TC2054/2055/2186
50mA时100mA时到150mA的CMOS LDO的
具有关断功能和错误输出
特点
极低的电源电流（ 55μA典型值）的长
电池寿命
非常低压差电压： 140MV （典型值） @
150mA
高输出电压精度： ± 0.4 ％ （典型值）
标准或定制输出电压
节能关断模式
错误输出可以用作低电池
检测器或处理器复位发生器
快速关机响应时间： 60μsec （典型值）
过电流保护
节省空间的5引脚SOT- 23A封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
概述
该TC2054 ， TC2055和TC2186是高精度
（典型值为± 0.4 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）
低压差稳压器。专为BAT-设计
tery操作的系统，设备的总电源电流
通常是55μA在满负荷（低于20到60倍
双极型稳压器） 。
该器件的主要特性包括超低噪声能操作
ATION ，非常低的压差电压 - 通常45mV
（ TC2054 ） ; 90MV （ TC2055 ） ;和140MV （ TC2186 ）在
满载 - 和快速响应阶跃变化的负载。一
错误输出（ ERROR ）的断言，当设备
外的调节（由于低输入电压或exces-
西伯输出电流）。电源电流降至0.5μA到
（ max）和两个V
OUT
和ERROR被禁用时，
关断输入为低。该器件还集成
过电流保护。
该TC2054 ， TC2055和TC2186是稳定的，
1μF的低ESR陶瓷输出电容，并有一个
50mA时百毫安到150mA的最大输出电流，
分别。该LDO系列还具有快速
从释放时的响应时间（典型60μsec ）
关机。
应用
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSMS / PHS电话
寻呼机
典型用途
1
5
1F
器件选型表
产品型号
TC2054-xxVCT
TC2055-xxVCT
TC2186-xxVCT
注意：
包
5引脚SOT- 23A *
5引脚SOT- 23A *
5引脚SOT- 23A *
结温。
范围
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
2
GND
V
IN
V
IN
V
OUT
V
OUT
1F
* 5引脚SOT- 23A等同于EIAJ （ SC - 74A ） 。
3
关断控制
（从功率控制逻辑）
SHDN
TC2054
TC2055
TC2186
4
1M
套餐类型
V
OUT
5
错误
4
错误
错误
TC2054
TC2055
TC2186
1
2
3
V
IN
GND SHDN
5引脚SOT- 23A *
顶视图
2002年Microchip的科技公司
DS21663B第1页
TC2054/2055/2186
1.0
电动
特征
*注意，超出上述绝对马克西在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下长时间我
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压................................ （ - 0.3 ）至（Ⅴ
IN
+ 0.3)
工作温度.................. -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度.......................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
TC2054 / 2186分之2055电气特性
电气特性：
V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100μA ，C
L
= 3.3μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125 ° C的结温。
符号
V
IN
I
OUTMAX
参数
输入工作电压
最大输出电流
民
2.7
50
100
150
V
R
- 2.0%
—
—
—
-1.5
-2.5
—
—
—
—
—
—
—
160
—
—
—
典型值
—
—
—
—
V
R
± 0.4%
20
40
0.05
0.5
0.5
2
45
90
140
55
0.05
50
300
0.04
600
60
最大
6.0
—
—
—
V
R
+ 2.0%
—
—
0.5
0.5
0.5
—
70
140
210
80
0.5
—
—
—
—
—
单位
V
mA
注1
TC2054
TC2055
TC2186
注2
测试条件
V
OUT
TCV
OUT
V
OUT
/
V
IN
V
OUT
/
V
OUT
V
IN
– V
OUT
输出电压
V
OUT
温度
系数
线路调整
负载调整率
V
PPM /°C的
注3
%
%
(V
R
+ 1V ） < V
IN
＆ LT ; 6V
TC2054;TC2055
TC2186
注4
I
L
= 0.1毫安到我
OUTMAX
I
L
= 0.1毫安到我
OUTMAX
I
L
= 100A
I
L
= 50毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
输入输出电压差，
注5
mV
TC2015 ; TC2185
TC2185
注5
A
A
dB
mA
V / W
内华达州/
√Hz的
微秒
SHDN = V
IH
, I
L
=0
SHDN = 0V
F
RE
≤
120kHz
V
OUT
= 0V
注6
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUTSC
V
OUT
P
D
eN
t
R
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
响应时间
（从关断模式）
1:
2:
3:
I
L
= I
OUTMAX
中，f = 10kHz的
V
IN
= 4V
C
IN
= 1μF ，C
OUT
= 10F
I
L
= 0.1毫安，
注9
记
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
= 2.7V和V
IN
= V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V.
6
TCV
OUT
=
(
V OU TMAX
–
VOUTMIN
) ×
10
-----------------------------------------------------------------------------------------
V
× T
OUT
4:
5:
6:
7:
8:
9:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在一个测试
负载范围从1.0毫安到指定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化被覆盖
通过热调节规范。
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值在1V
差。
热稳定度定义为在时间T的功耗变化后输出电压的变化应用， exclud-
荷兰国际集团负载或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，该最大允许结温
和从结点到空气（即T中的热敏电阻
A
, T
J
,
θ
JA
).
滞后电压由V引用
R
.
需要对时间
OUT
要达到95 ％的V
R
（输出电压设置） ，V后
SHDN
从0切换为V
IN
.
DS21663B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC2054/2055/2186
电气特性：
V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100μA ，C
L
= 3.3μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125 ° C的结温。
符号
SHDN输入
V
IH
V
IL
V
INMIN
V
OL
V
TH
V
HYS
t
延迟
R
错误
记
1:
2:
3:
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
60
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
V
mV
V
mV
毫秒
V
IN
= 2.5V至6.0V
V
IN
= 2.5V至6.0V
V
OUT
≥
2.7V
1毫安流为ERROR
参见图4-2
注8
V
OUT
从V
R
= 3V至2.8V
V
DD
= 2.5V, V
OUT
= 2.5V
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
错误输出
最小V
IN
工作电压
AGE
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
OUT
为ERROR延迟
抵制错误
GND
1.0
—
—
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
2
126
—
400
—
—
—
—
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
= 2.7V和V
IN
= V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V.
TCV
OUT
=
6
(
V
–
V
) ×
10
欧TMAX
outmin
-----------------------------------------------------------------------------------------
V OUT
×
T
4:
5:
6:
7:
8:
9:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在一个测试
负载范围从1.0毫安到指定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化被覆盖
通过热调节规范。
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值在1V
差。
热稳定度定义为在时间T的功耗变化后输出电压的变化应用， exclud-
荷兰国际集团负载或线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，该最大允许结温
和从结点到空气（即T中的热敏电阻
A
, T
J
,
θ
JA
).
滞后电压由V引用
R
.
需要对时间
OUT
要达到95 ％的V
R
（输出电压设置） ，V后
SHDN
从0切换为V
IN
.
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
引脚数
1
2
3
引脚功能表
符号
V
IN
GND
SHDN
未稳压电源输入。
接地端子。
关断控制输入。该稳压器完全开启时，逻辑高电平
施加到该输入端。该稳压器进入关断模式时，逻辑低电平为
施加到该输入端。在关断期间，输出电压下降到零， ERROR
是开路和电源电流降低到0.5μA （最大值）。
外的规制国旗。 （开漏输出） 。此输出变为低电平时，
V
OUT
超出超差约-5 ％ 。
稳定电压输出。
描述
4
5
错误
V
OUT
2002年Microchip的科技公司
DS21663B第3页
TC2054/2055/2186
3.0
详细说明
图3-2：
V
OUT
V
TH
迟滞（V
HYS
)
ERROR输出操作
该TC2054 ， TC2055和TC2186是精密定
输出电压稳压器。 （如果一个可调的版本是
需要时，请查看TC1070 ， TC1071或TC1187
数据表。）与双极型稳压器时， TC2054 ，
TC2055和TC2186的电源电流不增加
与负载电流。此外，V
OUT
保持稳定并
内部监管在整个0mA至最大输出
把当前的工作负载范围内。
图3-1显示了一个典型应用电路。该稳压
软件模拟器允许任何时间关断输入（ SHDN ）
处于或高于V
IH
和关闭（禁用）时，
SHDN为处于或低于V
IL
。 SHDN可以由控制
CMOS逻辑门电路或I /微控制器的输出端口。如果
SHDN输入不是必需的，它应连接
直接输入电源。关断时，电源
电流降至0.05μA （典型值） ，V
OUT
下降到
零伏和ERROR是开路的。
图3-1：
典型应用电路
V
IN
1F
V
OUT
1F
C1
GND
V
OUT
错误
V
IH
V
OL
3.2
输出电容
电池
TC2054
TC2055
TC2186
V
+
错误
R1
1M
BATTLOW
或复位
SHDN
关断控制
（到CMOS逻辑或领带
到V
IN
如果未使用）
从V A 1μF （最小值）的电容
OUT
接地是必需的。
输出电容应具有有效串联
0.01Ω电阻。为5Ω的V
OUT
= 2.5V和0.05Ω 。
为5Ω的V
OUT
< 2.5V 。 1μF电容应CON
连接的从V
IN
到GND ，如果有超过10英寸
稳压器和交流滤波器电容之间的线路
器，或者，如果使用电池作为电源。陶瓷，
钽和铝电解电容器可
使用。 （由于许多铝电解电容器
冻结约-30℃ ，固体钽电容是消遣
ommended下面运行的应用的-25 ℃）。
当从源不使用电池工作时，支持
合股噪声抑制和瞬态响应可以是
通过增加输入和值提高输出
把电容和采用无源滤波技
niques 。
C2仅要求
如果错误被用作
处理器复位信号
（见正文）
0.2F
C2
3.1
ERROR开漏输出
ERROR驱动为低电平时V
OUT
掉下来的稳压
LATION超过-5 ％ （典型值） 。这个条件可以是
造成的低输入电压，输出电流限制或
热限制。的误差阈值是5％以下
为V
OUT
无论编程输出电压的
年龄值（例如ERROR = V
OL
在4.75V （典型值）为5.0V
稳压器和2.85V （典型值）的3.0V稳压器） 。
ERROR输出操作如图4-2所示。
请注意，错误是当V
OUT
下降到V
TH
和
不活动时， V
OUT
上升超过V
TH
用V
HYS
.
如图3-1所示，错误可以被用作一个BAT-
tery低标记或作为处理器的复位信号（与
另外的定时电容器C2 ） 。 R1 X C2应该是
选择保持低于V错误
IH
所述处理器的
RESET输入至少200毫秒，让时间
系统稳定。上拉电阻R1可连接至
V
OUT
, V
IN
或任何其它电压小于（Ⅴ
IN
+ 0.3V).
该错误端子吸收电流自限性为内约
三方共同18毫安。
DS21663B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC2054/2055/2186
4.0
4.1
散热注意事项
功耗
方程4-1可以与方程结合使用
4-2 ，以确保稳压器的热操作中lim-
它的。例如：
鉴于：
V
INMAX
V
outmin
T
AMAX
= 3.0V ±5%
= 2.7V – 2.5%
= 55°C
该稳压器的功耗量为prima-
rily输入和输出电压，并且输出信号的函数
电流。
下面的公式用于计算最坏情况
功耗：
I
LOADMAX
= 40毫安
公式4-1 ：
P
D
≈
(V
IN
– V
outmin
)I
LOADMAX
其中：
P
D
V
INMAX
V
outmin
=
=
=
最坏情况下的实际功耗
在V最大电压
IN
最小调节器的输出电压
最大输出（负载）的电流
1.查找实际功率dissapation
:
2.最大允许dissapation
实际功耗：
P
D
≈
(V
INMAX
– V
outmin
)I
LOADMAX
= [(3.0 x 1.05) – (2.7 x .975)]40 x 10
–3
= 20.7mW
最大允许功耗（公式
4-2）是最大环境温度的函数的
(T
AMAX
） ，最大允许管芯温度（ 125
℃）和热阻从结到空气
(θ
JA
） 。 5引脚SOT- 23A封装有
θ
JA
of
大致地安装在一个典型的时220 ℃/瓦特
两层FR4介质覆铜箔印刷电路板。
最大允许功耗：
(
T
J
–
T
A
)
米斧
最大
= -------------------------------------
-
θ
JA
I
LOADMAX
=
P
D
最大
公式4-2 ：
T
J
–
T
A
米斧
最大
= ----------------------------------
-
θ
JA
(
125
–
55
)
--------------------------
-
220
= 318mW
在这个例子中， TC2054消散最多
只有20.7mW ;远低于318mW的容许极限。
以类似的方式，式4-1和式4-2可以
用于计算最大电流和/或输入
电压限制。
P
D
最大
其中，所有条款都事先定义
4.2
布局的注意事项
热传导出去的包的主路径
是通过封装的引线。因此，布局有一个
地平面，宽的走线在垫和宽电源
供应公交线路相结合，以降低
θ
JA
的，因此，
增加最大允许功耗
极限。
2002年Microchip的科技公司
DS21663B第5页
TC2054/2055/2186
50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO的
具有关断功能和错误输出
特点
低电源电流（ μA 55典型值）的较长BAT-
tery生活
低压差电压： 140毫伏（典型值） @ 150毫安
高输出电压精度： ± 0.4 ％ （典型值）
标准或定制输出电压
节能关断模式
错误输出可以用作低电池
检测器或处理器复位发生器
快速关机响应时间： 60
微秒
（典型值）
过流和过热保护
节省空间的5引脚SOT- 23A封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
标准输出电压选项：
-
1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V,
概述
该TC2054 ， TC2055和TC2186是高精度
（典型值为± 0.4 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）
低压差稳压器。专为BAT-设计
tery操作的系统，设备的总电源电流
通常是55 μA，在满负荷下（低于20到60倍
双极型稳压器） 。
该器件的主要特性包括低噪音运行，
低压差 - 一般为45毫伏（ TC2054 ） ; 90毫伏
（ TC2055 ） ;和140毫伏（ TC2186 ）在满负荷 - 和快速
响应阶跃变化的负载。一个错误输出
（ ERROR）被置位时，该装置是外的稳压
ulation （由于低输入电压或输出过多
电流）。电源电流降至0.5 μA （ max）和
双方V
OUT
和ERROR被禁用时，关断模式
下输入为低电平。该器件还集成了过
电流和过热保护。
该TC2054 ， TC2055和TC2186是稳定的，
1 μF的低ESR陶瓷输出电容，并有一个
为50 mA最大输出电流为100 mA和
150毫安分别。该LDO系列还采用了
从发布时的快速响应时间（ 60微秒典型值）
关机。
3.3V, 5.0V
应用
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSMS / PHS电话
寻呼机
套餐类型
V
OUT
5
错误
4
TC2054
TC2055
TC2186
1
V
IN
1M
典型用途
1 V
IN
1 F
2
V
OUT
5
V
IN
V
OUT
1 F
2
3
GND
TC2054
TC2055
TC2186
SHDN
4
GND SHDN
5引脚SOT- 23A
顶视图
3
错误
错误
关断控制
（从功率控制逻辑）
2006年Microchip的科技公司
DS21663C第1页
TC2054/2055/2186
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下长时间我
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压................................ （ - 0.3 ）至（Ⅴ
IN
+ 0.3)
工作温度.................. -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度..........................- 65°C至+ 150°C
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
电气规格
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125 ° C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
符号
V
IN
I
OUTMAX
民
2.7
50
100
150
—
—
—
-1.5
-2.5
—
—
—
—
—
—
—
160
—
—
典型值
—
—
—
—
20
40
0.05
0.5
0.5
2
45
90
140
55
0.05
50
300
0.04
160
最大
6.0
—
—
—
—
—
0.5
0.5
0.5
—
70
140
210
80
0.5
—
—
—
—
单位
V
mA
注1
TC2054
TC2055
TC2186
注2
条件
输出电压
V
OUT
温度
系数
线路调整
负载调整率
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
ΔV
OUT
/
V
OUT
V
IN
– V
OUT
V
R
- 2.0%
V
R
± 0.4%
V
R
+ 2.0%
V
PPM /°C的
注3
%
%
(V
R
+ 1V ） < V
IN
＆ LT ; 6V
TC2054;TC2055I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
TC2186
I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
注4
I
L
= 100 A
I
L
= 50毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
输入输出电压差，
注5
mV
TC2015 ; TC2185
TC2185
注5
A
A
dB
mA
V / W
°C
SHDN = V
IH
, I
L
=0
SHDN = 0V
F
RE
≤
100千赫
V
OUT
= 0V
注6
电源电流
关断电源电流
电源抑制
比
输出短路电流
热调节
热关断模
温度
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUTSC
ΔV
OUT /
ΔP
D
T
SD
注1 ：
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
= 2.7V和V
IN
= V
R
+ V
降
.
2:
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V.
3:
TCV
OUT
=
6
(
V
–
V
) ×
10
OUTMAX
outmin
-----------------------------------------------------------------------------------------
V
× ΔT
OUT
4:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
负载范围从1.0毫安到指定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
5:
压差德网络定义为输入，输出差分，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
在1V差。
6:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
perature和热阻从结点到空气中（即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
).
8:
滞后电压由V引用
R
.
9:
需要对时间
OUT
要达到95 ％的V
R
（输出电压设置） ，V后
SHDN
从0切换为V
IN
.
DS21663C第2页
2006年Microchip的科技公司
TC2054/2055/2186
电气连接特定的阳离子（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125 ° C的结温。
参数
输出噪声
响应时间
（从关断模式）
SHDN输入
SHDN输入高阈值V
IH
SHDN输入低阈值
错误输出
最小V
IN
操作
电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
V
OUT
为ERROR延迟
抵制错误
GND
V
INMIN
V
OL
V
TH
t
延迟
R
错误
1.0
—
—
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
2
126
—
400
—
—
—
—
V
mV
V
mV
ms
Ω
I
OL
- 0.1毫安
1毫安流动出错，
I
OL
= 1毫安， V
IN
= 2V
参见图4-2
注8
V
OUT
从V
R
= 3V至2.8V
V
DD
= 2.5V, V
OUT
= 2.5V
V
IL
60
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
V
IN
= 2.5V至6.0V
V
IN
= 2.5V至6.0V
符号
eN
t
R
民
—
—
典型值
600
60
最大
—
—
单位
内华达州/
√Hz的
s
条件
I
L
= I
OUTMAX
， F = 10千赫
V
IN
= 4V
C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 10 F
I
L
= 0.1毫安，
注9
ERROR正迟滞V
HYS
注1 ：
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
= 2.7V和V
IN
= V
R
+ V
降
.
2:
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V.
3:
TCV
OUT
=
6
(
V OUTMAX
–
V OUTMIN
) ×
10
-----------------------------------------------------------------------------------------
V OUT
× ΔT
4:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
负载范围从1.0毫安到指定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
5:
压差德网络定义为输入，输出差分，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
在1V差。
6:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
perature和热阻从结点到空气中（即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
).
8:
滞后电压由V引用
R
.
9:
需要对时间
OUT
要达到95 ％的V
R
（输出电压设置） ，V后
SHDN
从0切换为V
IN
.
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至+ 6.0V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围：
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻：
热阻， 5引脚SOT- 23
θ
JA
—
255
—
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2006年Microchip的科技公司
DS21663C第3页
TC2054/2055/2186
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
OUT
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 10 μF的陶瓷
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
I
OUT
= 100A
C
OUT
= 1 μF陶瓷
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
F（赫）
F（赫）
图2-1：
比。
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
电源抑制
图2-4：
比。
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
电源抑制
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 1 μF陶瓷
10
10
100
100
1,000
1000
10,000
10k
100,000
100k
1,000,000
1M
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 10 μF钽电容
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
F（赫）
F（赫）
图2-2：
比。
电源抑制
图2-5：
比。
0.160
0.140
V
OUT
= 1.8V
电源抑制
10
噪声（μV/
√
赫兹）
1
DOV （ V）
0.120
C
OUT
= 1F
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
T = 130℃
T = -45℃
中T = 25℃
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
频率（kHz ）
100
1000
0.000
0
50
100
150
I
负载
（MA ）
图2-3：
输出噪声和频率。
图2-6：
压差 - 我
负载
.
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2006年Microchip的科技公司
TC2054/2055/2186
50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO的
具有关断功能和错误输出
特点
低电源电流（ μA 55典型值）的长
电池寿命
低压差： 140 mV（典型值） @
150毫安
高输出电压精度： ± 0.4 ％ （典型值）
标准或定制输出电压
节能关断模式
错误输出可以用作低电池
检测器或处理器复位发生器
快速关机响应时间： 60 μs（典型值）
过流和过热保护
节省空间的5引脚SOT- 23A封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
标准输出电压选项：
- 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V,
3.3V, 5.0V
概述
该TC2054 ， TC2055和TC2186是高精度
（典型值为± 0.4 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）
低压差稳压器。特别设计
电池供电的系统中，设备的总供给
电流通常为55 μA，在满负荷下（ 20到60倍
比双极型稳压器低） 。
该器件的主要特性包括低噪音运行，
低压差 - 一般为45毫伏（ TC2054 ） ; 90毫伏
（ TC2055 ） ;和140毫伏（ TC2186 ）在满负荷 - 和快速
响应阶跃变化的负载。一个错误输出
（错误）置位时，器件
外的调节（由于低输入电压或
过度的输出电流）。电源电流降低到
0.5 μA （最大值）和两个V
OUT
和误差
当关断输入为低电平禁用。该器件
还采用过流和过温
保护。
该TC2054 ， TC2055和TC2186是稳定的，
1 μF的低ESR陶瓷输出电容，并有一个
为50 mA最大输出电流为100 mA和
150毫安分别。该LDO系列还采用了
从发布时的快速响应时间（ 60微秒典型值）
关机。
应用
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSMS / PHS电话
寻呼机
套餐类型
5引脚SOT- 23A
顶视图
V
OUT
5
错误
4
TC2054
TC2055
TC2186
1
1M
典型用途
1 V
IN
1 F
2
V
OUT
5
V
IN
V
OUT
1 F
GND
TC2054
TC2055
TC2186
4
2
3
V
IN
错误
GND SHDN
3
SHDN
错误
关断控制
（从功率控制逻辑）
2009年Microchip的科技公司
DS21663D第1页
TC2054/2055/2186
1.0
电动
特征
注意：
条件超过上述“绝对在列
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定条件下长时间我
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压........................ （ -0.3 ）至（v
IN
+ 0.3)
工作温度.................. -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度......................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
电气规格
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125 ° C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
符号
V
IN
I
OUTMAX
民
2.7
50
100
150
输出电压
V
OUT
温度
系数
线路调整
负载调整率
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
ΔV
OUT
/
V
OUT
—
—
—
-1.0
-2.0
—
—
—
—
电源电流
关断电源电流
电源抑制
比
输出短路电流
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUTSC
—
—
—
160
典型值
—
—
—
—
20
40
0.05
0.33
0.43
2
45
90
140
55
0.05
50
300
最大
6.0
—
—
—
V
—
—
0.5
+1.0
+2.0
—
70
140
210
80
0.5
—
—
A
A
dB
mA
TC2185
注7：
SHDN = V
IH
, I
L
=0
SHDN = 0V
F
RE
≤
100千赫
V
OUT
= 0V
mV
%
%
(V
R
+ 1V ） < V
IN
＆ LT ; 6V
TC2054 ， TC2055我
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
TC2186
注6
输入输出电压差，
注7：
V
IN
– V
OUT
I
L
= 100 A
I
L
= 50毫安
TC2015 ; TC2185我
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
单位
V
mA
注1
TC2054
TC2055
TC2186
注2
PPM /°C的
注3
条件
V
R
- 2.0% V
R
± 0.4% V
R
+ 2.0%
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
= 2.7V和V
IN
= V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V.
TCV
OUT
=
6
(
V
–
V
) ×
10
OUTMAX
outmin
-----------------------------------------------------------------------------------------
V
× ΔT
OUT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内1.0 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
7:
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压降到2％低于其标称
在1V差值。
8:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
9:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
perature和热阻从结点到空气中（即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
).
10:
滞后电压由V引用
R
.
11:
需要对时间
OUT
要达到95 ％的V
R
（输出电压设置） ，V后
SHDN
从0切换为V
IN
.
2009年Microchip的科技公司
DS21663D第3页
TC2054/2055/2186
电气连接特定的阳离子（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125 ° C的结温。
参数
热调节
热关断模
温度
输出噪声
响应时间
（从关断模式）
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
错误输出
最小V
IN
操作
电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
OUT
为ERROR延迟
抵制错误
GND
注1 ：
2:
3:
4:
5:
6:
V
INMIN
V
OL
V
TH
V
HYS
t
延迟
R
错误
1.0
—
—
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
2
126
—
400
—
—
—
—
V
mV
V
mV
ms
Ω
I
OL
- 0.1毫安
1毫安流动出错，
I
OL
= 1毫安， V
IN
= 2V
SEE
图4-2
注10
V
OUT
从V
R
= 3V至2.8V
V
DD
= 2.5V, V
OUT
= 2.5V
V
IH
V
IL
60
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
V
IN
= 2.5V至6.0V
V
IN
= 2.5V至6.0V
符号
ΔV
OUT /
ΔP
D
T
SD
eN
t
R
民
—
—
—
—
典型值
0.04
160
600
60
最大
—
—
—
—
单位
V / W
°C
内华达州/
√Hz的
s
I
L
= I
OUTMAX
， F = 10千赫
V
IN
= 4V
C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 10 F
I
L
= 0.1毫安，
注11
注8
条件
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
= 2.7V和V
IN
= V
R
+ V
降
.
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V, 3.3V.
TCV
OUT
=
6
(
V
–
V
) ×
10
OUTMAX
outmin
-----------------------------------------------------------------------------------------
V OUT
× ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内1.0 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
7:
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压降到2％低于其标称
在1V差值。
8:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
9:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
perature和热阻从结点到空气中（即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
).
10:
滞后电压由V引用
R
.
11:
需要对时间
OUT
要达到95 ％的V
R
（输出电压设置） ，V后
SHDN
从0切换为V
IN
.
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
DD
= + 2.7V至+ 6.0V和V
SS
= GND 。
参数
温度范围：
扩展级温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻：
热阻， 5引脚SOT- 23
θ
JA
—
255
—
° C / W
T
A
T
A
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
DS21663D第4页
2009年Microchip的科技公司
TC2054/2055/2186
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
OUT
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
I
OUT
= 100 A
C
OUT
= 1 μF陶瓷
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 10 μF的陶瓷
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
F（赫）
F（赫）
图2-1：
比。
电源抑制
图2-4：
比。
0
电源抑制
0
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
10
10
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
-20
PSRR （分贝）
-40
-60
-80
-100
V
INDC
= 4V
V
INAC
= 100 mV的
p-p
V
OUTDC
= 3V
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 1 μF陶瓷
100
100
1,000
1000
10,000
10k
100,000
100k
1,000,000
1M
I
OUT
= 150毫安
C
OUT
= 10 μF钽电容
10
10
100
100
1000
1,000
10k
10,000
100k
100,000
1M
1,000,000
F（赫）
F（赫）
图2-2：
比。
电源抑制
图2-5：
比。
0.160
电源抑制
10
噪声（μV/
√
赫兹）
1
DOV （ V）
V
OUT
= 1.8V
0.140
0.120
C
OUT
= 1 F
0.100
0.080
0.060
T = 130℃
T = -45℃
中T = 25℃
0.1
0.01
0.001
0.01
0.040
0.020
0.1
1
10
频率（kHz ）
100
1000
0.000
0
50
100
150
I
负载
（MA ）
图2-3：
输出噪声和频率。
图2-6：
压差 - 我
负载
.
2009年Microchip的科技公司
DS21663D第5页
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