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德昌
SEM IC 0:N杜至R
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃快速切换
二极管
轴向引线
DO35
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
J
W
IV
I
O
I
FM
I
FSURGE
功耗
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
500
-65到+150
+175
75
150
450
2
单位
mW
°C
°C
V
mA
mA
A
L
TC1Nxxxx
设备标记图
参数
存储温度范围
工作结温
工作电压逆
平均整流电流
非重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
(脉冲宽度= 1.0 μsecond )
L
xx
xx
:徽标
:设备代码
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
规格特点:
快速开关设备(T
RR
<4.0 NS)
DO- 35封装( JEDEC )
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
符合RoHS
焊锡热浸锡(Sn )终端完成
阴极指示的极性带
电气符号
阴极
阳极
电气特性
符号
B
V
击穿电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
I
R
=100A
I
R
=5A
范围
100
75
25
5
0.62
0.72
1.0
1.0
nA
A
最大
单位
I
R
反向漏电流
V
R
=20V
V
R
=75V
V
F
正向电压
TC1N4448 , TC1N914B
TC1N4148
TC1N4448 , TC1N914B
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
= 10毫安,V
R
=6V
R
L
=100Ω
I
RR
=1mA
T
RR
反向恢复时间
4
nS
C
电容
V
R
= 0V , F = 1M
HZ
4
pF
编号: DB- 036
2008年10月/女
第1页
TC1N4148/TC1N4448/TC1N914B
德昌
典型特征
500
SEM IC 0:N杜至R
PD - 功耗[毫瓦]
1.5
总电容[ pF的]
400
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
F = 1MHz的
TA = 25
1.0
0.5
0.0
0
5
10
15
20
25
30
温度
]
VR - 反向电压[V]
图1.功耗与环境温度
从个案的距离为0.8mm有效提供线索保持在
环境温度
图2.总电容
160
60
IR - 漏电流nA的]
BV - 反向电压[V]
Ta=25
150
50
40
30
20
10
0
Ta=25
140
130
120
110
1
10
100
IR - 反向电流[UA ]
10
VR - 反向电压[V]
100
图3.反向电压VS反向电流
BV - 1.0uA来为100uA
图4.反向电流与反向电压
IR - 10V至100V
1500
1400
Ta=25
1300
1200
1100
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0.001
1000
VF - 正向电压[毫伏]
VF - 正向电压(MV )
800
TA = -40
Ta=25
400
Ta=65
Ta=125
200
600
0.100
10.000
IF - FORW ARD电流[M A]
1000.000
0
0.01
0.1
1
10
IF - FORW ARD电流(M A)
100
图5.正向电压随正向电流
VF - 0.001毫安800mA的
图6.正向电压随环境温度
VF - 0.01毫安为100mA ( -40至+125摄氏度)
编号: DB- 036
2008年10月/女
第2页
德昌
包装外形
SEM IC 0:N杜至R
案例外形
DO-35
DO-35
暗淡
MILLIMETERS
最大
英寸
最大
A
B
C
D
0.46
0.55
0.018
0.022
3.05
4.00
0.120
0.157
25.40
38.10
1.000
1.500
1.53
2.00
0.060
0.079
注意事项:
1.
2.
所有尺寸JEDEC标准之内。
DO35极性表示由阴极频带。
编号: DB- 036
2008年10月/女
第3页
德昌
DISC LA MER我ê诺蒂奇
通告
本文档中提供的信息仅供参考。德昌保留做出正确的
更改,恕不另行通知此处显示的产品规格。
这里所列出的产品被设计成与普通的电子设备或装置,并且不使用
设计成与设备或需要高度可靠的设备和与故障用
将直接危及人的生命(如医疗器械,交通运输设备,航空航天
机械,核反应控制器,燃料控制器等安全装置) ,德昌半导体
有限责任公司,或任何代表其承担此类产生的任何damagers不承担任何责任
使用不当销售。
本出版物取代&替换reviously提供的所有信息。有关更多信息,请访问:
我们的网站
http://www.takcheong.com ,
或咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。
编号: DB- 100
2008年4月14日/ A
SEM ICONDUCTOR
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃快速切换
二极管
轴向引线
DO35
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
J
W
IV
I
O
I
FM
I
FSURGE
功耗
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
500
-65到+200
+175
75
150
450
2
单位
mW
°C
°C
V
mA
mA
A
L
TC1Nxxxx
设备标记图
参数
存储温度范围
工作结温
工作电压逆
平均整流电流
非重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
L
xx
xx
:徽标
:设备代码
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
规格特点:
快速开关设备(T
RR
<4.0 NS)
DO- 35封装( JEDEC )
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
阴极指示的极性带
电气符号
阴极
阳极
电气特性
符号
B
V
击穿电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
I
R
=100A
I
R
=5A
范围
100
75
25
5
0.62
0.72
1.0
1.0
最大
单位
nA
A
I
R
反向漏电流
V
R
=20V
V
R
=75V
V
F
正向电压
TC1N4448 , TC1N914B
TC1N4148,
TC1N4148
TC1N4448 , TC1N914B
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=I
R
=10mA
R
L
=100
I
RR
=1mA
T
RR
反向恢复时间
4
nS
C
电容
V
R
= 0V , F = 1M
HZ
4
pF
2002年3月/ A
第1页
TC1N4148/TC1N4448/TC1N914B
德昌
德昌
SEM ICONDUCTOR
典型特征
I
(MA )
电气符号定义
符号
参数
B
V
击穿电压@
I
R
I
F
I
R
反向漏电流@
V
R
B
V
V
R
I
R
I
R
V
F
(毫伏)
(V)
V
V
R
反向电压
I
F
正向电流
( nA的)
(A)
V
F
正向电压@
I
F
订购信息
设备
TC1Nxxxx
TC1Nxxxx.TB
TC1Nxxxx.TR
TC1Nxxxx
体积
磁带和弹药
磁带和卷轴
QUANTITY
10,000
5,000
10,000
其他( ...联系德昌销售代表)
轴向引线带包装标准
这种轴向引线组件的包装要求在自动测试和组装设备使用。而对于这个标准的做法
轴向引线元件的铅带包装符合EIA标准RS - 296 -D的要求, “无铅录音成分对轴向
铅配置自动插入“ 。
2002年3月/ A
第2页
德昌
SEM ICONDUCTOR
磁带&卷轴包装信息
磁带&卷大纲
暗淡
D1
MILLIMETERS
356
30
84
77.5
卷轴尺寸
D2
D3
W1
PKG型
QUANTITY每卷
QUANTITY每卷
DO-35
10,000
2002年3月/ A
第3页
德昌
SEM ICONDUCTOR
磁带&弹药包装信息
磁带&弹药
概要
250毫米X 80毫米X 80毫米
数量每弹药
PKG型
DO-35
每盒数量
5,000
大坪尺寸
描述
标准宽度
带间距( B)
元器件间距( C)
Untaped线( L1 - L2 )
玻璃偏移( F)
弯曲( D)
磁带宽度( G)
带不匹配( E)
录音铅( G)
铅除了带(H )
52
52 ± 0.69
5.08 ± 0.4
± 0.69
± 0.69
1.2 MAX
6.138 ± 0.576
0.55最大
3.2敏
0
MILLIMETERS
26
26 +0.5 / -0
5.08 ± 0.4
± 0.69
± 0.69
1.2 MAX
6.138 ± 0.576
0.55最大
3.2敏
0
2002年3月/ A
第4页
德昌
SEM ICONDUCTOR
散装包装信息
塑料袋
散装大纲
数量每塑料袋
DO-35
1000× 10塑料袋
250毫米X 80毫米X 80毫米
PKG型
每盒数量
10,000
每盒数量
DO-35
2002年3月/ A
第5页
SEM ICONDUCTOR
500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃快速切换
二极管
轴向引线
DO35
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
J
W
IV
I
O
I
FM
I
FSURGE
功耗
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
500
-65到+200
+175
75
150
450
2
单位
mW
°C
°C
V
mA
mA
A
L
TC1Nxxxx
设备标记图
参数
存储温度范围
工作结温
工作电压逆
平均整流电流
非重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
L
xx
xx
:徽标
:设备代码
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
规格特点:
快速开关设备(T
RR
<4.0 NS)
DO- 35封装( JEDEC )
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
阴极指示的极性带
电气符号
阴极
阳极
电气特性
符号
B
V
击穿电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
I
R
=100A
I
R
=5A
范围
100
75
25
5
0.62
0.72
1.0
1.0
最大
单位
nA
A
I
R
反向漏电流
V
R
=20V
V
R
=75V
V
F
正向电压
TC1N4448 , TC1N914B
TC1N4148,
TC1N4148
TC1N4448 , TC1N914B
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=I
R
=10mA
R
L
=100
I
RR
=1mA
T
RR
反向恢复时间
4
nS
C
电容
V
R
= 0V , F = 1M
HZ
4
pF
2002年3月/ A
第1页
TC1N4148/TC1N4448/TC1N914B
德昌
德昌
SEM ICONDUCTOR
典型特征
I
(MA )
电气符号定义
符号
参数
B
V
击穿电压@
I
R
I
F
I
R
反向漏电流@
V
R
B
V
V
R
I
R
I
R
V
F
(毫伏)
(V)
V
V
R
反向电压
I
F
正向电流
( nA的)
(A)
V
F
正向电压@
I
F
订购信息
设备
TC1Nxxxx
TC1Nxxxx.TB
TC1Nxxxx.TR
TC1Nxxxx
体积
磁带和弹药
磁带和卷轴
QUANTITY
10,000
5,000
10,000
其他( ...联系德昌销售代表)
轴向引线带包装标准
这种轴向引线组件的包装要求在自动测试和组装设备使用。而对于这个标准的做法
轴向引线元件的铅带包装符合EIA标准RS - 296 -D的要求, “无铅录音成分对轴向
铅配置自动插入“ 。
2002年3月/ A
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德昌
SEM ICONDUCTOR
磁带&卷轴包装信息
磁带&卷大纲
暗淡
D1
MILLIMETERS
356
30
84
77.5
卷轴尺寸
D2
D3
W1
PKG型
QUANTITY每卷
QUANTITY每卷
DO-35
10,000
2002年3月/ A
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德昌
SEM ICONDUCTOR
磁带&弹药包装信息
磁带&弹药
概要
250毫米X 80毫米X 80毫米
数量每弹药
PKG型
DO-35
每盒数量
5,000
大坪尺寸
描述
标准宽度
带间距( B)
元器件间距( C)
Untaped线( L1 - L2 )
玻璃偏移( F)
弯曲( D)
磁带宽度( G)
带不匹配( E)
录音铅( G)
铅除了带(H )
52
52 ± 0.69
5.08 ± 0.4
± 0.69
± 0.69
1.2 MAX
6.138 ± 0.576
0.55最大
3.2敏
0
MILLIMETERS
26
26 +0.5 / -0
5.08 ± 0.4
± 0.69
± 0.69
1.2 MAX
6.138 ± 0.576
0.55最大
3.2敏
0
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德昌
SEM ICONDUCTOR
散装包装信息
塑料袋
散装大纲
数量每塑料袋
DO-35
1000× 10塑料袋
250毫米X 80毫米X 80毫米
PKG型
每盒数量
10,000
每盒数量
DO-35
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500毫瓦的DO -35气密
密封的玻璃快速切换
二极管
轴向引线
DO35
绝对最大额定值
符号
P
D
T
英镑
T
J
W
IV
I
O
I
FM
I
FSURGE
功耗
T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
500
-65到+200
+175
75
150
450
2
单位
mW
°C
°C
V
mA
mA
A
L
TC1Nxxxx
设备标记图
参数
存储温度范围
工作结温
工作电压逆
平均整流电流
非重复峰值正向电流
峰值正向浪涌电流
L
xx
xx
:徽标
:设备代码
这些额定值的限制值,超过该二极管的适用性可能受到损害。
规格特点:
快速开关设备(T
RR
<4.0 NS)
DO- 35封装( JEDEC )
通孔设备安装型
密封的玻璃
压接施工
所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊
阴极指示的极性带
电气符号
阴极
阳极
电气特性
符号
B
V
击穿电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
测试条件
I
R
=100A
I
R
=5A
范围
100
75
25
5
0.62
0.72
1.0
1.0
最大
单位
nA
A
I
R
反向漏电流
V
R
=20V
V
R
=75V
V
F
正向电压
TC1N4448 , TC1N914B
TC1N4148,
TC1N4148
TC1N4448 , TC1N914B
I
F
=5mA
I
F
=10mA
I
F
=100mA
I
F
=I
R
=10mA
R
L
=100
I
RR
=1mA
T
RR
反向恢复时间
4
nS
C
电容
V
R
= 0V , F = 1M
HZ
4
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德昌
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典型特征
I
(MA )
电气符号定义
符号
参数
B
V
击穿电压@
I
R
I
F
I
R
反向漏电流@
V
R
B
V
V
R
I
R
I
R
V
F
(毫伏)
(V)
V
V
R
反向电压
I
F
正向电流
( nA的)
(A)
V
F
正向电压@
I
F
订购信息
设备
TC1Nxxxx
TC1Nxxxx.TB
TC1Nxxxx.TR
TC1Nxxxx
体积
磁带和弹药
磁带和卷轴
QUANTITY
10,000
5,000
10,000
其他( ...联系德昌销售代表)
轴向引线带包装标准
这种轴向引线组件的包装要求在自动测试和组装设备使用。而对于这个标准的做法
轴向引线元件的铅带包装符合EIA标准RS - 296 -D的要求, “无铅录音成分对轴向
铅配置自动插入“ 。
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磁带&卷轴包装信息
磁带&卷大纲
暗淡
D1
MILLIMETERS
356
30
84
77.5
卷轴尺寸
D2
D3
W1
PKG型
QUANTITY每卷
QUANTITY每卷
DO-35
10,000
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SEM ICONDUCTOR
磁带&弹药包装信息
磁带&弹药
概要
250毫米X 80毫米X 80毫米
数量每弹药
PKG型
DO-35
每盒数量
5,000
大坪尺寸
描述
标准宽度
带间距( B)
元器件间距( C)
Untaped线( L1 - L2 )
玻璃偏移( F)
弯曲( D)
磁带宽度( G)
带不匹配( E)
录音铅( G)
铅除了带(H )
52
52 ± 0.69
5.08 ± 0.4
± 0.69
± 0.69
1.2 MAX
6.138 ± 0.576
0.55最大
3.2敏
0
MILLIMETERS
26
26 +0.5 / -0
5.08 ± 0.4
± 0.69
± 0.69
1.2 MAX
6.138 ± 0.576
0.55最大
3.2敏
0
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SEM ICONDUCTOR
散装包装信息
塑料袋
散装大纲
数量每塑料袋
DO-35
1000× 10塑料袋
250毫米X 80毫米X 80毫米
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每盒数量
10,000
每盒数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TC1N4148
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885742022 复制
电话:15112667855
联系人:谌小姐
地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
TC1N4148
德昌
21+
1946
原装现货
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
TC1N4148
TAKCHEONG德昌
2407+
30098
DO-35
全新原装!仓库现货,大胆开价!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

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