【- 初步数据表 -TC2998EPRE.1_01/21/20082.5-2.7GHz 20W封装的G】,IC型号TC2998E,TC2998E PDF资料,TC2998E经销商,ic,电子元器件-51电子网

- 初步数据表 -

TC2998E

PRE.1_01/21/2008

2.5-2.7GHz 20W封装的GaAs功率场效应管

特点

20 W典型电源

10.5分贝典型的线性功率增益

高线性度：

IP3 = 52 dBm的典型

高功率附加效率：

37％的标称PAE

100％的DC和RF测试

描述

该TC2998E是一个打包的假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）功率晶体管。

在陶瓷封装提供了砷化镓场效应管的最好的热传导率。所有器件100 ％的直流

和RF测试，以保证稳定的质量。典型的应用包括高动态范围功率放大器

用于军事或商业应用。

电气规格

符号

频率

1dB

IP3

PAE

DSS

DGO

条件

工作频率

输出功率1分贝增益压缩点，

VD = 10V ，ID = 4.5A ， F = 2.5 - 2.7GHz的

线性功率增益

VD = 10V ，ID = 4.5A ， F = 2.5 - 2.7GHz的

的3截点

阶互调， VD = 10V ，ID = 4.5A ， F = 2.5 - 2.7GHz的，

SCL

= 31 dBm的

民

2.5

9.5

10.5

18.75

13500

-1.7

0.6

典型值

最大

2.7

单位

GHz的

DBM

伏

° C / W

在1dB压缩功率功率附加效率

饱和漏源电流在V

= 2 V, V

= 0 V

跨在V

= 2 V, V

= 0 V

夹断电压在V

= 2 V，I

= 60毫安

漏极 - 栅极击穿电压在I

DGO

?? 15毫安

热阻

* P

SCL

：单载波电平，频率变化= 5MHz时的输出功率。

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P1/2

TC2998E

25绝对最大额定值

符号

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

RF输入功率， CW

连续耗散

通道温度

储存温度

等级

12 V

-5 V

DSS

37dBm

150 W

175

- 65

到+175

PRE.3_01/21/2008

操作注意事项：

用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。

静电放电（ ESD ）预防措施

在存储的所有阶段被观察，处理

装配和测试。静电放电必须是

小于300V

机械概要

门

来源

漏

注 - 机械外形可能在实际的设计进行调整..

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P2/2

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