TC4420/TC4429
6A高速MOSFET驱动器
特点
闭锁保护：可承受>1.5A
反向输出电流
逻辑输入可承受负电压最高达
5V
ESD保护： 4 kV的
匹配的上升和下降时间：
- 25纳秒（ 2500 pF负载）
高峰值输出电流： 6A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至18V
高容性负载驱动能力：10,000 pF的
短延迟时间： 55 ns（典型值）。
CMOS / TTL兼容输入
低电源电流逻辑“1”输入：
- 450 μA （典型值）。
低输出阻抗： 2.5
输出电压摆幅，以在地的25毫伏
或V
DD
节省空间的8引脚SOIC和8引脚6x5 DFN
套餐
概述
的TC4420 / TC4429是6A （峰值），单输出
MOSFET驱动器。该TC4429是一个反相驱动器
（管脚兼容的TC429 ），而TC4420是一个
非反相驱动器。这些驱动程序制作
CMOS的低功耗和更高效的操作
与双极驱动程序。
这两款器件具有TTL / CMOS兼容输入，
可以被驱动为高以V
DD
+ 0.3V或低至-5V
没有冷门或损坏设备。这消除
需要外部电平转换电路和其
相关联的成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨，
确保更好的驱动电压裕量，特别是在
上电/断电排序。孳生
延迟时间仅为55纳秒（典型值）和输出兴衰
时间只有25纳秒（典型值）为2500 pF的跨越
可使用的电源电压范围。
不像其他的驱动程序时， TC4420 / TC4429几乎
闭锁证明。他们取代三个或更多的离散
部件，节省PCB面积，部位和改进
整个系统的可靠性。
应用
开关模式电源
电机控制
脉冲变压器驱动器
D类开关放大器
封装类型
(1)
8引脚CERDIP /
PDIP / SOIC
V
DD
输入
NC
GND
1
2
3
4
8
TC4420
V
DD
产量
产量
GND
TC4429
V
DD
产量
产量
GND
V
DD
1
输入2
NC 3
GND 4
8引脚DFN
(2)
8
TC4420 TC4429
V
DD
V
DD
5引脚TO- 220
选项卡
常见
到V
DD
TC4420
TC4429
7
6
5
TC4420
TC4429
7
6
5
输出输出
输出输出
GND
GND
TC4420
TC4429
注1 ：
2:
重名的引脚必须同时连接才能正常工作。
DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。
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输入
GND
V
DD
GND
产量
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TC4420/TC4429
1.0
电动
特征
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压............................. - 5V到V
DD
+ 0.3V
输入电流（V
IN
＆ GT ; V
DD
） ................................... 50毫安
功率耗散（T
A
≤
70°C)
5引脚TO- 220 ............................................ ........ 1.6W
CERDIP ................................................. ...... 800毫瓦
DFN ............................................ ..... ..............注
2
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
封装功耗（T
A
≤
25°C)
5引脚TO- 220 （带散热器） ........................ 12.5W
热阻抗（大小写）
5引脚TO- 220
θJ -C
...................................... 10 ° C / W
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑'1' ，高投入
电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电压范围
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
工作输入电压
注1 ：
2:
I
S
V
DD
—
—
4.5
0.45
55
—
1.5
150
18
mA
A
V
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
25
25
55
55
35
35
75
75
ns
ns
ns
ns
图4-1 ，
C
L
= 2500 pF的
图4-1 ，
C
L
= 2500 pF的
图4-1
图4-1
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
2.1
1.5
6.0
＆ GT ; 1.5
—
0.025
2.8
2.5
—
—
V
V
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
DD
= 18V
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
2.4
—
–5
–10
1.8
1.3
—
—
—
0.8
V
DD
+0.3
+10
V
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
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DS21419C第3页
TC4420/TC4429
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
120
100
100
80
60
C
L
= 10,000 pF的
80
时间（纳秒）
时间（纳秒）
60
C
L
= 10,000 pF的
C
L
= 4700 pF的
40
40
C
L
= 4700 pF的
C
L
= 2200 pF的
C
L
= 2200 pF的
20
0
20
5
7
9
11
13
15
0
5
7
9
11
13
15
电源电压（ V）
电源电压（ V）
图2-1：
电压。
100
80
60
时间（纳秒）
上升时间与供应
图2-4：
电压。
100
80
60
时间（纳秒）
下降时间与供应
40
V
DD
= 5V
40
V
DD
= 5V
V
DD
= 12V
V
DD
= 18V
V
DD
= 12V
V
DD
= 18V
20
20
10
1000
Capcitive负载（PF ）
10,000
10
1000
容性负载（PF ）
10,000
图2-2：
负载。
50
上升时间与电容
图2-5：
负载。
84
下降时间 - 容性
C
L
= 2200 pF的
V
DD
= 18V
40
电源电流（mA ）
V
DD
= 15V
70
56
42
延迟时间（纳秒）
t
D2
30
t
D1
20
500千赫
28
10
200千赫
14
20千赫
0
–60
–20
20
60
的Ta （℃）
100
140
0
0
100
1000
容性负载（PF ）
10,000
图2-3：
温度。
传输延迟时间 -
图2-6：
容性负载。
电源电流与
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