TC4404/TC4405
1.5A双漏极开路MOSFET驱动器
产品特点：
独立的可编程兴衰
时
低输出阻抗 - 7典型。
高速吨
R
, t
F
- <30纳秒1000 pF负载
短延迟时间 - <30纳秒
宽工作电压范围：
- 4.5V至18V
闭锁保护：可承受> 500毫安
反向电流（任一极性）
输入可承受负摆幅高达-5V
概述：
在TC4404 / TC4405为CMOS缓冲器，驱动器
用互补型MOS输出，其中构成
图腾柱输出的渠道已经离开了
分开，以使各个连接可以由
到输出的上拉和下拉部分。这
允许的漏电流限制电阻器中的插入
上拉和/或下拉部分，从而允许用户
来定义上升和下降为容性负载的速率;
或降低输出摆幅，如果驱动阻性负载，或
限制基极电流，驱动双极型晶体管时。
最小上升时间和下降时间，没有电阻，将
小于30纳秒的1000 pF负载。
用于驱动电机控制应用的MOSFET ，
其中，慢ON /快OFF操作是需要的，这些
设备是优于以前使用的技术
中加之间的二极管，电阻器组合
驱动器输出和MOSFET ，因为它们允许
精确控制接通，同时保持快速的开启
关和最大的抗噪声能力为关闭设备。
当用于驱动双极型晶体管，这些驱动
维护共同的其他Microchip的高速
驱动程序。它们允许插入一个碱的限流
电阻器，同时提供一个单独的半输出为快速
关断。由电阻器的正确定位，或者
的npn或pnp型晶体管可以被驱动。
用于驱动多个负载的低功耗制度，这些
司机，因为他们消除直通电流
在输出级，需要在显著较少的功率
更高的频率，并且可以是在会议上有帮助
低功耗预算。
应用范围：
电机控制
驱动双极晶体管
驱动程序不重叠的图腾柱
达到-UP / REACH-下驱动程序
器件选型表
产品型号
TC4404COA
TC4404CPA
TC4404EOA
TC4404EPA
TC4404MJA
TC4405COA
TC4405CPA
TC4405EOA
TC4405EPA
TC4405MJA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
TC4404
3
4
6
5
3
4
TC4404
6
5
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
TC4405
3
4
6
5
3
4
TC4405
6
5
2006年Microchip的科技公司
DS21418C第1页
TC4404/TC4405
1.0
电动
特征
*条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 22V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730毫瓦
CERDIP ................................................. 800毫瓦
SOIC ................................................. ...... 470毫瓦
封装热阻
PDIP
θJ -A
............................................. 125°C / W
PDIP
θJ -C
............................................... 45°C / W
CERDIP
θJ -A
........................................ 150
°
C / W
CERDIP
θJ -C
.......................................... 55 ° C / W
SOIC
θJ -A
............................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
............................................... 45°C / W
工作温度范围
C版........................................ 0 ° C至+ 70°C
版本...................................... -40 ° C至+ 85°C
M版................................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
TC4404 / TC4405电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
DC
I
R
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流（任何排水）
连续输出电流（任何排水）
闭锁保护（任何排水）
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
7
1.5
—
>500
—
0.025
10
—
100
—
V
V
Ω
A
mA
mA
占空比
≤
2%, t
≤
300
微秒
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V ;任何排水
占空比
≤
2%, t
≤
300
微秒
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
2.4
—
-1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
μA
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
开关时间（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
—
—
—
—
—
—
25
25
15
32
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，C
L
= 1000 pF的
图3-1 ，C
L
= 1000 pF的
图3-1 ，C
L
= 1000 pF的
图3-1 ，C
L
= 1000 pF的
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
注1 ：
开关时间由设计保证。
2006年Microchip的科技公司
DS21418C第3页
1
TC4404
TC4405
1.5A双漏极开路MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
独立可编程的上升和下降时间
低输出阻抗................................典型7Ω
高速吨
R
, t
F
....... <30纳秒1000 pF负载
短延迟时间.................................... < 30纳秒
宽工作范围.......................... 4.5V至18V
闭锁保护.........可承受>500毫安
反向电流（任一极性）
输入可承受负摆幅高达-5V
概述
该TC4404和TC4405的CMOS缓冲器驱动程序
用互补型MOS输出，其中所述构造
图腾柱输出的渠道已经离开了分离，
该单个连接可以使上拉和
下拉输出的部分。这使得插入
的漏电流限制于该上拉和/或上拉电阻器
下来的部分，从而允许用户定义的加幅
和下降的容性负载;或降低输出摆幅，如果
当找到一个电阻性负载，或以限制基极电流，
驱动的双极晶体管。最小的上升和下降时间，
没有电阻器，将小于30纳秒的为1000pF
负载。没有上限。
用于驱动电机控制应用的MOSFET ，
其中，慢ON /快OFF操作是需要的，这些描述
恶习优于添加 - 先前使用的技术
荷兰国际集团的驱动器输出之间的二极管 - 电阻器组合
和MOSFET ，因为它们允许进行精确控制
关接通，同时保持快速关断和最大
抗噪声能力为OFF设备。
当用于驱动双极型晶体管，这些驱动
维护共同到其他Telcom公司driv-的高速
ERS 。它们允许插入一个基极电流限制电阻的，
同时提供了一个单独的半输出为快速关断。通过
电阻器的正确定位，或者NPN型或PNP型晶体管
器可以被驱动。
用于驱动多个负载的低功耗制度，这些
驱动程序，因为它们消除了直通的流
输出级，需要在更高的显著较少的功率
的频率，并且可以在满足低功耗有用
预算。
因为在输出既不漏极是依赖于
另外，这些设备也可以被用来作为漏极开路
缓冲/驱动器，其中两个排水管在一台设备提供，
1
VDD
2
3
4
5
6
7
应用
s
s
s
s
电机控制
驱动双极晶体管
驱动非重叠图腾柱
达到-UP / REACH-下驱动程序
订购信息
产品型号
TC4404COA
TC4404CPA
TC4404EOA
TC4404EPA
TC4404MJA
TC4405COA
TC4405CPA
TC4405EOA
TC4405EPA
TC4405MJA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
温度
范围
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 55 ° C至+ 125°C
功能框图
TC4404
反相
8 (6)
撩
7 (5)
300毫伏
拆毁
输入
2 (3)
4.7V
TC4405
同相
GND
4
有效
输入
C 12 pF的
A（B ）
8
TC4404 / 5-6 96年10月21日
TELCOM半导体，INC。的
4-219
1.5A双漏极开路
MOSFET驱动器
TC4404
TC4405
从而减少芯片数量。不用开排水沟应
返回到电源轨，他们设备的来源是
连接（拉落至地面，上拉至V
DD
） ，以
防止静电损坏。此外，在情况下
定时电阻或限制交叉电流等手段
使用时，就像水渠可以并联更大的电流
承载能力。
这些设备被内置在最DE-操作
朱古力的电气环境。他们不会闭锁
在其功率和电压额定任何条件下
英格斯;它们不受损坏时高达5V
任一极性的噪声尖峰发生的接地引脚上;
他们可以接受的，而不会损坏或逻辑混乱，达
1/2放大器的反向电流（无论极性）被强迫
返回到输出端。所有终端得到充分保护
对高达2 kV的静电放电。
封装热阻
CERDIP
θJ -A
............................................... 150℃ / W
CERDIP
θJ -C
................................................. 55 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125°C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. .. 45 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. .. 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CerDP ................................................. ............ 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ......... + 22V
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
电气特性：
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
技术指标测量在T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
参数
测试条件
民
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
＆ GT ; 500
典型值
—
—
—
—
—
7
1.5
—
—
最大
—
0.8
1
—
0.025
10
—
100
—
单位
V
V
A
V
V
A
mA
mA
– 0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
DC
I
R
高输出电压
低输出电压
输出电阻
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V ;任何排水
峰值输出电流（任何排水）占空比< 2 ％ ，T
≤
300sec
连续输出电流（任何排水）
闭锁保护（排水渠）占空比< 2 ％ ，T
≤
300sec
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1.切换的时间保证了设计。
开关时间（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
注意：
图1 ，C
L
= 1000 pF的
图1 ，C
L
= 1000 pF的
图1 ，C
L
= 1000 pF的
图1 ，C
L
= 1000 pF的
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
—
—
—
—
—
—
25
25
15
32
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
电源
4-220
TELCOM半导体，INC。的
1.5A双漏极开路
MOSFET驱动器
TC4404
TC4405
电气特性：
技术指标测量在工作温度范围
与4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
民
2.4
—
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
>500
1
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
参数
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
测试条件
典型值
—
—
—
—
—
9
1.5
—
—
最大
—
0.8
10
—
0.025
12
—
100
—
单位
V
V
A
V
V
A
mA
mA
2
3
4
5
6
7
– 0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
DC
I
R
高输出电压
低输出电压
输出电阻
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V ;任何排水
峰值输出电流（任何排水）占空比<2 ％ ，T
≤
300sec
连续输出电流（任何排水）
闭锁保护（排水渠）占空比<2 ％ ，T
≤
300sec
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1.切换的时间保证了设计。
开关时间（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
图1 ，C
L
= 1000 pF的
图1 ，C
L
= 1000 pF的
图1 ，C
L
= 1000 pF的
图1 ，C
L
= 1000 pF的
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
40
40
40
60
8
0.6
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
电源
电路布局指南
避免长时间的电源线和地线（加
电感造成不必要的电压瞬变） 。使用电源
层和接地层尽可能。此外，它是
可取的做法是低ESR旁路电容（ 4.7μF或10μF
引脚配置（ DIP和SOIC ）
VDD
IN A
IN B
COM
VDD
IN A
IN B
COM
钽电容）放在尽量靠近司机的可能。该
驾驶员应尽量靠近该设备是
被驱动，以尽量减少在输出的长度
迹。
1
2
3
4
TC4404
8
7
6
5
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
1
2
3
4
TC4404
8
7
6
5
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
VDD
IN A
IN B
COM
1
2
3
4
TC4405
8
7
6
5
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
VDD
IN A
IN B
COM
1
2
3
4
TC4405
8
7
6
5
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
8
4-221
TELCOM半导体，INC。的
1.5A双漏极开路
MOSFET驱动器
TC4404
TC4405
典型特征
上升时间与电源电压
100
2200 pF的
80
TRISE （纳秒）
1
下降时间与电源电压
100
2200 pF的
100
TA = + 25°C
1500 pF的
TRISE （纳秒）
上升时间与容性负载
TA = + 25°C
80
VDD = 5V
2
3
TA = + 25°C
1500 pF的
TFALL （纳秒）
80
60
1000 pF的
40
470 pF的
20
100 pF的
0
4
6
8
10 12
VDD
14
16
18
60
1000 pF的
40
470 pF的
20
100 pF的
0
60
10V
15V
40
20
4
6
8
10 12
VDD
14
16
18
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
下降时间 - 容性负载
100
TA = + 25°C
80
TFALL （纳秒）
时间（纳秒）
上升和下降时间
与温度的关系
60
60
传播延迟
- 电源电压
CLOAD = 1000 pF的
50
4
5
VDD = 5V
50
CLOAD = 1000 pF的
VDD = 17.5V
延迟时间（纳秒）
TA = + 25°C
吨D2
60
10V
15V
40
40
40
30
吨下跌
20
T上升
30
20
20
吨D1
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
10
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
10
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
6
7
输入幅度的影响。
延迟时间
60
传播延迟时间
与温度的关系
60
10
VDD = 17.5V
VLOAD = 1000 pF的
50
延迟时间（纳秒）
静态电源电流
与电压
TA = + 25°C
CLOAD = 1000 pF的
50
延迟时间（纳秒）
IQUIESCENT （毫安）
VDD = 10V
TA = + 25°C
40
30
20
10
tD2
两个输入= 1
1
40
吨D2
30
20
吨D1
tD1
0.1
两个输入= 0
10
0
2
4
6
VDRIVE （ V）
8
10
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
4
6
8
10 12
VDD
14
16
18
8
TELCOM半导体，INC。的
4-223
M
特点
TC4404/TC4405
概述
在TC4404 / TC4405为CMOS缓冲器，驱动器
用互补型MOS输出，其中构成
图腾柱输出的渠道已经离开了
分开，以使各个连接可以由
到输出的上拉和下拉部分。这
允许的漏电流限制电阻器中的插入
上拉和/或下拉部分，从而允许用户
来定义上升和下降为容性负载的速率;
或降低输出摆幅，如果驱动阻性负载，或
限制基极电流，驱动双极型晶体管时。
最小上升时间和下降时间，没有电阻，将
比30nsec一个1000pF的负载更少。
用于驱动电机控制应用的MOSFET ，
其中，慢ON /快OFF操作是需要的，这些
设备是优于以前使用的技术
中加之间的二极管，电阻器组合
驱动器输出和MOSFET ，因为它们允许
精确控制接通，同时保持快速的开启
关和最大的抗噪声能力为关闭设备。
当用于驱动双极型晶体管，这些驱动
维护共同的其他Microchip的高速
驱动程序。它们允许插入一个碱的限流
电阻器，同时提供一个单独的半输出为快速
关断。由电阻器的正确定位，或者
的npn或pnp型晶体管可以被驱动。
用于驱动多个负载的低功耗制度，这些
司机，因为他们消除直通电流
在输出级，需要在显著较少的功率
更高的频率，并且可以是在会议上有帮助
低功耗预算。
1.5A双漏极开路MOSFET驱动器
独立的可编程兴衰
时
低输出阻抗 - 7典型。
高速吨
R
, t
F
- <30nsec有1000pF的负载
短延迟时间 - <30nsec
宽工作范围
- 4.5V至18V
闭锁保护：可承受> 500毫安
反向电流（任一极性）
输入可承受负摆幅高达-5V
应用
电机控制
驱动双极晶体管
驱动程序不重叠的图腾柱
达到-UP / REACH-下驱动程序
器件选型表
产品型号
TC4404COA
TC4404CPA
TC4404EOA
TC4404EPA
TC4404MJA
TC4405COA
TC4405CPA
TC4405EOA
TC4405EPA
TC4405MJA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
TC4404
3
4
6
5
3
4
TC4404
6
5
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
TC4405
3
4
6
5
3
4
TC4405
6
5
2002年Microchip的科技公司
DS21418B第1页
TC4404/TC4405
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 22V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730mW
CERDIP ................................................. .. 800mW的
SOIC ................................................. ....... 470mW
封装热阻
PDIP
θ
J- á
............................................. 125°C / W
PDIP
θ
J-
............................................... 45°C / W
CERDIP
θ
J- á
.........................................150
°
C / W
CERDIP
θ
J-
......................................... 55 ° C / W
SOIC
θ
J- á
............................................ 155 ° C / W
SOIC
θ
J-
.............................................. 45 ° C / W
工作温度范围
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
版本..................................... -40 ° C至+ 85°C
M版................................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC4404 / TC4405电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
DC
I
R
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流（任何排水）
连续输出电流（任何排水）
闭锁保护（任何排水）
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1:
开关时间由设计保证。
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
2.4
—
-1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7
1.5
—
>500
—
0.8
1
—
0.025
10
—
100
—
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
V
V
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 18V ;任何排水
占空比
≤
2%, t
≤
300
美国证券交易委员会
占空比
≤
2%, t
≤
300
美国证券交易委员会
A
mA
mA
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
—
—
—
—
—
—
25
25
15
32
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，C
L
= 1000pF的
图3-1 ，C
L
= 1000pF的
图3-1 ，C
L
= 1000pF的
图3-1 ，C
L
= 1000pF的
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
2002年Microchip的科技公司
DS21418B第3页
TC4404/TC4405
1.5A双漏极开路MOSFET驱动器
产品特点：
独立的可编程兴衰
时
低输出阻抗 - 7典型。
高速吨
R
, t
F
- <30纳秒1000 pF负载
短延迟时间 - <30纳秒
宽工作电压范围：
- 4.5V至18V
闭锁保护：可承受> 500毫安
反向电流（任一极性）
输入可承受负摆幅高达-5V
概述：
在TC4404 / TC4405为CMOS缓冲器，驱动器
用互补型MOS输出，其中构成
图腾柱输出的渠道已经离开了
分开，以使各个连接可以由
到输出的上拉和下拉部分。这
允许的漏电流限制电阻器中的插入
上拉和/或下拉部分，从而允许用户
来定义上升和下降为容性负载的速率;
或降低输出摆幅，如果驱动阻性负载，或
限制基极电流，驱动双极型晶体管时。
最小上升时间和下降时间，没有电阻，将
小于30纳秒的1000 pF负载。
用于驱动电机控制应用的MOSFET ，
其中，慢ON /快OFF操作是需要的，这些
设备是优于以前使用的技术
中加之间的二极管，电阻器组合
驱动器输出和MOSFET ，因为它们允许
精确控制接通，同时保持快速的开启
关和最大的抗噪声能力为关闭设备。
当用于驱动双极型晶体管，这些驱动
维护共同的其他Microchip的高速
驱动程序。它们允许插入一个碱的限流
电阻器，同时提供一个单独的半输出为快速
关断。由电阻器的正确定位，或者
的npn或pnp型晶体管可以被驱动。
用于驱动多个负载的低功耗制度，这些
司机，因为他们消除直通电流
在输出级，需要在显著较少的功率
更高的频率，并且可以是在会议上有帮助
低功耗预算。
应用范围：
电机控制
驱动双极晶体管
驱动程序不重叠的图腾柱
达到-UP / REACH-下驱动程序
器件选型表
产品型号
TC4404COA
TC4404CPA
TC4404EOA
TC4404EPA
TC4404MJA
TC4405COA
TC4405CPA
TC4405EOA
TC4405EPA
TC4405MJA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚CERDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC / CERDIP
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
TC4404
3
4
6
5
3
4
TC4404
6
5
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
V
DD
IN A
IN B
GND
1
2
8
7
顶部
一个底
B TOP
B BOTTOM
TC4405
3
4
6
5
3
4
TC4405
6
5
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21418D第1页
TC4404/TC4405
1.0
电动
特征
*条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 22V
功率耗散（T
A
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730毫瓦
CERDIP ................................................. 800毫瓦
SOIC ................................................. ...... 470毫瓦
封装热阻
PDIP
θJ -A
............................................. 125°C / W
PDIP
θJ -C
............................................... 45°C / W
CERDIP
θJ -A
........................................ 150
C / W
CERDIP
θJ -C
.......................................... 55 ° C / W
SOIC
θJ -A
............................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
............................................... 45°C / W
工作温度范围
C版........................................ 0 ° C至+ 70°C
版本...................................... -40 ° C至+ 85°C
M版................................... -55 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
TC4404 / TC4405电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
V
DD
18V,
除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
DC
I
R
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流（任何排水）
连续输出电流（任何排水）
闭锁保护（任何排水）
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
7
1.5
—
>500
—
0.025
10
—
100
—
V
V
A
mA
mA
值班cycle2 ％ ，T
300 sec
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V ;任何排水
值班cycle2 ％ ，T
300 sec
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
2.4
—
-1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
A
0VV
IN
V
DD
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
开关时间（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
—
—
—
—
—
—
25
25
15
32
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，C
L
= 1000 pF的
图3-1 ，C
L
= 1000 pF的
图3-1 ，C
L
= 1000 pF的
图3-1 ，C
L
= 1000 pF的
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
注1 ：
开关时间由设计保证。
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21418D第3页
QQ：2881677436 复制
