TC4421A/TC4422A
9A高速MOSFET驱动器
特点
高峰值输出电流： 10A （典型值）。
低直通/交叉传导电流的
输出级
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高连续输出电流： 2A （最大）
匹配的快速上升和下降时间：
- 15 ns的有4700 pF负载
- 135 ns的有47000 pF负载
匹配的短传播延迟： 42 ns（典型值）。
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入 - 130 μA （典型值）。
- 对于逻辑“0”输入 - （典型值）， 33 μA
低输出阻抗： 1.2 （典型值）。
闭锁保护：可承受1.5A的输出
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
引脚兼容与TC4420 / TC4429
和TC4421 / TC4422 MOSFET驱动器
节省空间的，热增强型8引脚DFN
包
概述
该TC4421A / TC4422A得到改进的版本
单输出的更早TC4421 / TC4422系列
MOSFET驱动器。这些设备是大电流
能够驱动大功率MOSFET缓冲/驱动器和
绝缘栅双极晶体管（IGBT ） 。该
TC4421A / TC4422A具有匹配的输出上升和下降
次，以及与之匹配的前导和下降沿
传播延迟时间。该TC4421A / TC4422A
器件还具有极低的交叉导通电流，
降低了设备的整体功耗。
这些器件基本上不受任何形式的
心烦，除非直接过压或过消散。
它们不能在任何条件下锁存
其功率和电压额定值。这些部件不
如有损坏或操作不当的时候最多
接地反弹的5V出现在他们的地上
终端。他们能够接受，而不会损坏或逻辑
任一极性的心烦意乱，超过1A的感应电流
被迫返回到输出端。此外，所有的
终端完全免受高达4千伏
静电放电。
该TC4421A / TC4422A输入可直接驱动
从TTL或CMOS （ 3V至18V ） 。此外，
滞后的300毫伏内置于输入，提供
抗干扰性和允许设备驱动
从缓缓上升或下降的波形。
随着表面贴装和引脚通孔
包中，除了一个很宽的工作温度
范围内时， TC4421A / TC4422A家族9A MOSFET的
驱动程序适用于大多数的应用程序需要很高的门/线
电容驱动器是必需的。
应用
额外负载很重的线线路驱动器
脉冲发生器
开车最大的MOSFET和IGBT
本地电源ON / OFF开关
电机和电磁驱动器
LF引发
封装类型
(1)
TC4421A TC4422A
8-Pin
PDIP / SOIC
V
DD
输入
NC
GND
1
8 V
DD
2
TC4421A
7 OUTPUT
3
TC4422A
6输出
4
5 GND
V
DD
产量
产量
GND
V
DD
1
输入
2
NC
3
GND
4
8引脚DFN
(2)
TC4421A TC4422A
8
5引脚TO- 220
选项卡
常见
到V
DD
TC4421A
TC4422A
V
DD
V
DD
TC4421A
TC4422A
7
6
5
输出输出
输出输出
GND
GND
注1 ：
重名的引脚必须同时连接才能正常工作。
2:
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
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输入
GND
V
DD
GND
产量
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TC4421A/TC4422A
1.0
电动
特征
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压.................... （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
输入电流（V
IN
＆ GT ; V
DD
） ................................... 50毫安
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
输入电压
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
连续输出电流
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
DC
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
2
—
—
1.25
0.8
10.0
—
—
0.025
1.5
1.1
—
—
V
V
Ω
Ω
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
DD
= 18V
10V
≤
V
DD
≤
18V ，T
A
= +25°C
（ TC4421A / TC4422A CAT只）
（注2 ）
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒
V
IH
V
IL
I
IN
V
IN
2.4
—
–10
–5
1.8
1.3
—
—
—
0.8
+10
V
DD
– 0.3
V
V
A
V
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
传播延迟时间
传播延迟时间
电源
电源电流
工作输入电压
注1 ：
2:
I
转
—
>1.5
—
A
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
V
DD
—
—
—
—
—
—
4.5
28
26
38
42
130
35
—
34
32
45
49
250
100
18
ns
ns
ns
ns
A
A
V
图4-1 ，
C
L
= 10,000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 10,000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 10,000 pF的
图4-1 ，
C
L
= 10,000 pF的
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
开关时间由设计保证。
特性测试，未经生产测试。
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DS21946A第3页
TC4421A/TC4422A
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
180
160
上升时间（纳秒）
22000 pF的
300
250
下降时间（纳秒）
5V
140
120
100
80
60
40
20
0
4
6
200
150
100
50
0
100
10V
15V
万pF的
1000 pF的
100 pF的
8
10
12
14
16
18
1000
10000
100000
电源电压（ V）
容性负载（PF ）
图2-1：
电压。
300
250
上升时间（纳秒）
200
上升时间与供应
图2-4：
负载。
55
V
DD
= 15V
下降时间 - 容性
50
5V
10V
45
时间（纳秒）
40
35
30
25
20
t
秋天
t
上升
150
100
15V
50
0
100
1000
10000
100000
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
容性负载（PF ）
图2-2：
负载。
180
160
140
下降时间（纳秒）
120
100
80
60
40
20
0
4
6
8
1000 pF的
上升时间与电容
图2-5：
温度。
1E-7
10
-7
交叉能源（ A·秒）
上升和下降时间与
22000 pF的
1E-8
10
-8
万pF的
100 pF的
1E-9
10
-9
10
12
14
16
18
4
6
8
10
12
14
16
18
电源电压（ V）
电源电压（ V）
图2-3：
电压。
下降时间与供应
图2-6：
电压。
交叉能源与电源
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