TC170
CMOS电流模式PWM控制器
特点
低电源电流， CMOS技术：
3.8毫安最大
内部参考电压： 5.1V
快速上升/下降时间（C
L
= 1000pF的） ： 50nsec
双推挽式输出
直接功率MOSFET驱动器
高图腾柱输出驱动器： 300毫安
差分电流检测放大器
可编程电流限制
软启动运作
双脉冲抑制
欠压闭锁
宽电源电压操作： 8V至16V
高工作频率： 200kHz的
提供低关态输出
低功耗，引脚兼容的替代
UC3846
概述
该TC170提供3.8毫安的最大供电电流。
双极电流模式控制的集成电路要求
5倍以上的工作电流。
双图腾柱CMOS输出驱动电源
MOSFET或双极型晶体管。该50nsec典型
输出上升和下降时间（ 1000pF的容性负载）
尽量减少MOSFET的功耗。输出峰值
电流为300mA 。
在TC170中包含系统保护的完整阵列
电路（见功能部分） 。
电流模式控制，用户可以并联供电
模块。两个或更多的TC170控制器可以从属于
一起并行操作。电路可以操作
从主TC170内部振荡器或外部
系统振荡器。
该TC170工作于8V至16V电源。
内部2 ％ ， 5.1V基准最大限度地减少外部
元件数量。该TC170是引脚兼容
在Unitrode公司UC1846 / UC2846 / UC3846双极
控制器。
固有的电流模式控制等优点
包括卓越的电压和负载调节和自动
对称性的校正中的推挽变换器。
应用
开关电源
DC / DC转换
电机控制
器件选型表
产品型号
TC170COE
TC170CPE
包
16引脚SOIC （宽）
16引脚PDIP （窄）
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
套餐类型
16引脚PDIP （窄）
软启动/
I
LIM
1
V
REF
OUT
2
– I
SENSE
IN 3
+ I
SENSE
在4
+误差放大器在5
- 误差放大器在6
CMPTR 7
C
O
8
9 R
O
16 SHDN
15
IN
16引脚SOIC （宽）
软启动/
I
LIM
V
REF
OUT
– I
SENSE
IN
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
SHDN
V
IN
OUTPUT B
V
DD
GND
OUTPUT A
SYNC
R
O
TC170CPE
DD
+ I
SENSE
IN
+误差放大器IN
- 误差放大器IN
CMPTR
C
O
TC170COE
13
12
11
10
9
注意：
输出低的"OFF"状态。
2002年Microchip的科技公司
DS21395B第1页
TC170
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ 18V .......
输出电压........................................... V
DD
或18V
模拟输入.................................. -0.3V到V
S
+ 0.3V
封装热阻：
SOIC （宽）
θ
JA
..................................... 105 ° C / W
SOIC （宽）
θ
JC
....................................... 23 ° C / W
PDIP （窄）
θ
JA
.................................... 95 ° C / W
PDIP （窄）
θ
JC
.................................... 55 ° C / W
工作温度范围............... 0 ° C至+ 70°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
TC170电气规范
电气特性：
V
IN
= 16V ，R
O
= 24kΩ ，C
O
= 1nF的，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
参考电压
V
REF
参考电压
线路调整
负载调整率
V
RTC
振荡器
F
VC
OSC
TC
OSC
V
OS
I
B
V
CMRR
A
VOL
BW
CMRR
PSRR
A
IAMP
V
DM
V
CM
V
OS
I
B
V
TH
V
IN
I
L
I
L
振荡器频率
电压稳定
温度稳定性
输入失调电压
输入偏置电流
共模输入电压
开环电压增益
单位增益带宽
共模抑制比
电源抑制比
放大器增益器
最大差分输入信号
共模输入电压
电流限制偏移电压
输入偏置电流
阈值电压
输入电压范围
最低擎住电流在引脚1
最大的非闩锁电流在引脚1
0.3
0
125
50
0.35
0
0.5
60
60
3
3.15
3.3
≤
1.1
V
DD
– 3V
1
1
0.4
V
DD
0
70
1.2
35
42
1.1
5
46
1.5
10
±30
±1
V
DD
– 2V
千赫
%/V
%
mV
nA
V
dB
兆赫
dB
dB
V/V
V
V
V
nA
V
V
A
A
V
巨细胞病毒
= 0V至14V
V
IN
= 8V至16V
引脚3 = 0V至1.1V
V
PIN4
– V
PIN3
V
IN
= 8V至16V
V
OUT
= 1V至6V
V
IN
= 8V至16V
在工作温度范围内。
温度COEF网络cient
5
5.1
5
13
0.4
5.3
15
20
0.5
V
mV
mV
毫伏/°C的
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= 8V至16V
I
OUT
= 1mA至10毫安
在工作温度范围内。
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
误差放大器器
电流检测放大器
电流限制调节
关闭终端
2002年Microchip的科技公司
DS21395B第3页
TC170
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
PIN号
（ 16引脚PDIP ，
SOIC ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
引脚功能表
符号
描述
软启动/ I
LIM
软启动调节/电流限制。用于设置检测输入的峰值电流阈值（引脚3
及4）。该引脚的第二个功能是软启动调节。
V
REF
OUT
-I
SENSE
IN
+I
SENSE
IN
5.1伏标准电源输出。它可以提供最小为10mA 。
- 电流检测输入。反相输入端的导通晶体管，通过感测峰值电流
系列感应电流监控器电阻。
+电流检测输入。用于与销3的非反相输入该感测
电流监视器电阻的正端。
- 错误放大器中。反相放大器的基准电压的输入端。
为反馈回路响应的补偿。
定时电容（C
O
）输入与引脚9，R设定振荡器频率结合
O
，电阻
输入。第二个功能是用于设置引脚的交叉死区时间11and 14输出。
定时电阻（R
O
）输入到通过设置恒流充电速率来设置振荡器频率
充电电容C
O
.
对于两个或更多个控制器的PWM控制器的振荡器的同步。或作为时钟输入
同步振荡器外部信号。
A相的推挽晶体管输出驱动器。
接地回路对所有输入和输出引脚。
提供给操作只输出驱动器电源。
B相由推挽晶体管输出。
电压偏置电源除了输出晶体管的所有TC170电路。
输入引脚以禁用输出驱动至0V OFF 。
+误差放大器IN +误差放大器中。非反相输入端为输出电压调节。
·ERROR AMP IN
CMPTR
C
O
R
O
SYNC
OUTPUT A
GND
V
DD
OUTPUT B
V
IN
SHDN
2002年Microchip的科技公司
DS21395B第5页
1
TC170
CMOS电流模式PWM控制器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
低电源电流
CMOS技术................................. 3.8毫安最大
内部基准电压5.1V .............................................
快速上升/下降时间（C
L
= 1000pF的） ............. 50nsec
双推挽式输出
直接功率MOSFET驱动器
高图腾柱输出驱动器.................... 300毫安
差分电流检测放大器
可编程电流限制
软启动运作
双脉冲抑制
欠压锁定
宽电源电压工作............... 8V to16V
高频率工作在200kHz ..........................
可提供低关态输出
低功耗，引脚兼容的替代UC3846
概述
该TC170带来了低功耗CMOS技术的
电流模式的开关电源的控制器的市场。
最大电源电流为3.8毫安。双极电流模式
控制集成电路需要5次以上的操作
电流。
双图腾柱CMOS输出驱动电源
MOSFET或双极型晶体管。该50nsec典型输出
上升和下降时间（ 1000pF的容性负载）最小化
MOSFET的功耗。输出峰值电流为300mA 。
在TC170中包含系统保护的完整阵列
电路（见功能） 。
电流模式控制，用户可以并联供电
模块。两个或更多的TC170控制器可以从属于
一起并行操作。电路可以由一个操作
主TC170内部振荡器或外部系统
振荡器。
该TC170工作于8V至16V电源。
内部2 ％ ， 5.1V基准最大限度地减少外部元件
新界东北计数。在TC170的管脚与Unitrode公司兼容
UC1846 /三千八百四十六分之二千八百四十六双极型控制器。
固有的电流模式控制IN-其它优点
CLUDE卓越的电压和负载调节和自动对称
13655校正在推挽式转换器。
2
3
4
5
6
7
订购信息
产品型号
TC170COE
TC170CPE
包
温度
范围
16引脚SOIC （宽）
0 ° C至+ 70°C
16引脚塑料DIP （窄） 0 ° C至+ 70°C
功能框图
VREF
2
VIN
RO
CO
SYNC
（ - ）电流
检测输入
（ + ）电流
检测输入
COMP
（ + ） ERROR
放大器的输入
（ - ） ERROR
放大器的输入
15
5.1-VOLT
参考
TC170
9
8
10
3
4
7
VDD
5
6
+
–
错误
扩音器
350mV
禁售
扩音器
–
Q1
+
积极
反馈
3.5k
Q2
–
100A
–
+
×
3.15 CURRENT
扩音器
+
–
0.75V
PWM
比较
S
–
S
LIMIT BUFFER
扩音器
+
–
Q4
关闭
比较
16
+
350
mV
6k
Q3
关闭
PWM锁存器
1
R
Q
振荡器
欠压
封锁
Q
C
Q
14
12
产量
B(
)
地
11
13
VDD
产量
A(
)
+
限流/
软启动调节
注意：
输出低
OFF状态。
8
TC170-5 96年10月1日
TELCOM半导体，INC。的
4-119
CMOS电流模式
PWM控制器
TC170
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ............ 18V
输出电压................................................ V
DD
或18V
模拟输入..................................... - 0.3V至V
S
+ 0.3V
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
最大片上温度................................... 150℃
塑料封装热阻：
θ
JA
（结到环境） ............................. 140 ° C / W
θ
JC
（结点到外壳） ................................... 70 ° C / W
工作温度范围
商业........................................... 0 ° C至+ 70 ℃，
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
电气特性：
V
IN
= 16V ，R
O
= 24kΩ ，C
O
= 1 nF的，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
REF
参数
输出电压
线路调整
负载调整率
温度COEF网络cient
振荡器频率
电压稳定
温度稳定性
测试条件
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= 8V至16V
I
OUT
= 1mA至10毫安
在工作温度范围
民
5
典型值
5.1
5
13
0.4
42
1.1
5
最大
5.3
15
20
0.5
46
1.5
10
30
1
V
DD
– 2V
单位
V
mV
mV
毫伏/°C的
千赫
%/V
%
mV
nA
V
dB
兆赫
dB
dB
V/V
V
V
V
nA
V
V
A
A
V
V
V
参考电压
V
RTC
振荡器
35
V
IN
= 8V至16V
在工作温度范围
误差放大器器
V
OS
I
B
V
CMRR
A
VOL
BW
CMRR
PSRR
输入失调电压
输入偏置电流
共模输入电压
开环电压增益
单位增益带宽
共模抑制比
电源抑制比
放大器增益器
最大差分输入信号
共模输入电压
V
IN
= 8V至16V
V
OUT
= 1V至6V
V
巨细胞病毒
0V至14V
V
IN
= 8V至16V
引脚3 = 0V至1.1V
V
PIN4
– V
PIN3
0
70
1.2
60
60
3
0
0.5
3.15
电流检测放大器
3.3
≤1.1
V
DD
– 3V
1
1
0.35
0.4
V
DD
50
V
IN
– 0. 5
V
IN
V
IN
+ 0.5
0.4
2
电流限制调节
I
B
V
TB
V
IN
电流限制偏移电压
输入偏置电流
阈值电压
输入电压范围
最低擎住电流在引脚1
最大的非闩锁电流在引脚1
输出电压
输出低电平
输出低电平
引脚13
I
SINK
= 20mA下
I
SINK
= 100毫安
关闭终端
0.3
0
125
输出级
V
DD
V
OL
V
OL
4-120
TELCOM半导体，INC。的
CMOS电流模式
PWM控制器
TC170
电气特性（续） ：
V
IN
= 16V ，R
O
= 24kΩ ，C
O
= 1nF的，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
符号
V
OH
V
OL
t
R
t
F
1
参数
输出高电平
输出高电平
输出上升时间
输出下降时间
启动
阈值迟滞
测试条件
I
来源
= 20mA下
I
来源
= 100毫安
C
L
= 1000pF的
C
L
= 1000pF的
门槛
民
V
DD
– 1V
V
DD
– 4V
典型值
最大
单位
V
V
纳秒
纳秒
V
V
mA
输出级
（续）
2
3
4
5
6
7
50
50
7.15
0.5
7.7
0.75
2.7
150
150
8.25
1
3.8
欠压锁定
供应
I
S
待机电源电流
引脚说明
PIN号
（ 16引脚PDIP ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
符号
软启动/ I
LIM
V
REF
OUT
– I
SENSE
IN
+ I
SENSE
IN
+误差放大器IN
- 误差放大器IN
CMPTR
C
O
R
O
SYNC
OUTPUT A
GND
V
DD
OUTPUT B
V
IN
关闭
描述
软启动调节/电流限制。用于设置检测输入的峰值电流阈值（销
图3和4 ） 。该引脚的第二个功能是软启动调节。
5.1伏标准电源输出。它可以提供最小为10mA 。
- 电流检测输入。反相输入端的传输晶体管的传感峰值电流
通过一系列的感应电流监测电阻。
+电流检测输入。用于与销3的非反相输入该感测
电流监视器电阻的正端。
+误差放大器中。非反相输入端为输出电压调节。
- 误差放大器中。反相放大器的基准电压的输入端。
为反馈回路响应的补偿。
定时电容（C
O)
输入与引脚9，R设定振荡器频率结合
O
，电阻
输入。第二个功能是用于设置引脚的交叉死区时间11and 14输出。
定时电阻（R
O)
输入通过设置恒流充电速率来设置振荡器频率
充电电容C
O
.
对于两个或更多个控制器的PWM控制器的振荡器的同步。或作为时钟输入
同步来自外部信号振荡器。
A相的推挽晶体管输出驱动器。
接地回路对所有输入和输出引脚。
提供给操作只输出驱动器电源。
B相由推挽晶体管输出。
电压偏置电源除了输出晶体管的所有TC170电路。
输入引脚以禁用输出驱动至0V OFF 。
销刀豆网络gurations
（拨及SOIC ）
软启动/
ILIM 1
VREFOUT 2
- 我感3
+我感4
+误差放大器在5
- 误差放大器在6
CMPTR 7
CO 8
16 SHDN
15 VIN
14输出B
13 VDD
12 GND
11 OUTPUT A
10 SYNC
9 RO
CINT
VSS
CAZ
BUF
ACOM
CREF
CREF
VREF
–
+
–
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
VDD
数字GND
CMPTR OUT
B
A
+
VIN
–
VIN
+
TC170
CPE
TC170COE
13
12
11
10
9
VREF
注意：
输出低的"OFF"状态。
8
4-121
TELCOM半导体，INC。的
CMOS电流模式
PWM控制器
TC170
峰值电流限制设置
电阻R1和R2的电流限制输入（引脚1 ）
设置TC170峰值电流限制（图1） 。在电位
1脚是很容易计算：
V1 = V
REF
R2
R1 + R2
输入脉冲到针16应至少为500毫微秒
宽，并至少有1V的振幅，以便获得所述
最小传播延迟从输入到输出。如果这些
满足的参数，延迟应该小于
600nsec ，在25℃ ;然而，延迟时间会增加
该装置的温度上升。
软重起关闭
软启动可如果非锁定关断模式编程
向下操作时使用。
电容器的引脚1会造成逐渐增加
电位向V1 。当1脚达到电压
0.75V时，PWM锁存设置输入端被去除，电路
建立了稳定的输出电压。软启动操作
化强制PWM输出驱动器最初与操作
最小占空比和低峰值电流。
即使不是必需的软启动，有必要
插入销1与接地，如果电流I之间的电容器
L
大于125μA 。该电容可以防止"noise
triggering"锁存器，但尽量减少软启动的效果。
R1应首先选择。在关断电路为特色的
TURE不会被锁存为（V
REF
- 0.35 ） / R1 < 50μA ，是
锁存电流大于125μA 。
误差放大器的输出电压是从夹紧
将上述V1通过限制缓冲放大器。高峰
电流被感测到的RS和由电流放大
放大器，它具有3.15的固定增益。
I
的PCl
时，峰值电流限制，是目前引起
PWM比较器同相输入端超过V1时，
势在反相输入端。当比较器跳
点突破，两路输出都被禁用。
I
的PCl
容易计算出来：
I
的PCl
=
其中：
V1 = V
REF
R2
R1 + R2
V1 – 0.75V
3.15 。（RS）
软启动POWER- UP
在上电期间，电容在R1 ， R2启动软
启动循环。当输入电压（引脚15 ）超过
欠压锁定电压（ 7.7V ） ， Q4截止，
截至欠压锁定。当PWM比较
parator反相输入低于0.5V时，两个输出都
禁用。
当欠压锁定电平通过后，
电容器开始充电。 PWM占空比增大
直到所述操作的输出电压就达到了。软启动
操作强制PWM输出驱动器开始运行
用最小占空比和低峰值电流。
V
REF
=内部参考电压= 5.1V
3.15 =增益电流检测放大器
= 0.75V电流极限偏差
这两种驱动器输出（引脚11和14 ）为OFF （ LOW ）
当超出峰值电流限制。当感测到的
电流低于我
的PCl
时，电路正常工作。
输出关断
该TC170输出可以快速关闭通过
关断输入（引脚16 ） 。信号大于350毫伏
引脚16强制关机比较器输出高电平。
PWM锁存器保持设定，禁用输出。
Q 2也导通。如果V
REF
/ R1大于125μA ，
通过锁止放大器和Q1的正反馈
保持低于反相PWM比较器的反相输入端
0.75V 。即使在关断输入Q3保持ON
信号被移除，因为正反馈。该
状态只能通过一个电周期中被清除。输出
看跌期权将被禁用时，引脚1的潜力
下面0.75V 。
关闭终端提供了一种快速，直接的方式来显示
能够在TC170输出晶体管。系统保护和
远程关机的应用是可能的。
4-122
电流检测放大器
电流检测放大器工作在固定增益
3.15 。最大差分输入电压（V
PIN4
– V
PIN3
）是
1.1V 。共模输入电压范围为0V到V
IN
– 3V.
电阻感测方法示于图2中。
图2（a ） ，一个简单的RC滤波器限制瞬态电压尖峰
在针4 ，引起外部输出晶体管集电极
电容。变压器耦合（图3）提供间隔离
化和更好的电源效率，但成本和复杂性
增加。
为了最大限度地减少从输入的传播延迟
到电流放大器的输出端，电流
坡道应在1阶
s
宽（分钟）。典型
时间延迟值在300 ，在25℃至400nsec区域。
用元件温度的延迟时间增大，以便在
50℃时，延迟时间可以增加多达
100nsec.
TELCOM半导体，INC。的
QQ：2880707522 复制
