磁驱动器

NC =无连接

注意：

重名的引脚必须同时连接才能正常工作。

概述

在TC4421 / TC4422为高电流缓冲器/驱动器

能够驱动大功率MOSFET和IGBT的。

它们基本上不受任何干扰因素的影响

除非直接过压或过耗散 - 他们

不能在任何条件下其锁存

功率和额定电压;它们不受

损坏或操作不当，当达到地面5V

反弹是存在于它们的接地端;他们可以

接受，没有任何损坏或逻辑混乱，更

比任一极性的1A电感电流被迫

返回到输出端。另外，所有端子都充分

防止了静电放电4kV的。

在TC4421 / TC4422的输入可以直接驱动

从TTL或CMOS （ 3V至18V ）。此外，

滞后的电压为300mV，内置于所述输入，提供

抗干扰性和允许设备驱动

从缓缓上升或下降的波形。

器件选型表

产品型号

TC4421CAT

TC4421CPA

TC4421EPA

TC4421MJA

TC4422CAT

TC4422CPA

TC4422EPA

TC4422MJA

包

5引脚TO- 220

8引脚PDIP

8引脚CERDIP

5引脚TO- 220

8引脚PDIP

8引脚CERDIP

TEMP 。 RANGE

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

0 ° C至+ 70°C

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

功能框图

反相

V

DD

300mV

产量

输入

4.7V

同相

TC4421/TC4422

反相/同相

GND

有效

输入

C = 25PF

2002年Microchip的科技公司

输入

GND

V

DD

GND

产量

艰难的CMOS建设

高峰值输出电流： 9A

高连续输出电流： 2A最大

快速的上升和下降时间：

- 30nsec与4,700pF负载

- 180nsec与47,000pF负载

短延迟时间是： 30nsec典型。

低输出阻抗： 1.4Ω典型值。

TC4421

TC4422

选项卡

常见

到V

DD

NC 3

GND 4

TC4421

TC4422

7 OUTPUT

6输出

5 GND

DS21420B第1页

TC4421/TC4422

1.0

电动

特征

*超出上述"Absolute最大上市

Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些

仅仅是极限参数和设备的功能操作

在这些或任何上述的那些其他条件中指示的

规范的操作部分将得不到保证。

暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值*

电源电压................................................ ..... + 20V

输入电压.................... （V

DD

+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）

输入电流（V

IN

＆ GT ; V

DD

） .................................... 50毫安

封装功耗（T

A

≤

70°C)

PDIP ................................................. ........ 730mW

CERDIP....................................................800mW

5引脚TO- 220 ............................................ 1.6W ....

封装功耗（T

A

≤

25°C)

5引脚TO- 220 （带散热器） .................... 12.5W

降额因子（到环境）

PDIP ................................................. ....... 8MW /°C的

CERDIP................................................6.4mW/°C

5引脚TO- 220 ......................................... 12MW / °

热阻抗（大小写）

5引脚TO- 220

θ

J-

..................................10°C/W

工作温度范围（环境）

C版......................................... 0 ° C至+ 70 °

版本......................................- 40 ° C至+ 85°C

M版...................................- 55 ° C至+ 125°C

存储温度范围..............- 65 ° C至+ 150°C

TC4421 / TC4422电气规范

电气特性：

T

A

= + 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V，除非另有说明。

符号

输入

V

IH

V

IL

I

IN

产量

V

OH

V

OL

R

O

R

O

I

PK

I

DC

I

转

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

峰值输出电流

连续输出电流

闭锁保护

承受反向电流

上升时间

下降时间

延迟时间

1:

开关时间由设计保证。

参数

民

典型值

最大

单位

测试条件

逻辑1 ，高输入电压

逻辑0 ，低输入电压

输入电流

2.4

—

-10

V

DD

– 0.025

—

2

—

1.8

1.3

—

1.4

0.9

9

—

>1.5

—

0.8

10

—

0.025

—

1.7

—

V

A

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

图3-1

I

OUT

= 10毫安，V

DD

= 18V

I

OUT

= 10毫安，V

DD

= 18V

V

DD

= 18V

10V

≤

V

DD

≤

18V ，T

A

= +25°C

（ TC4421 / TC4422 CAT只）

占空比

≤

2%, t

≤

300

美国证券交易委员会

V

A

开关时间

（注1 ）

t

R

t

F

t

D1

t

D2

记

—

60

30

33

75

60

纳秒

图3-1 ，C

L

= 10,000pF

图3-1 ，C

L

= 10,000pF

图3-1

DS21420B第2页

2002年Microchip的科技公司

TC4421/TC4422

TC4421 / TC4422电气规范（续）

电气特性：

T

A

= + 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V，除非另有说明。

符号

电源

I

S

V

DD

符号

输入

V

IH

V

IL

I

IN

产量

V

OH

V

OL

R

O

R

O

t

R

t

F

t

D1

t

D2

I

S

V

DD

记

1:

参数

民

典型值

最大

单位

测试条件

电源电流

工作输入电压

—

4.5

0.2

55

—

1.5

150

18

mA

A

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

电气特性：

在工作温度范围内具有4.5V

≤

V

DD

≤

18V，除非另有说明。

参数

民

典型值

最大

单位

测试条件

逻辑1 ，高输入电压

逻辑0 ，低输入电压

输入电流

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

上升时间

下降时间

延迟时间

电源电流

工作输入电压

开关时间由设计保证。

2.4

—

-10

V

DD

– 0.025

—

4.5

—

2.4

1.8

60

50

65

0.45

0.06

—

0.8

10

—

0.025

3.6

2.7

120

80

3

0.2

18

V

A

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

图3-1

I

OUT

= 10毫安，V

DD

= 18V

I

OUT

= 10毫安，V

DD

= 18V

图3-1 ，C

L

= 10,000pF

图3-1 ，C

L

= 10,000pF

图3-1

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

V

开关时间

（注1 ）

纳秒

mA

V

电源

2002年Microchip的科技公司

DS21420B第3页

TC4421/TC4422

2.0

引脚说明

的引脚说明如表2-1所示。

表2-1：

PIN号

（ 8引脚PDIP ，

CERDIP ）

1

2

3

4

5

6

7

8

引脚功能表

符号

V

DD

输入

NC

GND

产量

V

DD

电源输入， 4.5V至18V 。

控制输入， TTL / CMOS兼容输入。

无连接。

地面上。

CMOS图腾柱输出。

电源输入， 4.5V至18V 。

描述

PIN号

（ 5引脚TO- 220 ）

1

2

3

4

5

符号

输入

GND

V

DD

GND

产量

描述

控制输入， TTL / CMOS兼容输入。

地面上。

电源输入， 4.5V至18V 。

地

CMOS图腾柱输出。

DS21420B第4页

2002年Microchip的科技公司

TC4421/TC4422

3.0

应用信息

开关时间测试电路

V

DD

= 18V

图3-1：

0.1F

1

8

+5V

90%

输入

0.1F

2

6

7

0.1F

0V

10%

t

D1

90%

t

F

t

D2

输入

产量

+18V

t

R

90%

产量

C

L

= 10,000pF

0V

10%

TC4421

4

5

输入： 100kHz时，

方波，

t

上升

= t

秋天

≤

10nsec

2002年Microchip的科技公司

DS21420B第5页

TC4421M/TC4422M

9A高速MOSFET驱动器

特点

高峰值输出电流： 9A

宽输入电源电压工作范围：

- 4.5V至18V

高连续输出电流： 2A最大

快速上升和下降时间：

- 30 ns的有4700 pF负载

- 180 ns的有47000 pF负载

短传播延迟： 30 ns（典型值）

低电源电流：

- 对于逻辑“1”输入 - 200 μA （典型值）

- 对于逻辑“0”输入 - 55 μA （典型值）

低输出阻抗： 1.4 （典型值）

闭锁保护：可承受1.5A的输出

反向电流

输入：可承受的负输入高达5V

引脚兼容与TC4420M / TC4429M

6A MOSFET驱动器

宽工作温度范围：

- -55 ° C至+ 125°C

见TC4421 / TC4422数据手册（ DS21420 ）为

附加的温度范围和包

供品

概述

该TC4421M / TC4422M是大电流缓冲器/

驱动能够驱动大功率MOSFET和IGBT的。

它们基本上不受任何干扰因素的影响，

除非直接过压或过消散。他们

无法被锁定，在任何条件下，在其

功率和额定电压。这些部件不受

损坏或操作不当的时候高达5V

接地反弹存在于它们的接地端。

他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，更

比任一极性的1A电感电流被迫

返回到输出端。另外，所有端子都充分

防止高达4 kV的静电放电。

该TC4421M / TC4422M输入可直接驱动

从TTL或CMOS （ 3V至18V ）。此外，

滞后的300毫伏内置于输入，提供

抗干扰性和允许设备驱动

从缓缓上升或下降的波形。

封装类型

8引脚CERDIP

TC4421M

TC4422M

V

DD

输入

NC

GND

注意：

1

2

3

4

TC4421M TC4422M

8

7

6

5

V

DD

产量

GND

V

DD

产量

GND

应用

额外负载很重的线线路驱动器

脉冲发生器

开车最大的MOSFET和IGBT

本地电源ON / OFF开关

电机和电磁驱动器

重复的引脚必须都有连接，

正确的操作。

2005年Microchip的科技公司

DS21934A第1页

TC4421M/TC4422M

功能框图

V

DD

TC4421M

反相

300毫伏

产量

输入

4.7V

TC4422M

非反相

GND

有效

输入

C = 25 pF的

DS21934A第2页

2005年Microchip的科技公司

TC4421M/TC4422M

1.0

电动

特征

注意，超出上述绝对最大的“上市

“，可能对器件造成永久性损坏。这些

仅仅是极限参数和设备的功能操作

在这些或任何上述的那些其他条件中指示的

规范的操作部分将得不到保证。

暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值？

电源电压................................................ ..... + 20V

输入电压.................... （V

DD

+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）

输入电流（V

IN

＆ GT ; V

DD

） ................................... 50毫安

DC特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V.

参数

输入

逻辑“1” ，高输入电压

逻辑“0” ，低输入电压

输入电流

产量

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

峰值输出电流

闭锁保护

承受反向电流

开关时间（注1 ）

上升时间

下降时间

延迟时间

电源

电源电流

工作输入电压

注1 ：

I

S

V

DD

—

4.5

0.2

55

—

1.5

150

18

mA

A

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

t

R

t

F

t

D1

t

D2

—

60

30

33

75

60

ns

图4-1 ，

C

L

= 10,000 pF的

图4-1 ，

C

L

= 10,000 pF的

图4-1

V

OH

V

OL

R

OH

R

OL

I

PK

I

转

V

DD

– 0.025

—

1.4

0.9

9.0

>1.5

—

0.025

—

1.7

—

V

Ω

A

直流测试

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

V

DD

= 18V

占空比

≤

2%, t

≤

300微秒

V

IH

V

IL

I

IN

2.4

—

-10

1.8

1.3

—

0.8

+10

V

A

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

符号

民

典型值

最大

单位

条件

开关时间由设计保证。

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DS21934A第3页

TC4421M/TC4422M

直流特性（在整个工作温度范围内）

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V

≤

V

DD

≤

18V.

参数

输入

逻辑“1” ，高输入电压

逻辑“0” ，低输入电压

输入电流

产量

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

开关时间（注1 ）

上升时间

下降时间

延迟时间

电源

电源电流

工作输入电压

注1 ：

I

S

V

DD

—

4.5

—

3

0.2

18

mA

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

t

R

t

F

t

D1

t

D2

—

60

50

65

120

80

ns

图4-1 ，

C

L

= 10,000 pF的

图4-1 ，

C

L

= 10,000 pF的

图4-1

V

OH

V

OL

R

OH

R

OL

V

DD

– 0.025

—

2.4

1.8

—

0.025

3.6

2.7

V

Ω

直流测试

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

V

IH

V

IL

I

IN

2.4

—

-10

—

0.8

+10

V

A

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

符号

民

典型值

最大

单位

条件

开关时间由设计保证。

温度特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，所有参数适用于4.5V

≤

V

DD

≤

18V.

参数

温度范围

规定温度范围（M ）

最高结温

存储温度范围

封装热阻

热阻，8 - CERDIP

θ

JA

—

150

—

° C / W

T

A

T

J

T

A

-55

—

-65

—

+125

+150

°C

符号

民

典型值

最大

单位

条件

DS21934A第4页

2005年Microchip的科技公司

TC4421M/TC4422M

2.0

注意：

典型性能曲线

提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限

提供，仅供参考样本和。在所列特性

未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外

工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。

注意：

除非另有说明，T

A

= + 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V.

220

200

180

160

140

120

100

80

60

40

20

0

4

万pF的

4700 pF的

1000 pF的

6

8

10

12

V

DD

(V)

14

16

18

22000 pF的

180

160

140

22000 pF的

t

秋天

（纳秒）

t

上升

（纳秒）

120

100

80

60

4700 pF的

40

20

1000 pF的

0

4

6

8

10

12

V

DD

(V)

14

16

18

万pF的

图2-1：

电压。

300

上升时间与供应

图2-4：

电压。

300

下降时间与供应

5V

250

10V

200

150

15V

100

50

0

100

250

10V

200

150

5V

t

秋天

（纳秒）

t

上升

（纳秒）

15V

100

50

0

100

1000

10,000

C

负载

（PF ）

100,000

1000

10,000

C

负载

（PF ）

100,000

图2-2：

负载。

90

80

70

60

上升时间与电容

图2-5：

负载。

50

下降时间 - 容性

C

负载

= 10,000 pF的

V

DD

= 15V

C

负载

= 1000 pF的

45

时间（纳秒）

40

t

上升

50

40

30

35

t

D1

t

D2

t

秋天

30

-40

0

40

T

A

(

°

C)

80

120

25

4

6

8

10

12

14

16

18

V

DD

(V)

图2-3：

温度。

上升和下降时间与

图2-6：

电源电压。

传输延迟 -

2005年Microchip的科技公司

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