【1TC4420TC44296A高速MOSFET驱动器特点ssssssssssss闭锁保护......】,IC型号TC4420CPA,TC4420CPA PDF资料,TC4420CPA经销商,ic,电子元器件-51电子网

1

TC4420

TC4429

6A高速MOSFET驱动器

特点

s

闭锁保护.............可承受> 1.5A

反向输出电流

逻辑输入可承受负电压高达

至5V

ESD保护................................................ .....为4kV

匹配的上升和下降时间...................... 25nsec

高峰值输出电流......................... 6A峰值

宽工作范围.......................... 4.5V至18V

高容性负载驱动.....................万pF的

短延迟时间.................................. 55nsec典型值

逻辑高输入，任何电压............. 2.4V至V

DD

低电源电流，逻辑"1"输入... 450

A

低输出阻抗.................................... 2.5

输出电压摆幅，以在地的为25mV

或V

DD

概述

的TC4420 / 4429顷6A （峰值），单输出MOSFET

驱动程序。该TC4429是一个反相驱动器（引脚兼容

用TC429 ），而TC4420是一个非反相驱动器。

这些驱动程序在制造CMOS的低功耗，更

高效的运行与双极驱动程序。

两款器件均提供TTL兼容的输入，可以是

从动高达V

DD

+ 0.3V或低至 - 5V无冷门

或损坏设备。这消除了对

外部的电平转换电路及其相关的成本和

尺寸。输出摆幅为轨到轨确保更好的车程

电压裕量，尤其是在上电/掉电

测序。传输时延时间仅为55nsec （典型值）

而输出上升和下降时间仅为25nsec （典型值）转换成

在整个可用的电源电压范围2500pF的。

不像其他的驱动程序时， TC4420 / 4429顷几乎

闭锁证明。他们取代三个或更多的离散康波

堂费节省了PCB面积，部位和提高系统的整体

可靠性。

2

3

4

5

6

7

应用

s

开关模式电源

电机控制

脉冲变压器驱动器

D类开关放大器

订购信息

产品型号

逻辑

同相

反相

包

温度。

范围

功能框图

VDD

500 A

TC4429

300毫伏

产量

TC4420CAT

TC4420COA

TC4420CPA

TC4420EOA

TC4420EPA

TC4420IJA

TC4420MJA

TC4429CAT

TC4429COA

TC4429CPA

TC4429EOA

TC4429EPA

TC4429IJA

TC4429MJA

5引脚TO- 220

0 ° C至+ 70°C

8引脚SOIC

0 ° C至+ 70°C

8引脚PDIP

0 ° C至+ 70°C

8引脚SOIC

- 40 ° C至+ 85°C

8引脚PDIP

- 40 ° C至+ 85°C

8引脚CERDIP

-25 ° C至+ 85°C

8引脚CERDIP - 55 ° C至+ 125°C

5引脚TO- 220

0 ° C至+ 70°C

8引脚SOIC

0 ° C至+ 70°C

8引脚PDIP

0 ° C至+ 70°C

8引脚SOIC

- 40 ° C至+ 85°C

8引脚PDIP

- 40 ° C至+ 85°C

8引脚CERDIP - 25 ° C至+ 85°C

8引脚CERDIP - 55 ° C至+ 125°C

输入

4.7V

GND

有效

输入

C = 38 pF的

TC4420

销刀豆网络gurations

TO-220-5

VDD

输入

1

2

3

4

8引脚DIP

8

7

VDD

产量

GND

VDD

输入

NC

GND

1

2

3

4

8引脚SOIC

8

7

VDD

产量

GND

TC4420

TC4429

选项卡

连接的

到Vdd

输入

GND

VDD

GND

产量

NC

GND

TC4420

TC4429

6

5

TC4420

TC4429

6

5

注意：

重复的引脚必须

两

连接才能正常运行。

TC4420 / 9-6 96年10月18日

8

TELCOM半导体，INC。的

4-225

6A高速MOSFET驱动器

TC4420

TC4429

绝对最大额定值*

电源电压................................................ ......... + 20V

输入电压............................................... - 5V到> V

DD

输入电流（V

IN

＆ GT ; V

DD

） ......................................... 50毫安

功耗，T

A

≤

70°C

PDIP ................................................. .............. 730mW

SOIC ................................................. .............. 470mW

CERDIP ................................................. ........... 800mW的

5引脚TO- 220 ............................................ .......... 1.6W

封装功耗（T

A

≤

70°C)

5引脚TO- 220 （带散热片） ......................... 1.60W

降额因子（到环境）

PDIP ................................................. ............ 8MW /°C的

SOIC ................................................. ............ 4mW的/°C的

CERDIP ................................................. ...... 6.4MW /°C的

5引脚TO- 220 ............................................ .. 12MW /°C的

热阻抗（大小写）

5引脚TO- 220

θJ -C

........................................ 10 ° C / W

存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C

工作温度（芯片） .............................. + 150°C

工作温度范围（环境）

C版............................................... 0 ° C至+ 70°C

我版本........................................... - 25 ° C至+ 85°C

版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C

M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C

引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃

*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电

材料。防止静电放电和静电场的设备。讲

超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-

新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其他条件的操作

在规范的操作部分表示是不是暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下工作会

影响器件的可靠性。

电气特性：

T

A

= + 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V，除非另有规定。

符号

输入

V

IH

V

IL

V

IN

（最大）

I

IN

逻辑1，高输入电压

逻辑0低输入电压

输入电压范围

输入电流

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

峰值输出电流

闭锁保护

承受反向电流

上升时间

下降时间

延迟时间

电源电流

工作输入电压

2.4

—

–5

– 10

V

DD

– 0.025

—

1.5

1.8

1.3

—

2.1

1.5

6

—

0.8

V

DD

+0.3

10

—

0.025

2.8

2.5

—

V

A

V

A

参数

测试条件

民

典型值

最大

单位

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

见图1

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

V

DD

= 18V （参见图5）

占空比

≤

2%

t

≤

300

s

图1 ，C

L

= 2500 pF的

图1 ，C

L

= 2500 pF的

图1

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

产量

V

OH

V

OL

R

O

R

O

I

PK

I

转

开关时间

（注1 ）

t

R

t

F

t

D1

t

D2

—

4.5

25

55

0.45

55

—

35

75

1.5

150

18

纳秒

mA

A

V

电源

I

S

V

DD

4-226

TELCOM半导体，INC。的

6A高速MOSFET驱动器

TC4420

TC4429

电气特性：

符号

输入

V

IH

V

IL

V

IN

（最大）

I

IN

逻辑1，高输入电压

逻辑0低输入电压

输入电压范围

输入电流

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

上升时间

下降时间

延迟时间

电源电流

工作输入电压

2.4

—

–5

– 10

V

DD

– 0.025

—

4.5

—

3

2.3

32

34

50

65

0.45

60

—

0.8

V

DD

+ 0.3

10

—

0.025

5

60

100

3

400

18

V

A

V

纳秒

mA

A

V

1

测量在工作温度范围内具有4.5V

≤

V

DD

≤

18V,

除非另有规定ED 。

测试条件

民

典型值

最大

单位

参数

2

3

4

5

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

见图1

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

图1 ，C

L

= 2500 pF的

图1 ，C

L

= 2500 pF的

图1

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

产量

V

OH

V

OL

R

O

R

O

t

R

t

F

t

D1

t

D2

开关时间

（注1 ）

电源

I

S

V

DD

注意：

1.切换的时间保证了设计。

VDD = 18V

1F

1

0.1F

2

6

7

TC4429

4

5

CL = 2500pF的

8

0.1F

0V

输入

产量

+18V

产量

0V

10%

输入：

100 kHz时，方波，

t

上升

= t

秋天

≤

10纳秒

+5V

输入

10%

tD1

90%

tF

90%

6

tR

90%

10%

tD2

7

图1.开关时间测试电路

8

TELCOM半导体，INC。的

4-227

1.5A双漏极开路

MOSFET驱动器

TC4420

TC4429

典型特征

上升时间与电源电压

120

100

80

60

100

下降时间与电源电压

上升和下降时间与温度的关系

50

C

L

= 2200 pF的

V

DD

= 18V

80

40

时间（纳秒）

C

L

= 10,000 pF的

时间（纳秒）

60

时间（纳秒）

C

L

= 10,000 pF的

30

t

秋天

t

上升

C

L

= 4700 pF的

40

C

L

= 4700 pF的

C

L

= 2200 pF的

20

C

L

= 2200 pF的

20

0

20

10

5

7

9

11

13

15

0

5

7

V

DD

(V)

9

11

V

DD

(V)

13

15

0

–60

–20

20

60

的Ta （℃）

100

140

上升时间与容性负载

100

80

60

时间（纳秒）

下降时间 - 容性负载

100

80

传播延迟时间

- 电源电压

65

60

延迟时间（纳秒）

60

时间（纳秒）

V

DD

= 5V

55

50

45

40

t

D2

40

V

DD

= 5V

V

DD

= 12V

V

DD

= 18V

V

DD

= 12V

V

DD

= 18V

20

t

D1

10

1000

容性负载（PF ）

10,000

10

1000

容性负载（PF ）

10,000

35

4

6

8

10

12 14 16

电源电压（ V）

18

传播延迟时间

与温度的关系

50

C

L

= 2200 pF的

V

DD

= 18V

电源电流与容性负载

84

V

DD

= 15V

电源电流（mA ）

电源电流与频率的关系

1000

C

L

= 2200 pF的

40

70

56

42

18V

100

延迟时间（纳秒）

t

D2

30

10V

5V

t

D1

20

500千赫

28

10

200千赫

14

20千赫

0

–60

0

100

1000

容性负载（PF ）

10,000

–20

20

60

的Ta （℃）

100

140

0

100

1000

频率（kHz ）

10,000

4-228

TELCOM半导体，INC。的

1.5A双漏极开路

MOSFET驱动器

TC4420

TC4429

典型特征

（续）

高态输出电阻

5

2.5

1

低态输出电阻

2

3

百毫安

4

R

OUT

(

)

R

OUT

(

)

2

10毫安

50毫安

百毫安

50毫安

1.5

3

10毫安

2

5

7

9

11

V

DD

(V)

13

15

1

5

7

9

11

V

DD

(V)

13

15

4

5

6

7

输入幅度的影响。

传播延迟

200

LOAD = 2200 pF的

-9

总nA的 S交叉*

4

延迟时间（纳秒）

160

交叉区域（ A S） X 10

3

120

输入2.4V

输入3V

2

80

输入5V

40

输入8V和10V

1

0

5

6

7

8

9 10 11 12 13 14 15

V

DD

(V)

0

5

6

7 8 9 10 11 12 13 14 15

电源电压（ V）

*

在该曲线图中的数值表示

期间看到由驾驶员的损失

一个完整周期。为一个单一的

过渡，除以2的值。

8

TELCOM半导体，INC。的

4-229

TC4420

TC4429

6A高速MOSFET驱动器

特点

s

闭锁保护............可承受>1.5A

反向输出电流

逻辑输入可承受负电压高达

至5V

ESD保护................................................ .....为4kV

匹配的上升和下降时间...................... 25nsec

高峰值输出电流......................... 6A峰值

宽工作范围.......................... 4.5V至18V

高容性负载驱动...................... 10,000pF

短延迟时间................................. 55nsec典型。

逻辑高输入，任何电压............. 2.4V至V

DD

低电源电流，逻辑"1"输入... 450

A

低输出阻抗.................................... 2.5

输出电压摆幅，以在地的为25mV

或V

DD

概述

的TC4420 / 4429顷6A （峰值），单输出MOSFET

驱动程序。该TC4429是一个反相驱动器（引脚兼容

用TC429 ），而TC4420是一个非反相驱动器。

这些驱动程序在制造CMOS的低功耗，更

高效的运行与双极驱动程序。

两款器件均提供TTL兼容的输入，可以是

从动高达V

DD

+ 0.3V或低至 - 5V无冷门

或损坏设备。这消除了对

外部的电平转换电路及其相关的成本和

尺寸。输出摆幅为轨到轨确保更好的车程

电压裕量，尤其是在上电/掉电

测序。传输时延时间仅为55nsec （典型值）

而输出上升和下降时间仅为25nsec （典型值）转换成

在整个可用的电源电压范围2500pF的。

不像其他的驱动程序时， TC4420 / 4429顷几乎

闭锁证明。他们取代三个或更多的离散康波

堂费节省了PCB面积，部位和提高系统的整体

可靠性。

应用

s

开关模式电源

电机控制

脉冲变压器驱动器

D类开关放大器

订购信息

产品型号

逻辑

同相

反相

包

温度

范围

销刀豆网络gurations

TO-220-5

VDD

输入

1

2

3

4

8引脚DIP

8

7

VDD

产量

GND

VDD

输入

NC

GND

1

2

3

4

8引脚SOIC

8

7

VDD

产量

GND

TC4420

TC4429

选项卡

连接的

到Vdd

输入

GND

VDD

GND

产量

NC

GND

TC4420

TC4429

6

5

TC4420

TC4429

6

5

TC4420CAT

TC4420COA

TC4420CPA

TC4420EOA

TC4420EPA

TC4420IJA

TC4420MJA

TC4429CAT

TC4429COA

TC4429CPA

TC4429EOA

TC4429EPA

TC4429IJA

TC4429MJA

5引脚TO- 220

0 ° C至+ 70°C

8引脚SOIC

0 ° C至+ 70°C

8引脚PDIP

0 ° C至+ 70°C

8引脚SOIC

- 40 ° C至+ 85°C

8引脚PDIP

- 40 ° C至+ 85°C

8引脚CERDIP

-25 ° C至+ 85°C

8引脚CERDIP - 55 ° C至+ 125°C

5引脚TO- 220

0 ° C至+ 70°C

8引脚SOIC

0 ° C至+ 70°C

8引脚PDIP

0 ° C至+ 70°C

8引脚SOIC

- 40 ° C至+ 85°C

8引脚PDIP

- 40 ° C至+ 85°C

8引脚CERDIP - 25 ° C至+ 85°C

8引脚CERDIP - 55 ° C至+ 125°C

注意：

重复的引脚必须

两

连接才能正常运行。

功能框图

VDD

500

A

TC4429

300毫伏

产量

输入

4.7V

GND

有效

输入

C = 38 pF的

TC4420

2001 Microchip的技术公司

DS21419A

TC4420 / 9-6 96年10月18日

6A高速MOSFET驱动器

TC4420

TC4429

绝对最大额定值*

电源电压................................................ ......... + 20V

输入电压............................................... - 5V到> V

DD

输入电流（V

IN

＆ GT ; V

DD

） ......................................... 50毫安

功耗（T

A

≤

70°C)

PDIP ................................................. .............. 730mW

SOIC ................................................. .............. 470mW

CERDIP ................................................. ........... 800mW的

5引脚TO- 220 ............................................ .......... 1.6W

封装功耗，T

C

≤

25°C

5引脚TO- 220 （带散热片） ......................... 12.5W

降额因子（到环境）

PDIP ................................................. ............ 8MW /°C的

SOIC ................................................. ............ 4mW的/°C的

CERDIP ................................................. ...... 6.4MW /°C的

5引脚TO- 220 ............................................ .. 12MW /°C的

热阻抗（大小写）

5引脚TO- 220

θJ -C

......................................................

10°C/W

存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C

工作温度（芯片） .............................. + 150°C

工作温度范围（环境）

C版............................................... 0 ° C至+ 70°C

我版本........................................... - 25 ° C至+ 85°C

版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C

M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C

引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃

*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电

材料。防止静电放电和静电场的设备。

超出上述"Absolute最大Ratings" ，可能

对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只

该器件在这些或任何其它的条件和功能操作

以上这些在规范的操作部分表示是

不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。

电气特性：

T

A

= + 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V，除非另有规定。

符号

输入

V

IH

V

IL

V

IN

（最大）

I

IN

产量

V

OH

V

OL

R

O

R

O

I

PK

I

转

参数

逻辑1，高输入电压

逻辑0低输入电压

输入电压范围

输入电流

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

峰值输出电流

闭锁保护

承受反向电流

测试条件

民

2.4

—

–5

– 10

V

DD

– 0.025

—

1.5

典型值

1.8

1.3

—

2.1

1.5

6

—

最大

—

0.8

V

DD

+0.3

10

—

0.025

2.8

2.5

—

单位

V

A

V

A

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

见图1

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

V

DD

= 18V （参见图5）

占空比

≤

2%

t

≤

300sec

图1 ，C

L

= 2500pF的

图1 ，C

L

= 2500pF的

图1

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

开关时间

（注1 ）

t

R

上升时间

t

F

下降时间

t

D1

延迟时间

t

D2

延迟时间

电源

I

S

V

DD

电源电流

工作输入电压

—

4.5

25

55

0.45

55

—

35

75

1.5

150

18

纳秒

mA

A

V

TC4420 / 9-6 96年10月18日

2

2001 Microchip的技术公司

DS21419A

6A高速MOSFET驱动器

TC4420

TC4429

电气特性：

测量在工作温度范围内具有4.5V

≤

V

DD

≤

18V,

除非另有规定ED 。

符号

输入

V

IH

V

IL

V

IN

（最大）

I

IN

产量

V

OH

V

OL

R

O

R

O

参数

逻辑1，高输入电压

逻辑0低输入电压

输入电压范围

输入电流

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

测试条件

民

2.4

—

–5

– 10

V

DD

– 0.025

—

4.5

典型值

—

3

2.3

32

34

50

65

0.45

60

—

最大

—

0.8

V

DD

+ 0.3

10

—

0.025

5

60

100

3

400

18

单位

V

A

V

纳秒

mA

A

V

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

见图1

I

OUT

= 10毫安，V

DD

= 18V

I

OUT

= 10毫安，V

DD

= 18V

图1 ，C

L

= 2500pF的

图1 ，C

L

= 2500pF的

图1

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

开关时间

（注1 ）

t

R

上升时间

t

F

下降时间

t

D1

延迟时间

t

D2

延迟时间

电源

I

S

V

DD

电源电流

工作输入电压

注意：

1.切换的时间保证了设计。

VDD = 18V

1F

1

0.1F

2

6

7

TC4429

4

5

CL = 2500pF的

8

0.1F

0V

输入

产量

+18V

产量

0V

10%

+5V

输入

10%

tD1

90%

tF

tD2

90%

tR

90%

输入：

100 kHz时，方波，

t

上升

= t

秋天

≤

10nsec.

图1.开关时间测试电路

2001 Microchip的技术公司

DS21419A

3

TC4420 / 9-6 96年10月18日

6A高速MOSFET驱动器

TC4420

TC4429

典型特征

上升时间与电源电压

120

100

80

60

100

下降时间与电源电压

上升和下降时间与温度的关系

50

C

L

= 2200 pF的

V

DD

= 18V

80

40

时间（纳秒）

C

L

= 10,000 pF的

时间（纳秒）

60

C

L

= 10,000 pF的

30

t

秋天

t

上升

C

L

= 4700 pF的

40

C

L

= 4700 pF的

C

L

= 2200 pF的

20

C

L

= 2200 pF的

20

0

20

10

5

7

9

11

13

15

0

5

7

V

DD

(V)

9

11

V

DD

(V)

13

15

0

–60

–20

20

60

的Ta （℃）

100

140

上升时间与容性负载

100

80

60

时间（纳秒）

下降时间 - 容性负载

100

80

传播延迟时间

- 电源电压

65

60

延迟时间（纳秒）

60

时间（纳秒）

V

DD

= 5V

55

50

45

40

t

D2

40

V

DD

= 5V

V

DD

= 12V

V

DD

= 18V

V

DD

= 12V

V

DD

= 18V

20

t

D1

10

1000

容性负载（PF ）

10,000

10

1000

容性负载（PF ）

10,000

35

4

6

8

10

12 14 16

电源电压（ V）

18

传播延迟时间

与温度的关系

50

C

L

= 2200 pF的

V

DD

= 18V

电源电流与容性负载

84

V

DD

= 15V

电源电流（mA ）

电源电流与频率的关系

1000

C

L

= 2200 pF的

40

70

56

42

18V

100

延迟时间（纳秒）

t

D2

30

10V

5V

t

D1

20

500千赫

28

10

200千赫

14

20千赫

0

–60

0

100

1000

容性负载（PF ）

10,000

–20

20

60

的Ta （℃）

100

140

0

100

1000

频率（kHz ）

2001 Microchip的技术公司

10,000

TC4420 / 9-6 96年10月18日

4

DS21419A

6A高速MOSFET驱动器

TC4420

TC4429

典型特征

（续）

高态输出电阻

5

2.5

低态输出电阻

百毫安

4

R

OUT

(

)

R

OUT

(

)

2

10毫安

50毫安

百毫安

50毫安

1.5

3

10毫安

2

5

7

9

11

V

DD

(V)

13

15

1

5

7

9

11

V

DD

(V)

13

15

输入幅度的影响。

传播延迟

200

LOAD = 2200 pF的

-9

总nA的 S交叉*

4

延迟时间（纳秒）

160

交叉区域（ A S） X 10

3

120

输入2.4V

输入3V

2

80

输入5V

40

输入8V和10V

1

0

5

6

7

8

9 10 11 12 13 14 15

V

DD

(V)

0

5

6

7 8 9 10 11 12 13 14 15

电源电压（ V）

*

在该曲线图中的数值表示

期间看到由驾驶员的损失

一个完整周期。为一个单一的

过渡，除以2的值。

2001 Microchip的技术公司

DS21419A

5

TC4420 / 9-6 96年10月18日

TC4420/TC4429

6A高速MOSFET驱动器

特点

闭锁保护：可承受>1.5A

反向输出电流

逻辑输入可承受负电压最高达

5V

ESD保护： 4 kV的

匹配的上升和下降时间：

- 25纳秒（ 2500 pF负载）

高峰值输出电流： 6A

宽输入电源电压工作范围：

- 4.5V至18V

高容性负载驱动能力：10,000 pF的

短延迟时间： 55 ns（典型值）。

CMOS / TTL兼容输入

低电源电流逻辑“1”输入：

- 450 μA （典型值）。

低输出阻抗： 2.5

输出电压摆幅，以在地的25毫伏

或V

DD

节省空间的8引脚SOIC和8引脚6x5 DFN

套餐

概述

的TC4420 / TC4429是6A （峰值），单输出

MOSFET驱动器。该TC4429是一个反相驱动器

（管脚兼容的TC429 ），而TC4420是一个

非反相驱动器。这些驱动程序制作

CMOS的低功耗和更高效的操作

与双极驱动程序。

这两款器件具有TTL / CMOS兼容输入，

可以被驱动为高以V

DD

+ 0.3V或低至-5V

没有冷门或损坏设备。这消除

需要外部电平转换电路和其

相关联的成本和尺寸。输出摆幅为轨到轨，

确保更好的驱动电压裕量，特别是在

上电/断电排序。孳生

延迟时间仅为55纳秒（典型值）和输出兴衰

时间只有25纳秒（典型值）为2500 pF的跨越

可使用的电源电压范围。

不像其他的驱动程序时， TC4420 / TC4429几乎

闭锁证明。他们取代三个或更多的离散

部件，节省PCB面积，部位和改进

整个系统的可靠性。

应用

开关模式电源

电机控制

脉冲变压器驱动器

D类开关放大器

封装类型

(1)

8引脚CERDIP /

PDIP / SOIC

V

DD

输入

NC

GND

1

2

3

4

8

TC4420

V

DD

产量

GND

TC4429

V

DD

产量

GND

V

DD

1

输入2

NC 3

GND 4

8引脚DFN

(2)

8

TC4420 TC4429

V

DD

V

DD

5引脚TO- 220

选项卡

常见

到V

DD

TC4420

TC4429

7

6

5

TC4420

TC4429

7

6

5

输出输出

GND

TC4420

TC4429

注1 ：

2:

重名的引脚必须同时连接才能正常工作。

DFN封装的裸露焊盘是电气绝缘的。

2004年Microchip的科技公司

输入

GND

V

DD

GND

产量

DS21419C第1页

TC4420/TC4429

功能框图

V

DD

500 A

300毫伏

产量

TC4429

反相

输入

4.7V

TC4420

非反相

GND

有效

输入

C = 38 pF的

DS21419C第2页

2004年Microchip的科技公司

TC4420/TC4429

1.0

电动

特征

注意，超出上述绝对最大的“上市

“，可能对器件造成永久性损坏。这些

仅仅是极限参数和设备的功能操作

在这些或任何上述的那些其他条件中指示的

规范的操作部分将得不到保证。

暴露在绝对最大额定值条件下，

长时间可能会影响器件的可靠性。

绝对最大额定值？

电源电压................................................ ..... + 20V

输入电压............................. - 5V到V

DD

+ 0.3V

输入电流（V

IN

＆ GT ; V

DD

） ................................... 50毫安

功率耗散（T

A

≤

70°C)

5引脚TO- 220 ............................................ ........ 1.6W

CERDIP ................................................. ...... 800毫瓦

DFN ............................................ ..... ..............注

2

PDIP ................................................. ........... 730毫瓦

SOIC ................................................. ........... 470毫瓦

封装功耗（T

A

≤

25°C)

5引脚TO- 220 （带散热器） ........................ 12.5W

热阻抗（大小写）

5引脚TO- 220

θJ -C

...................................... 10 ° C / W

DC特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，T

A

= + 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V.

参数

输入

逻辑'1' ，高投入

电压

逻辑“0” ，低输入电压

输入电压范围

输入电流

产量

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

峰值输出电流

闭锁保护

承受反向电流

开关时间（注1 ）

上升时间

下降时间

延迟时间

电源

电源电流

工作输入电压

注1 ：

2:

I

S

V

DD

—

4.5

0.45

55

—

1.5

150

18

mA

A

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

t

R

t

F

t

D1

t

D2

—

25

55

35

75

ns

图4-1 ，

C

L

= 2500 pF的

图4-1 ，

C

L

= 2500 pF的

图4-1

V

OH

V

OL

R

OH

R

OL

I

PK

I

转

V

DD

– 0.025

—

2.1

1.5

6.0

＆ GT ; 1.5

—

0.025

2.8

2.5

—

V

A

直流测试

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

V

DD

= 18V

占空比

≤

2%, t

≤

300微秒

V

IH

V

IL

V

IN

I

IN

2.4

—

–5

–10

1.8

1.3

—

0.8

V

DD

+0.3

+10

V

A

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

符号

民

典型值

最大

单位

条件

开关时间由设计保证。

包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。

2004年Microchip的科技公司

DS21419C第3页

TC4420/TC4429

直流特性（在整个工作温度范围内）

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V

≤

V

DD

≤

18V.

参数

输入

逻辑'1' ，高投入

电压

逻辑“0” ，低输入电压

输入电压范围

输入电流

产量

高输出电压

低输出电压

输出电阻，高

输出电阻，低

开关时间（注1 ）

上升时间

下降时间

延迟时间

电源

电源电流

工作输入电压

注1 ：

I

S

V

DD

—

4.5

0.45

60

—

3

400

18

mA

A

V

IN

= 3V

V

IN

= 0V

t

R

t

F

t

D1

t

D2

—

32

34

50

65

60

100

ns

图4-1 ，

C

L

= 2500 pF的

图4-1 ，

C

L

= 2500 pF的

图4-1

V

OH

V

OL

R

OH

R

OL

V

DD

– 0.025

—

3

2.3

—

0.025

5

V

直流测试

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

I

OUT

= 10 mA时， V

DD

= 18V

V

IH

V

IL

V

IN

I

IN

2.4

—

–5

–10

—

0.8

V

DD

+ 0.3

+10

V

A

0V

≤

V

IN

≤

V

DD

符号

民

典型值

最大

单位

条件

开关时间由设计保证。

温度特性

电气连接特定的阳离子：

除非另有说明，所有参数适用于4.5V

≤

V

DD

≤

18V.

参数

温度范围

规定温度范围（ C）

规定温度范围（ I）

规定温度范围（ E）

规定温度范围（ V）

最高结温

存储温度范围

封装热阻

热阻， 5L - TO- 220

热阻，8 - CERDIP

热阻，8引脚6x5 DFN

热阻，8 - PDIP

热阻，8 - SOIC

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

θ

JA

—

71

150

33.2

125

155

—

° C / W

典型的四层板

与过孔到地平面。

T

A

T

A

T

A

T

A

T

J

T

A

0

–25

–40

—

–65

—

+70

+85

+125

+150

°C

符号

民

典型值

最大

单位

条件

DS21419C第4页

2004年Microchip的科技公司

TC4420/TC4429

2.0

注意：

典型性能曲线

提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限

提供，仅供参考样本和。在所列特性

未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外

工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。

注意：

除非另有说明，T

A

= + 25 ℃， 4.5V

≤

V

DD

≤

18V.

120

100

80

60

C

L

= 10,000 pF的

80

时间（纳秒）

60

C

L

= 10,000 pF的

C

L

= 4700 pF的

40

C

L

= 4700 pF的

C

L

= 2200 pF的

C

L

= 2200 pF的

20

0

20

5

7

9

11

13

15

0

5

7

9

11

13

15

电源电压（ V）

图2-1：

电压。

100

80

60

时间（纳秒）

上升时间与供应

图2-4：

电压。

100

80

60

时间（纳秒）

下降时间与供应

40

V

DD

= 5V

40

V

DD

= 5V

V

DD

= 12V

V

DD

= 18V

V

DD

= 12V

V

DD

= 18V

20

10

1000

Capcitive负载（PF ）

10,000

10

1000

容性负载（PF ）

10,000

图2-2：

负载。

50

上升时间与电容

图2-5：

负载。

84

下降时间 - 容性

C

L

= 2200 pF的

V

DD

= 18V

40

电源电流（mA ）

V

DD

= 15V

70

56

42

延迟时间（纳秒）

t

D2

30

t

D1

20

500千赫

28

10

200千赫

14

20千赫

0

–60

–20

20

60

的Ta （℃）

100

140

0

100

1000

容性负载（PF ）

10,000

图2-3：

温度。

传输延迟时间 -

图2-6：

容性负载。

电源电流与

2004年Microchip的科技公司

DS21419C第5页