TC18C43
TC28C43
TC38C43
BiCMOS电流模式PWM控制器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
低功耗BiCMOS工艺设计
艰难的CMOS
TM
施工
低电源电流............. 1.0毫安典型值@ 100kHz的
宽电源电压工作.............. 8V至15V
闭锁抗扰度................... 500毫安的输出
输入端可承受负向输入 - 5伏
高输出驱动.................................... 0.7A峰值
（ 1.2A 14引脚和16引脚版本）
2 kV ESD保护
电流模式控制
快速上升/下降时间（最大值） ........... 60nsec @ 1000pF的
高频率工作频率500kHz ..........................
时钟斜坡复位电流................. 2.5毫安
±
10%
低传播延迟电流放大器
到输出............................................ 140nsec典型。
引脚兼容于UC3843
1
概述
该TC38C43是电流模式的BiCMOS PWM控制
IC 。具有低1.0毫安电源电流随着高驱动
电流（ 0.7A峰值）它提供了一种脉宽调制一个低成本的解决方案
其操作以500 kHz和直接驱动MOSFET的最多
HEX 3的大小。
振荡器和电流检测的性能扩增
费里已经比以前的双极ver-有了很大的提高
sions 。电压和温度的稳定性已经im-
按3.噪声抗扰度（ PSRR ）的一个因素证明也
得到了改善。
该TC38C43引脚与早期的双极兼容
版本使设计人员能够轻松地更新旧的设计。
改进增加了，但。例如，
时钟斜坡复位电流在2.5毫安（±10％ ），用于指定
精确的死区时间控制。一些组件的值必须
被改变（注册商标
T
＆放大器;
T
）利用现有的两极TC38C43
设计。
14引脚DIP和16引脚SOIC封装的版本区隔
率和内部隔离的理由，并且额定更高
输出电流（ 1.2A ） 。这些独立的理由允许
PWM的“引导”操作，进一步提高艾菲
效率。
功能框图
2
3
4
5
6
7
PIN号码
14引脚DIP
订购信息
产品型号
TC18C43MJA
TC18C43MJD
TC28C43EOE
TC28C43EPA
TC28C43EPD
TC38C43COE
TC38C43CPA
TC38C43CPD
包
8引脚CERDIP
14引脚CERDIP
温度
- 55 ° C至+ 125°C
- 55 ° C至+ 125°C
16引脚SOIC （广角） - 40 ° C至+ 85°C
8引脚塑料DIP
- 40 ° C至+ 85°C
14引脚塑料DIP
- 40 ° C至+ 85°C
16引脚SOIC （宽）
8引脚塑料DIP
14引脚塑料DIP
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
VIN
12
VREF
2.5V
1.4V
VREF
14
RT / CT
7
OSC
CLK
11
10
VDD
产量
动力
地
销刀豆网络gurations
8引脚塑料DIP
CMPTR
VFB
ISENSE
RT / CT
1
2
3
4
8
VREF
VIN
产量
GND
7
6
5
16引脚SOIC （宽）
NC
NC
CMPTR
VFB
ISENSE
RT / CT
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
NC
VREF
VIN
VDD
产量
GND
动力
GND
NC
欠压
部分
类似物
GND
9
UV GOOD
8
TC18CMJA
TC28CEPA
TC38CCPA
0.4V
SENSE
5 –
+
PWM比较器
+
S Q
–
CLK
R
TC28CCOE
TC38CEOE
12
11
10
9
14引脚塑料DIP
CMPTR
NC
VFB
NC
ISENSE
NC
RT / CT
1
2
3
4
5
6
7
14 Vref的
13 NC
12输入电压
NC
NC
误差放大器
2.5V
VFB
3
COMP
1
R
+
–
2R
LIMIT BUFFER
+
–
1.4V
TC18CMJD
TC28CEPD
TC38CCPD
11 VDD
10输出
9
8
GND
动力
GND
8
TC38C43-7 96年10月21日
TELCOM半导体，INC。的
4-93
TC18C43
TC28C43
TC38C43
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ............ 18V
最大片上温度................................... 150℃
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 55 ° C / W
BiCMOS电流模式
PWM控制器
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 250 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 75 ° C / W
工作温度
18C4x ...................................... - 55C °
≤
T
A
≤
+125°C
28C4x ........................................ - 40C °
≤
T
A
≤
+85°C
38C4x ............................................. 0C °
≤
T
A
≤
+70°C
电气特性
除非另有说明，这些规范适用于特定的
温度范围。 V
IN
= V
DD
= 15V ;
T
= 71 kΩ的;
T
= 150 pF的。
TC18C43
TC28C43
参数
参考科
输出电压
线路调整
负载调整率
温度稳定性
输出噪声电压
长期稳定性
输出短路
T
A
= 25 ° C，I
O
= 1毫安
9.5V
≤
V
IN
≤
15V ，我
O
= 1毫安
1mA
≤
l
O
≤
11mA
（注1 ）
10Hz
≤
f
≤
10千赫，T
A
= 25 ° C（注1 ）
T
A
= 125°C ， 1000小时。 （注1 ）
4.9
—
—
—
—
—
-20
90
—
—
2.25
2.45
1
—
—
70
650
80
1.2
3
5.65
0.1
—
—
2.8
0.85
70
—
—
5
±3
±5
±0.25
100
±0.5
-50
100
±0.2
±0.01
2.5
2.65
—
±15
±0.3
90
750
100
1.5
3.4
6
0.7
5
3
2.9
0.95
80
±0.3
140
5.1
±10
±15
±0.5
—
—
-100
110
±0.3
±0.05
2.75
2.85
—
±50
±2
—
—
—
—
—
6.5
1.1
7
5
3.1
1.05
—
±2
160
4.90
—
—
—
—
—
-30
93.8
—
—
2.25
2.45
1
—
—
70
650
80
1.5
3.9
5.65
0.1
—
—
2.8
0.85
70
—
—
5
±3
±3
±0.25
100
±0.5
-50
100
±0.2
±0.01
2.5
2.65
—
±15
±0.3
90
750
100
1.7
4.2
6
0.7
5
3
2.9
0.95
80
±0.3
140
5.10
±10
±10
±0.5
—
—
-100
106.5
±0.3
±0.03
2.75
2.85
—
±50
±2
—
—
—
—
—
6.5
1.1
7
5
3.1
1.05
—
±2
150
V
mV
mV
毫伏/°C的
μV （ RMS）
%
mA
千赫
%
%/°C
mA
V
兆赫
mV
nA
dB
千赫
dB
mA
mA
V
V
微秒
微秒
V/V
V
dB
nA
纳秒
TC38C43
最大
民
典型值
最大
单位
测试条件
民
典型值
振荡器部分
初始精度
电压稳定
温度稳定性
时钟复位斜
振幅
最大频率
T
A
= 25 （注4 ）
9.5V
≤
V
IN
≤
15V
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
（注1 ） ;图2
R
T
/C
T
脚在4V
R
T
/C
T
针峰峰值
注1
V
（ CMPTR ）
= 2.5V
（注1 ）
2V
≤
V
O
≤
4V
（注1 ）
9.5V
≤
V
IN
≤
15V
V
FB
= 2.7V, V
（ CMPTR ）
= 1.1V （注1 ）
V
FB
= 2.3V, V
（ CMPTR ）
= 5V （注1 ）
V
FB
= 2.3V ，R
L
= 10K到地
V
FB
= 2.7V ，R
L
= 10K到V
REF
注1
注1
注2 & 3
V
（ CMPTR ）
= 5V （注2）
9.5V
≤
V
IN
≤
15V （注1,2 & 5 ）
注1
V
(
I
感）
= 1V （注1 ） ;图3
误差放大器部分
输入失调电压
输入偏置电流
A
VOL
增益带宽积
PSRR
输出灌电流
输出源电流
V
OUT
高
V
OUT
低
上升响应
秋季回应
电流检测科
收益率
最大输入信号
PSRR
输入偏置电流
延迟输出
4-94
TELCOM半导体，INC。的
BiCMOS电流模式
PWM控制器
TC18C43
TC28C43
TC38C43
1
电气特性
（续） ：
除非另有说明，这些规格适用于指定的
温度范围。 V
IN
= V
DD
= 15V ;
T
= 71 kΩ的;
T
= 150 pF的。
TC18C4X
TC28C4X
参数
输出部分
R
DS
2
TC38C4X
最大
15
20
60
60
—
18
8.8
7.9
100
0
300
2
测试条件
I
SINK
= 20mA下
I
来源
= 20mA下
C
L
= 1nF的（注1 ）
C
L
= 1nF的（注1 ）
库仑（注1 ）
注1
x8C43
x8C43
x8C43 （注1 ）
民
—
—
—
—
—
—
7.9
7.2
95
典型值
7
11
40
30
6.5
—
8.4
7.6
97
民
—
—
—
—
—
—
7.9
7.2
95
典型值
7
11
35
30
6.5
—
8.4
7.6
97
最大
15
15
60
40
—
18
8.8
7.9
100
0
300
1.5
单位
纳秒
纳秒
nC
V
V
V
%
%
A
mA
（上）
R
DS （ ON）
上升时间
下降时间
交叉传导
V
DD
Ma
启动阈值
欠压阈值
3
4
5
6
7
欠压锁定部分
PWM节
最大占空比
最小占空比
电源电流
启动
操作
T
A
= 25 ° C，V
IN
＆ LT ; V
UV
;图1
V
FB
= V（I
SENSE
） = 0V ;图4
50
170
1
50
170
1
注意事项：
1.这些参数，虽然保证在
推荐的操作条件下，不会在测试
生产。
2.参数在锁存器的跳变点进行测量。
3.增益比被定义为：
V
COMP
ΔV （我
SENSE
)
其中0
≤
V（I
SENSE
)
≤
0.8V
4.输出频率等于振荡器频率为
x8C43.
5. PSRR的V
REF
，误差放大器和PWM比较器
组合。
Telcom公司半导体公司保留在任何时间详见本手册，恕不另行通知，在电路改变或规格的权利。最小值
和最大值的保证。所有其他规范的目的是作为唯一的指导方针。 Telcom公司半导体公司对使用不承担任何责任
本文所述的任何电路和不作任何陈述，他们是不受专利侵权。
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电材料。防止静电放电和静电场的设备。强调以上
绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些仅仅是极限参数和功能操作
该设备在这些或以上的规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
引脚说明
PIN号
8-Pin
针无
14-Pin
2
4
1
3
5
7
针无
16-Pin
1
2
3
4
5
6
符号
NC
NC
CMPTR
V
FB
I
SENSE
R
T
/C
T
描述
无连接
无连接
补偿反馈环路响应。
电压反馈误差放大器来调节电压。
用于检测传输晶体管的电流，当电流终止驱动器
极限阈值，达到这个引脚。
电容和电阻输入来设置该PWM振荡器频率
控制器。将电阻从V连接
REF
输出至R
T
/C
T.
该电容器是由电路接入
T
/C
T
模拟GND 。
4-95
1
2
3
4
8
TELCOM半导体，INC。的
TC18C43
TC28C43
TC38C43
引脚说明
（续）
PIN号
8-Pin
针无
14-Pin
6
13
8
9
10
11
12
14
BiCMOS电流模式
PWM控制器
针无
16-Pin
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
NC
NC
NC
电源地
模拟GND
产量
V
DD
V
IN
V
REF
NC
描述
无连接
无连接
无连接
接地回路的输出驱动器。
对于所有的低电平模拟信号的回报。
输出驱动开关晶体管的栅极输入。
供应的输出驱动器电源输入端。
电压偏置电源的所有PWM控制器的电路功能。
参考： 5.0伏输出。
无连接。
5
6
7
8
参考科
基准是一个齐纳为基础的设计与缓冲器
放大器来驱动输出。它是不稳定的电容
之间0.01μF和3.3μF 。在一个正常的应用程序中的4.7μF
被使用。在一些低噪音布局的电容即可
完全消除。
基准是有源只要38C4x具有
供电。这是比其两极反不同
部件，在该双极参考附带只在IC后上
已经走出了其在电压模式。由此，第38C4x ，
基准销不能用作为复位功能，例如
作为一个软启动电路。
f
O
≈
1
(R
T
在欧姆和C
T
在法拉）
R
T
C
T
R的值
T
影响放电电流和
每个上部和下部比较器具有的延迟。为R
T
变
和较小的操作频率变高，则
上述公式不再有效。
14
Vref的（5V）
振荡器部分
振荡器的频率是由一个组合设置
从基准到R电阻器
T
/C
T
脚并用
从这个引脚的电容到地。振荡器被设计
具有从0.15至2.5伏的斜坡幅度。这是
近似的，因为在拍摄振荡器比较
导致斜坡幅度随频率增加，由于
到比较器的延迟。对于C最小值
T
和R
T
是
33pF的和1kΩ的分别。最高值是依赖新生
凹痕上的漏电流在电容器中，而不是在输入
电流到R
T
/C
T
引脚。
RT
7
RT / CT
CT
9
GND
PIN号码14引脚DIP
操作的频率
振荡的TC38C43频率是CON-
通过一个电阻与V受控
REF
(R
T
）和电容器接地
(C
T
). V
REF
供应电流通过电阻和电荷
电容器，直到其电压达到的阈值
上比较器（ ≈2.5V ） 。一个2.5毫安电流，然后应用
到电容器以放电至接近地电位（ ≈0.15V ） 。该
放电电流被切断，重复该循环。一
为工作在频率近似式为：
4-96
TELCOM半导体，INC。的
BiCMOS电流模式
PWM控制器
TC18C43
TC28C43
TC38C43
电流通过电阻器两端的电压降所感测
RS 。一个小的RC滤波器，可能需要抑制开关
短暂的。这个电压进入PWM控制器在我
SENSE
,
销5的0.4伏的电压，在此之前加入送入脉宽调制
比较器（ + ）输入。 PWM比较器（ - ）输入
感应电压反馈误差放大器输出与限制
缓冲器限制该电压到1.4V最大。此限制
缓冲器限制RS两端的峰值电流的最大值的
0.95V 。在正常操作中，误差放大器控制
电流限制阈值。
关闭方法
1
死区时间
R的值
T
对放电率的效果，但
首要考虑的是C的值
T
。时间
需要使电容器放电时大约1000
C
T
.
欠压闭锁范围
VIN
2
3
4
IS
TCx8C43
VON = 8.4V
VOFF = 7.6V
1mA
TCx8C43
14
TCx38C43
TCx38C43
1
VREF
CMPTR
170A
8.4 V
7.6V
VDD
5k
关闭
9
5.1k
5
ISENSE
类似物
GND
欠压闭锁范围
该TCx8C43 PWM控制器采用宽的地方
不要求输入电压的范围。从范围
启动V
in
电压阈值下的电压阈值是
起始电压的大约9.5％。典型的起动
电压为8.4V和压差为7.6V 。这个范围
在直流 - 直流转换器的应用中使用的大多数。
关闭
当前
检测电阻器
5
6
7
占空比限制
该TCx8C43 PWM控制器具有占空比限制
最大的99％。该振荡器工作在相同的运行
频率作为输出。
电流检测电路
ISENSE
R
5
0.4V
PWM
比较
关机可以通过拉我来实现
SENSE
上述1伏特或拉CMPTR ， 1脚接地。这将设置
PWM锁存器，使输出保持低电平，直到下一个
在关机状态后时钟脉冲被删除。
小型试验作战模拟
定时斜坡（R
T
/C
T
）由发射器缓冲
全功率并反馈到我
SENSE
输入。这个坡道
模拟的di / dt电流斜坡这将流经
变压器的原边。的输出电压
电源是通过将一些参考的模拟
电压为V
FB
。两个电平的组合确定了
开采的当前模式的操作特性
控制器。
LIMIT BUFFER
2R
–
RS
C
GND
9
+
+
–
+
–
1.4V
误差放大器
R
峰值电流（ IS ）公式：
IS =
0.95V
RS
8
4-97
TELCOM半导体，INC。的
QQ：2881677436 复制
