TC2876
REV4_20070507
5 W低成本封装的GaAs PHEMT功率场效应
特点
5在6 GHz W的输出功率
7分贝典型的线性功率增益为6 GHz的
高线性度： IP3 = 47 dBm的典型在6GHz
高功率附加效率：
的40 ％额定的PAE在6 GHz
适用于高可靠性的应用
击穿电压： BV
DGO
≥
18 V
LG = 0.6
m,
WG = 12毫米
VP紧控制范围
高RF输入功率处理能力
100％的直流测试
PHOTO扩建
低成本陶瓷封装
描述
该TC2876封装与TC1806假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ）砷化镓
电源芯片。 Cu基陶瓷封装提供了砷化镓场效应管优良的热传导性。所有
设备是100％的直流测试，以保证稳定的质量。典型的应用包括高动态范围的功率
放大器的商用和军用高性能功率应用。
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 1200毫安
线性功率增益，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 1200毫安
的3截点
rd
阶互调，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 1200毫安， * P
SCL
= 23 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
= 6 GHz的
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 24毫安
18
民
36
典型值
36.5
7
47
40
3
2000
-1.7**
22
3.5
最大单位
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 6毫安
R
th
热阻
注： * P
SCL
：单载波电平的输出功率。
**对于的夹断电压范围的严格控制，我们把TC2876到3的型号，以适应客户的设计要求
（ 1 ） TC2876P1519 ： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ） TC2876P1620 ： VP = -1.6V至-2.0V （ 3 ） TC2876P1721 ： VP = -1.7V至-2.1V
如果需要的话，用户可以指定在购买文件的要求。对于特殊要求的副总裁，请与工厂联系获取详细信息。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网站： www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
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TC2876
REV4_20070507
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
12 V
-5 V
I
DSS
33 dBm的
12 W
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
建议报告工作条件
符号
V
DS
I
D
参数
漏源极电压
漏电流
等级
8V
1200毫安
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。
静电放电（ ESD ）预防措施应
在储存，搬运，装配的各个阶段观察，并
测试。静电放电必须小于300V 。
外形尺寸
（单位：英寸）
2 PLCS
2 PLCS
4 PLC的
4 PLC的
4 PLC的
4面
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