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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第121页 > TC4069UBFN
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
东芝CMOS数字集成电路硅单片
TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFN,TC4069UBFT
TC4069UB六反相器
TC4069UB包含逆变器的六个巡回。由于内部
电路由一个单级逆变器，这是适合于
的CR振荡电路，晶振电路的应用
和线性放大器除了其作为逆变器的应用程序。
因为一个阶段的栅极形状，传播时间的
已经减少。
注意： xxxFN （JEDEC SOP）不在可用
日本。
TC4069UBP
引脚分配
TC4069UBF
I1
O1
I2
O2
I3
O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
（ TOP VIEW ）
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
I6
O6
I5
O5
I4
O4
电路图
1/6 TC4069UB
V
DD
TC4069UBFN
输入
产量
TC4069UBFT
V
SS
重量
DIP14-P-300-2.54
SOP14-P-300-1.27A
SOP14-P-300-1.27
SOL14-P-150-1.27
TSSOP14-P-0044-0.65A
：0.96克（典型值）。
0.18克（典型值）。
0.18克（典型值）。
0.12克（典型值）。
0.06克（典型值）。
1
2006-06-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
绝对最大额定值（注）
特征
直流电源电压
输入电压
输出电压
DC输入电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
V
SS
0.5 V
SS
+ 20
V
SS
0.5 V
DD
+ 0.5
V
SS
0.5 V
DD
+ 0.5
±10
300 （ DIP ） / 180 （ SOIC ）
40
85
65
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注意：
任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
推荐工作条件
(V
SS
= 0V） （注）
特征
直流电源电压
输入电压
符号
V
DD
V
IN
测试条件
―
―
民
3
0
典型值。
―
―
最大
18
V
DD
单位
V
V
注意：
推荐的工作条件需要，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到VCC或GND 。
2
2006-06-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
静态电气特性
(V
SS
= 0 V)
测试条件
特征
符号
V
DD
(V)
|I
OUT
|
＆ LT ;
1 A
V
IN
=
V
SS
, V
DD
|I
OUT
|
＆ LT ;
1 A
V
IN
=
V
SS
, V
DD
V
OH
=
4.6 V
V
OH
=
2.5 V
输出高
当前
I
OH
V
OH
=
9.5 V
V
OH
=
13.5 V
V
IN
=
V
SS
V
OL
=
0.4 V
输出低
当前
I
OL
V
OL
=
0.5 V
V
OL
=
1.5 V
V
IN
=
V
DD
V
OUT
=
0.5 V, 4.5 V
输入高
电压
V
IH
V
OUT
=
1.0 V, 9.0 V
V
OUT
=
1.5 V, 13.5 V
|I
OUT
|
＆ LT ;
1
A
V
OUT
=
0.5 V, 4.5 V
输入低
电压
V
IL
V
OUT
=
1.0 V, 9.0 V
V
OUT
=
1.5 V, 13.5 V
|I
OUT
|
＆ LT ;
1
A
输入
当前的“L”
水平
静
电源电流
“H”
水平
I
IH
I
IL
V
IL
=
18 V
V
IL
=
0 V
V
IN
=
V
SS
, V
DD
（注）
18
18
5
10
15
0.1
0.1
0.25
0.50
1.00
10
5
10
5
40°C
民
4.95
9.95
14.95
0.61
2.50
1.50
4.00
最大
0.05
0.05
0.05
民
4.95
9.95
14.95
0.51
2.10
1.30
3.40
25°C
典型值。
5.00
10.00
15.00
0.00
0.00
0.00
1.0
4.0
2.2
9.0
最大
0.05
0.05
0.05
民
85°C
最大
0.05
0.05
0.05
mA
V
V
单位
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
4.95
9.95
14.95
0.42
1.70
1.10
2.80
高位
输出电压
V
OH
低电平
输出电压
V
OL
5
10
15
0.61
1.50
4.00
0.51
1.30
3.40
1.2
3.2
12.0
0.42
1.10
2.80
mA
5
10
15
4.0
8.0
12.0
4.0
8.0
12.0
4.0
8.0
12.0
mA
5
10
15
1.0
2.0
3.0
1.0
2.0
3.0
1.0
2.0
3.0
mA
0.1
0.1
0.25
0.50
1.00
1.0
A
1.0
7.5
15.0
30.0
A
0.001
0.001
0.002
I
DD
注：所有有效的输入组合。
3
2006-06-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
动态电气特性
（ TA = 25 ° C，V
SS
= 0 V ，C
L
= 50 pF的）
特征
符号
测试条件
V
DD
(V)
5
t
TLH
10
15
5
t
THL
10
15
5
t
PLH
10
15
5
t
PHL
10
15
C
IN
民
典型值。
70
35
30
70
35
30
55
30
25
55
30
25
7.5
最大
200
100
80
200
100
80
110
60
50
110
60
50
15
pF
ns
ns
ns
ns
单位
输出转换时间
（从低到高）
输出转换时间
（高到低）
传播延迟时间
（从低到高）
传播延迟时间
（高到低）
输入电容
波形的动态特性测量
20纳秒
90%
50%
10%
t
PHL
20纳秒
90%
50%
10%
t
PLH
输入
产量
t
THL
t
TLH
4
2006-06-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
包装尺寸
重量：0.96克（典型值）。
5
2006-06-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
东芝CMOS数字集成电路
硅单片
TC4069UBP,TC4069UBF,TC4069UBFN,TC4069UBFT
TC4069UB六反相器
TC4069UB包含逆变器的六个巡回。由于内部
电路由一个单级逆变器，这是适合于
的CR振荡电路，晶振电路的应用
和线性放大器除了其作为逆变器的应用程序。
因为一个阶段的栅极形状，传播时间的
已经减少。
注意： xxxFN （JEDEC SOP）不在可用
日本。
TC4069UBP
引脚分配
TC4069UBF
I1
O1
I2
O2
I3
O3
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
（ TOP VIEW ）
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
I6
O6
I5
O5
I4
TC4069UBFN
O4
电路图
1/6 TC4069UB
V
DD
TC4069UBFT
输入
产量
W
八
V
SS
DIP14-P-300-2.54
SOP14-P-300-1.27A
SOL14-P-150-1.27
TSSOP14-P-0044-0.65A
：0.96克（典型值）。
0.18克（典型值）。
0.12克（典型值）。
0.06克（典型值）。
1
2007-10-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
绝对最大额定值（注）
特征
直流电源电压
输入电压
输出电压
DC输入电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
I
IN
P
D
T
OPR
T
英镑
等级
V
SS
0.5 V
SS
+ 20
V
SS
0.5 V
DD
+ 0.5
V
SS
0.5 V
DD
+ 0.5
±10
300 （ DIP ） / 180 （ SOIC ）
40
85
65
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
注意：
任何超过绝对最大额定值，即使短暂，导致恶化IC性能或
甚至是破坏。
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值和经营范围。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
工作范围
(V
SS
= 0V） （注）
特征
直流电源电压
输入电压
符号
V
DD
V
IN
测试条件
―
―
民
3
0
典型值。
―
―
最大
18
V
DD
单位
V
V
注意：
必须保持在工作范围，以确保设备的正常运行。
未使用的输入必须连接到无论是V
DD
或V
SS
.
2
2007-10-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
静态电气特性
(V
SS
= 0 V)
测试条件
特征
符号
V
DD
(V)
|I
OUT
|
＆ LT ;
1
μA
V
IN
=
V
SS
, V
DD
|I
OUT
|
＆ LT ;
1
μA
V
IN
=
V
SS
, V
DD
V
OH
=
4.6 V
V
OH
=
2.5 V
输出高
当前
I
OH
V
OH
=
9.5 V
V
OH
=
13.5 V
V
IN
=
V
SS
V
OL
=
0.4 V
输出低
当前
I
OL
V
OL
=
0.5 V
V
OL
=
1.5 V
V
IN
=
V
DD
V
OUT
=
0.5 V, 4.5 V
输入高
电压
V
IH
V
OUT
=
1.0 V, 9.0 V
V
OUT
=
1.5 V, 13.5 V
|I
OUT
|
＆ LT ;
1
μA
V
OUT
=
0.5 V, 4.5 V
输入低
电压
V
IL
V
OUT
=
1.0 V, 9.0 V
V
OUT
=
1.5 V, 13.5 V
|I
OUT
|
＆ LT ;
1
μA
输入
当前的“L”
水平
“H”
水平
I
IH
I
IL
V
IL
=
18 V
V
IL
=
0 V
V
IN
=
V
SS
, V
DD
（注）
18
18
5
10
15
0.1
0.1
0.25
0.50
1.00
10
10
5
40°C
民
4.95
9.95
14.95
0.61
2.50
1.50
4.00
最大
0.05
0.05
0.05
民
4.95
9.95
14.95
0.51
2.10
1.30
3.40
25°C
典型值。
5.00
10.00
15.00
0.00
0.00
0.00
1.0
4.0
2.2
9.0
最大
0.05
0.05
0.05
民
85°C
最大
0.05
0.05
0.05
mA
V
V
单位
5
10
15
5
10
15
5
5
10
15
4.95
9.95
14.95
0.42
1.70
1.10
2.80
高位
输出电压
V
OH
低电平
输出电压
V
OL
5
10
15
0.61
1.50
4.00
0.51
1.30
3.40
1.2
3.2
12.0
0.42
1.10
2.80
mA
5
10
15
4.0
8.0
12.0
4.0
8.0
12.0
4.0
8.0
12.0
mA
5
10
15
1.0
2.0
3.0
1.0
2.0
3.0
1.0
2.0
3.0
mA
0.1
0.1
0.25
0.50
1.00
1.0
μA
1.0
7.5
15.0
30.0
μA
5
0.001
0.001
0.002
静
电源电流
I
DD
注：所有有效的输入组合。
3
2007-10-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
动态电气特性
（ TA = 25 ° C，V
SS
= 0 V ，C
L
= 50 pF的）
特征
符号
测试条件
V
DD
(V)
5
t
TLH
10
15
5
t
THL
10
15
5
t
PLH
10
15
5
t
PHL
10
15
C
IN
民
典型值。
70
35
30
70
35
30
55
30
25
55
30
25
7.5
最大
200
100
80
200
100
80
110
60
50
110
60
50
15
pF
ns
ns
ns
ns
单位
输出转换时间
（从低到高）
输出转换时间
（高到低）
传播延迟时间
（从低到高）
传播延迟时间
（高到低）
输入电容
波形的动态特性测量
20纳秒
90%
50%
10%
t
PHL
20纳秒
90%
50%
10%
t
PLH
输入
产量
t
THL
t
TLH
4
2007-10-01
TC4069UBP/UBF/UBFN/UBFT
包装尺寸
重量：0.96克（典型值）。
5
2007-10-01
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TP8452
TS80C51RA2-VIAR
TK14600MBX
TSC87251G2D-24IJ
TE28F128P30T85
TC514402AZ-70
TMP93PW32
TLV2473IDR
TLE2082CD
TDP04H1SBD1
TSC80C51T-L20IH
T2C3-1QSB
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联系人：马小姐
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TC4069UBFN
TOS
21+
2170
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