TC246CYM-B0
680 ×500像素IMPACTRON
TM
补色CCD图像传感器
SOCS089 - 2005年5月
16 SA 1克
SA 15克2-
14 V c时LD
11
FP
+)
20 P(
AG
22 I 1
P(
+)
-)
18 P(
-)
17 P(
AG
21 I 2
23 D B
24苏B
V O u那样牛逼10
SRG 1 2
SRG 2 3
TH ER
苏B
苏B
CM摹
高光响应
均匀度在宽
光谱范围
固态可靠性不
图像烧伤，残余
成像，图像失真，或
颤
与包装内置帕尔贴
冷却器和温度
传感器
描述
该TC246CYM是帧行间传输CCD图像传感器设计用于在使用中
单芯片彩色NTSC电视，电脑，以及特殊用途的应用要求低
噪声，高灵敏度，高速，低拖尾。
该TC246CYM是IMPACTRON的新设备
TM
家人非常低噪声，高
灵敏度，高速度和低拖尾传感器直接充电的电荷倍增
转换前域电压。电荷载流子倍增器（CCM）是
通过使用过程中发生的低噪声的单载波，碰撞电离过程实现
通过高场区域重复载波传输。运用乘法脉冲
专门设计的城门启动CCM 。乘法增益可变
调节所述乘法脉冲的幅度。该设备功能类似
功能的固态实现图像增强的。
VDD
苏B
RST
NC
12
1
4
6
7
8
5
9
13苏B
极低噪声，非常高
灵敏度，电子
可变电荷域增益
1月2日，在格式，固态
电荷耦合器件（ CCD）的
帧行间转移
低彩色图像传感器
轻级应用
60场/ s的读取速度
CY，叶，镁，和G
互补马赛克滤镜
芯片
每场34万像素
帧存储器
658 （H ）× 496 （ V）有效像素
在图像感测区域
伪隔行扫描
0-8V串行操作除
CMG门
连续电子
从1/60秒曝光控制
1 / 2,000秒
先进的横向溢出
漏
10.0微米方形像素
低暗电流
双列直插式封装（顶视图）
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补色CCD图像传感器
SOCS089 - 2005年5月
该TC246CYM的图像感测区域被构造成500行与680个像素
每一行。 20个像素在每个行暗基准保留。盛开的保护
是基于一个先进的横向溢出漏极概念不降低近红外
反应。从图像感测区域中的帧行间传输到存储区域是
实现最大限度地减少画面拖影。后电荷被集成，并存储在
存储器也可用于读出在一个周期。这是通过使用一个实现
独特的串行寄存器的设计，包括特殊的电荷倍增像素。
该TC246CYM传感器采用TI专有的先进分裂栅虚拟相建
的CCD （ SGVPCCD ）技术，该技术可提供设备具有宽的光谱响应，高
量子效率（ QE） ，低的暗电流和高响应的均匀性。
该MOS器件包含有限的内置保护功能。在储存或处理，设备引线
应短接在一起或设备应放置在导电泡棉。在一个电路中，未使用的
投入应始终连接到Vss 。在任何情况下引脚电压超过
绝对最大额定值。避免短路输出到Vss操作期间防止损坏
放大器。该装置也被损坏，如果输出和ADB的终端是反向偏置的，并
过大的电流被允许流动。对于这种类型的处理设备的具体准则是
包含在出版的“准则处理静电放电敏感（ ESD ）
设备及组件“，可从德州仪器。
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Functi
onal BL
玉珠迪
AGRAM
子
24
O DB
23
我G1
A
22
我G2
A
21
SA 1克
SA克2-
15
V c时LD
14
苏B
13
16
我THERM
STOR （N TC ）
方舟指南P I S
XEL
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1
子
2
SR 1克
3
SRG 2
4
CM摹
5
圣
6
TH ER
7
苏B
9
VDD
10
VO UT
11
FP
12
苏B
对于稳定运行，一个去耦电容（ 1uF的， >5V ）需要在外部连接
从封装FP销分。
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
1
2
3
4
5
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9
10
12
FP （ I＃ 11 ）
PN
1uF
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S恩索尔白杨
术迪
AGRAM
20 D方舟指南P I S
XEL
658将CTI P I S
已经XEL
2 D方舟我ATI P I S
溶胶的XEL
<Image细胞Topologies>
10um的方
496将CTI李
已经内斯
PD-细胞
V-细胞
<Color过滤Topologies>
补色滤镜
烨烨
G
爵G
Mg
CY =青色
叶=黄色
毫克=洋红
G =绿
烨烨
Mg
G
爵G
抗光晕漏
4 D方舟我ATI李
溶胶网元
500李
NES
20 D方舟
指南P I S
XEL
658将CTI P I S
已经XEL
2 D方舟
我ATI P I S
溶胶的XEL
279 嗯M Y P I S
XEL
400 Mbps UL plcati P I S
TI我的XEL
三维微米M Y
PI s
XEL
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终端功能
终端名称，编号
子
SRG1
SRG2
CMG
RST
THER
NC
VDD
OUT
FP
VCLD
SAG2
SAG1
P(-)
P(+)
IAG2
IAG1
为0dB
1,7,12,13,24
2
3
4
5
6
8
9
10
11
14
15
16
17,18
19,20
21
22
23
I / O
I
I
I
I
I
-
I
O
I
I
I
I
I
I
I
I
描述
芯片衬底
串行寄存器门1
串行寄存器门2
电荷倍增门
复位门
热敏电阻（ NTC ：负温度系数）
无连接
电源电压放大器
输出信号，倍频通道
场板（连接外部电容）
电源电压为清算漏极& ESD保护电路
存储区域门2
存储区域门1
珀耳帖冷却器电源 - 负
珀耳帖冷却器电源 - 正
图像区域门2
图片区栅 - 1
电源电压为防晕染漏
详细说明
该TC246CYM由五个基本功能模块：图像感测区域中，所述
图像存储区域，所述串行寄存器，电荷倍增器，并且该充电检测
节点缓冲放大器。每个块的位置，在被识别
功能框图。
图像感测和存储区域
作为光入射在所述图像感测区域中的硅中，产生和收集的电子
中的像素的势阱。颜色由片上彩色马赛克滤光器实现的。 （见
应用一个合适的直流传感器的拓扑图的滤色器的映射）
偏向于抗光晕排水提供了绽放的保护。超过一个电子
特定电平，由ODB偏置确定的，被排出远离像素。后
积分周期是通过将PD-单元读出脉冲到IAG2完成时，充电是
从PD -细胞转移到V形细胞，然后迅速地转移到存储
细胞中，其中它等待读出。 2号线，可以归纳在一起，以实现伪
隔行扫描方式。
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