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TC341
780×488
像素
CCD图像传感器
SOCS083A - 2002年10月
D
高分辨率,固态图像传感器
D
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D
D
D
D
D
D
对于B / W视频与计算机应用
11毫米的图像面积对角线兼容
与2/3“视像光学
754 (H) × 484 (V)中的有源元件
影像感测区
横向溢出漏抗光晕
电子曝光控制
隔行扫描或逐行扫描读出
行加法和像素加法模式
低暗电流
动态范围大于64分贝
高灵敏度
高蓝应答,包括深紫外
单相时钟,
固态可靠性无图像
烧机,残留成像,图像
失真,图像滞后,或颤
GND 1
ODB 2
IAG
3
双列直插式封装
( TOP VIEW )
22 GND
21美洲开发银行
20 IAG
19 GND
18 GND
17 GND
16 NC
15 SRG
14 TRG
13 RSG
12 NC
GND 4
SAG 5
SAG 6
7 GND
8 VOUT
VDD 9
国开行10
NC 11
描述
德州仪器TC341传感器是一种高性能的帧传输的电荷耦合器件( CCD)的
图像传感器。它被设计为在黑/白视频和计算机照相机应用。该装置适用
以取代在要求小尺寸,高可靠性和低成本的应用的三分之二英寸光导摄象管筒。
在TC341传感器的图像感测区域被构造成488行,每行780的元件。
二十六个元件的暗基准设置在每一行。该传感器的绽放保护
基于先进的横向溢流漏极( ALOD ) 。的抗光晕功能被激活时,一个合适的
直流偏压施加到所述抗光晕漏针。采用这种类型的绽开保护,也可以用来清除
所有充电的图像区域。这是通过对至少1供给单个10伏的脉冲来实现
s
to
溢出漏针。
该传感器被设计成隔行扫描操作,以及在逐行扫描模式。的隔行扫描模式
操作可以通过两种方式来实现:通过在对应的图象场或由一个跳过奇数行或偶数行
合适的行求和。行求和提供了更高的灵敏度,因为所有收集到的电荷被使用。该
行跳跃提供稍高的垂直分辨率,但具有较低灵敏度的处罚。该
逐行扫描模式既不牺牲灵敏度也不分辨率。
标准门的浮动扩散充电检测节点结构转换电荷转换成电压信号。为
更高的精度和稳定性,该结构被复位到一个芯片上自动电位追踪的参考电压。
复位门都有一个独立的外部引脚,可实现像素求和跳过检测
节点复位脉冲。一种低噪声,双级,源极跟随放大器,缓冲器的输出,并提供高
输出驱动能力。该TC341传感器采用TI专有的虚拟相技术,内置其中
提供了具有高蓝色响应,低暗电流,高光响应的均匀性,并且一个单相装置
时钟。
在TC241传感器的特点是操作从-10℃至45℃。
请注意,一个重要的通知有关可用性,标准保修,并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2002年,德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯,德克萨斯州75265
1
SOCS083A - 2002年10月
TC341
780×488
像素
CCD图像传感器
功能框图
GND
暗基准像素
为0dB
输入
二极管
1dB的
GND
IAG
图像感应区域
盛开的保护
IAG
GND
GND
SAG
GND
SAG
图像存储区域
产量
扩音器
GND
GND
NC
VOUT
SRG
串行读出寄存器
VDD
国开行
NC
2
负责清算
传送门
邮政信箱655303
TRG
RSG
NC
达拉斯,德克萨斯州75265
TC341
780×488
像素
CCD图像传感器
SOCS083A - 2002年10月
传感器拓扑图
26黑
参考
像素
754有效像素
暗基准像素
484有效行
图像感应区域
盛开的保护
488线
图像存储区域
光黑色像素( OPB )
9
26
754有效像素
一个虚拟像素
790像素
虚拟像素
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达拉斯,德克萨斯州75265
四暗
隔离线
3
SOCS083A - 2002年10月
TC341
780×488
像素
CCD图像传感器
终端功能
终奌站
名字
国开行
GND
IAG
1dB的
NC
为0dB
RSG
SAG
SRG
TRG
VDD
VOUT
10
1, 4, 7, 17,
18, 19, 22
3, 20
21
11, 12, 16
2
13
5, 6
15
14
9
8
I
I
I
I
I
I
I
I
O
I / O
I
收费结算漏极偏置
芯片基板(SUB)
图片区大门
输入二极管偏置
无连接
负责溢出漏极偏置
检测节点复位门
存储区域门
串行寄存器门
传送门
功放漏极偏置
传感器输出
描述
详细说明
在TC341传感器由四个基本功能模块:图像感测区域中,图像存储区,
串行寄存器和电荷检测放大器。每个块的位置,在被识别
功能框图。
图像传感和存储领域
图1示出的横截面与潜在阱图和图2示出了在像素中的顶视图
图像感测和存储区域。作为光在图像感测区域进入硅中,产生电子
并收集在像素的势阱。施加适当的直流偏置的抗光晕漏极提供
盛开的保护。在超过指定水平的电荷量,由ODB偏置决定,是
倒掉远离像素。如果有必要除去从孔中所有先前积累的电荷,一个
短的正脉冲必须施加到漏极。这标志着新的积分周期的开始。后
在积分周期结束时,电荷被迅速转移到其中它等待读出的存储器。该
线可以从存储器中读出的顺序来执行逐行扫描,或两条线可以
概括起来,在串行寄存器来实现一个伪隔行扫描方式。真正的隔行扫描方式是
通过跳过奇数还是偶数行,这取决于读取场和倾倒不需要的电荷来实现
到位于旁边的串行寄存器结算流失。
在图像感测区域的左边缘二十六个列从入射光屏蔽。这些像素
提供的暗基准,用于在后续的视频处理电路,用来恢复视频信号的黑电平。
另外四个暗线,位于图像感应区域和图像的存储区域之间,分别加入
隔离。
4
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达拉斯,德克萨斯州75265
TC341
780×488
像素
CCD图像传感器
SOCS083A - 2002年10月
IAG
多晶硅栅
p+
虚拟相门
+++++++++++++++
正埋沟
p衬底
X
通道可能
低时钟偏差
收费
转让
主频
WELL
图1.图像区域和存储区域像素断面有势图
邮政信箱655303
像素的横截面
虚拟
WELL
通道可能
高钟差
+++++++++++++++++++++++
++++++++++++++
+++
收费
转让
达拉斯,德克萨斯州75265
5
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TC341
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
TC341
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