TC1606
REV5_20070502
2W高线性度和高效率砷化镓功率场效应管
特点
!
2W典型功率在6 GHz
!
线性功率增益：摹
L
= 12 dB（典型）在6GHz
!
高线性度： IP3 = 43 dBm的典型在6GHz
!
通孔源地
!
适用于高可靠性的应用
!
击穿电压： BV
DGO
≥
18 V
!
LG = 0.6
m,
WG = 5毫米
PHOTO扩建
!
高功率附加效率： 43％额定PAE在6GHz
!
VP紧控制范围
!
高RF输入功率处理能力
!
100％的直流测试
描述
的TC1606是GaAs假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，其具有高的线性度和
高功率附加效率。该装置具有一个通孔正当性的过程中，它提供了低的处理
热电阻和低电感。长的栅极长度，使该设备具有高的击穿电压。
所有器件100 ％的直流测试，以保证稳定的质量。
键合焊盘镀金的或者
热压或热声波引线接合。背面镀金与标准兼容的金锡
芯片粘结。典型的应用包括商用和军用高性能功率放大器
电气规格（T
A
=25
°
C)
符号
P
1dB
G
L
IP3
PAE
I
DSS
g
m
V
P
R
th
线性功率增益，
f
条件
输出功率1分贝增益压缩点，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安
= 6 GHz的
民
32.5
11
典型值
33
12
43
43
1.2
850
-1.7**
18
22
6
最大
单位
DBM
dB
DBM
%
A
mS
伏
伏
° C / W
的3截点
rd
阶互调，
f
= 6 GHz的V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安， * P
SCL
= 20 dBm的
功率附加效率为1dB压缩功率，
f
饱和漏源电流在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨在V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压在V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
热阻
BV
DGO
漏极 - 栅极击穿电压在I
DGO
= 2.5毫安
注意：
* P
SCL
：单载波电平的输出功率。
*对于夹断电压的严格控制。 TC1606的被分为3组：
(1)
TC1606P1519
： VP = -1.5V至-1.9V （ 2 ）
TC1606P1620
： VP = -1.6V至-2.0V
（3） TC1606P1721 ： VP = -1.7V至-2.1V此外，客户可以指定他们的要求。
TRANSCOM ，INC。
90 Dasoong 7
th
道为基础的科学台南工业园，惺她享，台南县，台湾， ROC
网址：
www.transcominc.com.tw
电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
1/4
TC1606
REV5_20070502
绝对最大额定值（T
A
=25
°
C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
in
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
RF输入功率， CW
连续耗散
通道温度
储存温度
等级
12 V
-5 V
I
DSS
30 dBm的
7.7 W
175
°C
- 65
°C
到+175
°C
芯片尺寸
1060
±
12
D
D
D
D
470
±
12
单位：千分尺
芯片厚度： 50
门垫： 76× 59.5
漏极焊盘： 86.0 X 76.0
G
G
G
G
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th
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2/4
TC1606
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典型的散射参数
1.0
(T
A
=25
°
C)
V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安
60
0.
2.
0
SWP最大
18GHz
3.
0
MAG最大
0.025
5
13
SWP最大
18 GHz的
45
0.8
90
6
S11
75
105
0
12
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
.0
-0
-1
35
.4
-1
20
.6
-2
-0.8
-105
-0
-1.0
60
0.
45
2.
0
MAG最大
4
13
5
SWP最大
18 GHz的
0.
4
1.0
90
0.8
75
6
15
15
165
0
-180
5
-1
0
-4
35
5
-3
0
.0
-0
.4
.6
-0.8
-1
20
-1 05
-0
-1.0
-2
1
每格
-1
SWP敏
2 GHz的
频率
（千兆赫）
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
S11
MAG
0.9431
0.9438
0.9450
0.9464
0.9479
0.9494
0.9508
0.9522
0.9534
0.9546
0.9556
0.9565
0.9573
0.9581
0.9587
0.9593
0.9598
昂
-167.86
-172.26
-174.61
-176.14
-177.28
-178.19
-178.96
-179.65
179.72
179.13
178.58
178.06
177.55
177.06
176.59
176.13
175.67
MAG
3.3354
2.1882
1.6019
1.2440
1.0025
0.8290
0.6987
0.5980
0.5182
0.4539
0.4013
0.3576
0.3210
0.2901
0.2636
0.2408
0.2210
S21
昂
82.58
74.07
66.85
60.39
54.50
49.13
44.21
39.72
35.61
31.86
28.44
25.31
22.46
19.86
17.48
15.32
13.35
MAG
0.0227
0.0222
0.0215
0.0206
0.0198
0.0190
0.0183
0.0177
0.0173
0.0171
0.0171
0.0173
0.0177
0.0183
0.0189
0.0197
0.0206
S12
昂
5.17
3.12
2.57
3.02
4.33
6.46
9.33
12.85
16.87
21.23
25.73
30.21
34.51
38.53
42.20
45.51
48.46
MAG
0.5586
0.5845
0.6143
0.6460
0.6775
0.7075
0.7352
0.7602
0.7825
0.8023
0.8198
0.8351
0.8486
0.8604
0.8709
0.8801
0.8882
S22
昂
-167.33
-165.78
-164.36
-163.42
-162.98
-162.94
-163.19
-163.63
-164.21
-164.86
-165.55
-166.25
-166.95
-167.64
-168.30
-168.95
-169.57
*该数据不包括栅极和漏极键合线。
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th
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电话： 886-6-5050086
传真： 886-6-5051602
3/4
-3
.0
-
4
-5.
.0
0
-1 65
S21
-0.
2
SWP敏
2GHz
-10.0
-15
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.2
0
-3
.
-4
0
-5.
.0
0
-0.
2
SWP敏
2GHz
-10.0
0.
4
0
4.
0
5.
10.0
15
0
165
30
15
0.2
0
-180
-15
-165
S12
50
-1
5
-4
-3
0
0
-6
-75
0.0125
每格
SWP敏
2 GHz的
-90
SWP最大
18GHz
3.
0
0
4.
0
.
5
105
12
0
30
S22
10.0
-6
0
-75
-90
TC1606
REV5_20070502
小信号模型，V
DS
= 8 V，I
DS
= 500毫安
SCHEMATI
Lg
Rg
CGS
Ri
T
CGD
Gm
CDS
RDS
Rd
Ld
参数
Lg
Rg
CGS
Ri
CGD
Rs
0.0196 nH的
0.225欧姆
8.87 pF的
0.455欧姆
0.361 pF的
880.6毫秒
3.9皮秒
Rs
Ls
CDS
RDS
Rd
Ld
0.197欧姆
0.005 nH的
1.073 pF的
31.85欧姆
0.315欧姆
0.004 nH的
Gm
T
Ls
切片处理
芯片连接：
导电环氧或共晶芯片附着建议。共晶芯片附着能
在舞台下完成与金锡（ 80 ％的Au- 20 ％ Sn）的执行： 290℃
±
5 ℃;搬运工具：镊子;
时间：小于1分钟。
引线键合：
推荐的金属丝键合方法是热压粘合与0.7至1.0密耳
（ 0.018 0.025 MM）的金线。阶段的温度：220℃ 250℃ ;焊头温度： 150 ℃;粘结力：
20 30克取决于电线焊接头温度的大小。
操作注意事项：
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。应当慎重
操作过程中避免对设备造成损坏。静电放电（ ESD）预防措施应在所有观察
仓储，装卸，组装和测试阶段。静电放电必须小于300V 。
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4/4
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