【TC245786-×488像素的CCD图像传感器SOCS019A - 1991年12月高分辨率，固态】,IC型号TC245,TC245 PDF资料,TC245经销商,ic,电子元器件-51电子网

TC245

786-

488像素的CCD图像传感器

SOCS019A - 1991年12月

高分辨率，固态图像传感器

支持NTSC /黑白电视的应用

8毫米图像面积对角线，兼容

1/2 “视像光学

755 （H ）× 242 （V ）有源元素

影像感测区

先进的片上信号处理

低暗电流

电子 - 空穴复合抗光晕

动态范围。。。大于70dB

高灵敏度

高光响应均匀性

高蓝回应

单相时钟

固态可靠性无图像

烧机，残留成像，图像

失真，图像滞后，或颤

双列直插式封装

（ TOP VIEW ）

1分

IAG 2

ABG 3

亚洲开发银行4

OUT3 5

OUT2 6

OUT1 7

AMP GND 8

国开行9

SUB 10

NC - 无内部连接

子

IAG

ABG

SAG

SRG3

SRG2

SRG1

TRG

1dB的

描述

在TC245是一帧传输的电荷耦合器件（ CCD）图像传感器在单芯片/黑白设计用于

NTSC电视应用。该装置是用来替代1/ 2英寸的摄像管管要求小应用

小，可靠性高，成本低。

在TC245的图像感测区域被构造成242行，每行786的元件。二十九

元件中的每个线对暗基准设置。传感器的晕染保护功能是根据

关于重组过量电荷与电荷在基板极性相反。这种抗光晕激活

通过提供时钟脉冲到抗光晕门，这是每一个图像传感元件的一个组成部分。

该传感器被设计以隔行模式操作，电子移动所述图像感测元件

在二分之一的垂直线的过程中的电荷积分周期交替场，有效地增加了

垂直分辨率和最小化失真。该装置还可以作为755 （H），由242 （V）的操作

逐行扫描传感器与显著减少在黑暗中的信号。

门控浮动扩散检测结构具有自动复位和电压基准芯片上整合

转换成电荷信号电压。该信号由低噪声进一步处理，状态的最先进的相关

夹紧-采样和保持电路。一种低噪声，双级，源极跟随放大器，缓冲器的输出端和

提供高输出驱动能力。的图像被读出，通过三个输出端，其每一个中读出每

第三image列。

该TC245采用TI专有的虚拟相技术，提供设备与高建兰

响应，低暗信号，良好的均匀性，和单相时钟。在TC245的特点是操作

从-10℃至45℃。

该MOS器件包含有限的内置栅极保护。在储存或处理，设备引线应短接在一起

或装置应放置在导电泡沫。在一个电路中，未使用的输入应始终连接到SUB 。在任何

情况应该引脚电压超过绝对最大额定值。避免短路OUTn的亚洲开发银行在操作过程中防止

放大器的损坏。该装置也被损坏，如果在输出端是反向偏置，过大的电流是

允许流动。用于处理这种类型的设备的具体准则中包含的出版物

处理指南

静电放电敏感（ ESDS ）器件和组件

从德州仪器。

PRODUCTION数据信息为出版日期。

产品符合每德州仪器条款规范

标准保修。生产加工并不包括

所有测试参数。

版权

1991年，德州仪器

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488像素的CCD图像传感器

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功能框图

顶漏

图片区某

盛开的保护

黑暗的参考元素

亚洲开发银行

放大器器

1dB的

OUT2

多路复用器，传输

盖茨和串行寄存器

TRG

SRG3

SRG2

SRG1

存储区域

SAG

IAG

ABG

IAG

ABG

OUT3

OUT1

清漏

11 DUMMY

分子

AMP GND

国开行

详细说明

在TC245由四个基本功能模块：（1）在图像感测区域，（2）的图像的存储区域，

（3）与串行寄存器和传输门复用器块，和（4）的低噪声信号处理

与电荷检测节点的功放块。每个块的位置在功能识别

框图。

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传感器拓扑图

244

1/2

755 + 1/2 + 1/2

有效成像区域

29 + 1/2

2号线

反向传输

252

反向传输

虚拟像素

11.5

251 + 1/2 + 1/2

9.5

OPB

终端功能

I / O

针

名字

ABG

亚洲开发银行

AMP GND

国开行

IAG

1dB的

OUT1

OUT2

OUT3

SAG

SRG1

SRG2

SRG3

子

号

描述

抗光晕门

电源电压放大器漏极偏置

功放接地

电源电压为结算漏极偏置

图像面积栅

电源电压输入二极管偏置

输出信号1

输出信号2

输出信号3

存储区域门

串行寄存器门1

串行寄存器2号门

串行寄存器门3

基板和时钟回报

TRG

传送门

同名的所有引脚都应该在外部连接在一起。

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图像感测和存储区域

图1和图2示出了与势阱，图表和影像传感的顶视图和横截面

存储区域元素。作为光入射在所述图像感测区域中的硅中，产生的自由电子和

收集在所述感测元件的势阱。在这段时间，开花保护由活化

施加一个脉冲串的脉冲的抗光晕栅极输入每个水平消隐间隔。这可以防止

绽放造成电荷曝光过度的元素溢出到相邻的元素。后

整合完成后，信号电荷被传输到存储区域。

有29个完整的列和元素在图像感测区域是右边缘上的一个半柱

从入射光屏蔽;这些元件提供了在随后的图像处理中使用的暗基准

电路恢复视频黑电平。也有一个完整的塔和一个半柱光屏蔽

在图像感测区域的左边缘的元素和两行之间的光屏蔽元件

图像传感和图像的存储区域（后者防止从图像感测区域的电荷泄漏到

图像存储区域）。

复用传输门和串行寄存器

多路转换器和传输门从所述存储区域的列转移电荷逐行地进

相应的串行寄存器，并准备将其读出。图3示出了复用栅极的布局

该垂直分离的像素为输入到串行寄存器。图4示出的界面的布局

串行寄存器的栅极和传输门之间的区域。在水平复用被激活

消隐期间通过施加合适的脉冲来传输门和串行寄存器;所需要的脉冲

定时示于图5，漏极还包括以提供能力以清除图象传感和

不需要的电荷的存储区。这样的电荷所用的成像器在启动动作的累积

或在特殊情况下，当电视不规范的操作是需要的。

相关钳采样和保持放大器带有电荷检测节点

图6示出了相关钳采样和保持放大器电路。电荷被转换成视频

通过转移电荷到浮动扩散区结构在节点1检测信号，该信号连接到所述

MOS晶体管Q1的栅极。比例的电荷引起的信号然后通过在示出的电路处理

图6.该电路包括由Q1和C2组成的低通滤波器的，耦合电容器C1 ，虚设检测

节点2，其恢复对Q3的栅极的直流偏压，采样晶体管Q5 ，保持电容器C3 ，并输出

缓冲Q6 。晶体管Q2， Q4和Q7的电流源放大器的每一个对应的阶段。该

这种高性能信号处理放大器的参数进行了优化，以减少噪声和

最大化的视频信号。

信号处理开始检测节点1和恢复的直流偏置的对Q3的栅极的复位

通过虚设检测节点2的夹紧作用在夹紧完成后，将新的充电

包被转移到检测节点1将所得的信号由采样晶体管Q5取样并

被存储在保持电容器C3 。这个过程是周期性重复的，并且相关于充电

在转移寄存器。的相关性，因为在寄存器中使用的相同的时钟线，自动地实现

φ-S2

和

φ-S3

电荷传输服务的复位和样品。多次使用的时钟线的显著

减少了操作该传感器所需的信号的数量。该放大器还包含一个内部电压

参考发生器，它提供基准偏置用于复位和钳位晶体管。检测结

和相应的放大器被置于一定距离的存储区的边缘。因此，

11虚设元件被并入在每一个串行寄存器的末端跨越的距离。位置

虚设元件，其被认为是在放大器的一部分，示出了在功能块

图。

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8.5

微米（H）的

主频屏障

φ -IAG

虚拟屏障

抗光晕门

虚拟恩

抗光晕

时钟级别

φ- ABG

光

19.75

微米（V）的

主频嘛

积累的电荷

图1.电荷积累过程

φ -PS

主频相

虚拟相

通道停止

图2.电荷转移过程

通道停止

虚拟

WELL

主频

WELL

通道

停止

复

门

主频

威尔斯

串行寄存器

门

转让

门

图3.复栅布局

图4.接口区域布局

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