TC1426/TC1427/TC1428
1.2A双路高速MOSFET驱动器
产品特点：
·低成本
闭锁保护：可承受500毫安
反向输出电流
ESD保护± 2kV的
高峰值输出电流： 1.2A
宽工作电压范围：
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力： 1000 pF的
38纳秒
低延迟时间： 75纳秒最大
逻辑输入阈值电源独立
电压
输出电压摆幅，以在地的25毫伏
或V
DD
低输出阻抗： 8
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2, 4
7, 5
TC1426CPA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
在一个2
GND 3
TC1427CPA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
在一个2
GND 3
TC1428CPA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
2
7
5 OUT B中的B 4
2, 4
7, 5
5 OUT B中的B 4
反相
同相
4
5
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2, 4
7, 5
TC1426COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
在一个2
GND 3
TC1427COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
在一个2
GND 3
TC1428COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
2
7
5 OUT B中的B 4
2, 4
7, 5
5 OUT B中的B 4
反相
NC =无连接
同相
4
5
概述：
在TC1426 / TC1427 / TC1428是一个家庭的1.2A双
高速驾驶。 CMOS制造用于低
功耗和高效率。
这些设备所使用的外延层，以制造
有效地短路了固有的寄生晶体管
负责的CMOS闩锁。它们集成了
其他的设计和工艺的改进，以数
增加他们的长期可靠性。
的TC1426是与双极DS0026兼容，但
只绘制静态电流的1/5 。在TC1426 /
TC1427 / TC1428也与TC426兼容/
TC427 / TC428 ，但1.2A的峰值输出电流，而
比TC426 / TC427 / TC428设备的1.5A 。
其它兼容的驱动程序是TC4426 / TC4427 /
TC4428和TC4426A / TC4427A / TC4428A 。该
TC4426 / TC4427 / TC4428具有补充功能，
输入可以承受负电压高达5V与
二极管保护电路。该TC4426A / TC4427A /
TC4428A具有匹配的输入到输出的前缘
和下降沿延迟，叔
D1
和T
D2
，对于处理
短脉冲在25纳秒的范围。所有
上述司机的引脚兼容。
高输入阻抗TC1426 / TC1427 / TC1428
司机CMOS / TTL输入兼容，不需要
的高速化所需要的双极型器件，并且可以
直接驱动大多数的PWM集成电路。
该系列器件在反相和非可
反相版本。产品规格进行了优化
以实现低成本和高性能的器件，
非常适合于大批量的生产。
应用范围：
功率MOSFET驱动器
开关电源
脉冲变压器驱动
小电机控制
打印头驱动
器件选型表
产品型号
TC1426COA
TC1426CPA
TC1427COA
TC1427CPA
TC1428COA
TC1428CPA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
2006年Microchip的科技公司
DS21393C第1页
TC1426/TC1427/TC1428
1.0
电动
特征
*条件超过上述"Absolute下上市
最大Ratings"可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 18V
输入电压，在任何终端
................................... V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730毫瓦
SOIC ................................................. ...... 470毫瓦
降额因子
PDIP ................................................. ...... 8毫瓦/
°
C
SOIC ................................................. ..... 4毫瓦/
°
C
工作温度范围
C版........................................ 0 ° C至+ 70°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
TC1426 / TC1427 / TC1428电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
16V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闩锁电流
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1:
开关时间由设计保证。
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
3
—
-1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
12
8
1.2
>500
—
0.8
1
—
0.025
18
12
—
—
V
V
μA
V
V
Ω
A
mA
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 16V
开关时间（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
25
75
75
9
0.5
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
2006年Microchip的科技公司
DS21393C第3页
TC1426/TC1427/TC1428
TC1426 / TC1427 / TC1428电气规范（续）
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
转
高输出电压
低输出电压
输出电阻
闩锁电流
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1:
开关时间由设计保证。
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
3
—
-10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
10
>500
—
0.8
10
—
0.025
23
18
—
V
V
μA
V
V
Ω
mA
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 16V
开关时间（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
60
40
125
125
13
0.7
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
DS21393C第4页
2006年Microchip的科技公司
TC1426/TC1427/TC1428
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
PIN号
（ 8引脚PDIP ，
SOIC ）
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
NC
IN A
GND
IN B
OUT B
V
DD
OUT A
NC
无连接。
控制输入A， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
地面上。
控制输入B， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
输出B ， CMOS图腾柱输出。
电源输入， 4.5V至16V 。
的输出， CMOS图腾柱输出。
无连接。
描述
2006年Microchip的科技公司
DS21393C第5页
TC1426
TC1427
TC1428
1.2A双路高速MOSFET驱动器
特点
s
低成本
s
闩锁保护：可承受500 mA反向
输出电流
s
ESD保护................................................ ...
±
2千伏
s
高峰值输出电流1.2A ........................峰
s
高容性负载驱动
能力...................................... 1000pF的在38nsec
s
宽工作范围........................... 4.5V至16V
s
低延时...................................... 75nsec最大
s
逻辑输入阈值的独立
电源电压
s
输出电压摆幅内为25mV
地面或V
DD
s
低输出阻抗........................................ 8
1
概述
在TC1426 / 28分之27是一个家族的1.2A双高速
驱动程序。 CMOS制造用于低功率消耗
化和高效率。
这些设备所使用的外延层，以制造
有效地短路了固有的寄生晶体管受访
sible的CMOS闩锁。他们结合了许多其他的
设计和工艺的改进，以增加它们的长期
可靠性。
的TC1426是与双极DS0026兼容，但
只绘制静态电流的1/5 。在TC1426 / 28分之27
也与TC426兼容/ 27 /28，但用1.2A
峰值输出电流，而不是TC426 / 28分之27的1.5A
设备。
其它兼容的驱动程序是TC4426 / 27 /28和中
TC4426A / 27A / 28A 。在TC4426 / 28分之27已添加
功能，输入可承受负电压高达
5V与二极管保护电路。该TC4426A / 27A / 28A
具有匹配的输入到输出的上升沿和下降沿
延迟TD1和TD2 ，用于处理短的持续时间的脉冲
在25纳秒的范围。以上所有的司机都销
兼容。
高输入阻抗TC1426 / 28分之27司机
CMOS / TTL输入兼容的，不需要加速
所需要的双极型器件，并且可以通过直接驱动
最PWM芯片。
该系列器件在反相和非可
反相版本。产品规格进行了优化，
实现低成本和高性能的器件，非常适合
对于大批量制造。
2
3
4
5
6
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
应用
s
s
s
s
s
功率MOSFET驱动器
开关电源
脉冲变压器驱动
小电机控制
打印头驱动
销刀豆网络gurations
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2, 4
7, 5
TC1426CPA
8 NC
NC 1
TC1427CPA
8 NC
NC 1
TC1428CPA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
2
7
7 OUT A以2
6 V
DD
GND 3
7 OUT A以2
6 V
DD
GND 3
5 OUT B中的B 4
2, 4
7, 5
5 OUT B中的B 4
反相
NC =无连接
非反相
4
5
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2, 4
7, 5
8 NC
NC 1
TC1427COA
8 NC
NC 1
TC1428COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
2
7
订购信息
产品型号
TC1426COA
TC1426CPA
TC1427COA
7 OUT A以2
TC1426COA
6 V
DD
GND 3
5 OUT B中的B 4
2, 4
7 OUT A以2
6 V
DD
GND 3
5 OUT B中的B 4
7, 5
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
反相
NC =无连接
非反相
4
5
功能框图
V+
500A
2.5mA
TC1427CPA
TC1428COA
TC1428CPA
7
TC1426反相
TC1427同相
TC1428反相/同相
同相
产量
(TC1427)
反相
产量
(TC1426)
输入
注意：
TC1428有一个反相和同相1驱动程序。
地面未使用的驱动器输入。
TC1426 / 7 / 8-8 96年10月11日
GND
8
4-207
TELCOM半导体，INC。的
1.2A双路高速MOSFET驱动器
TC1426
TC1427
TC1428
绝对最大额定值*
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ........... 730W
SOIC ................................................. ............... 470毫瓦
降额因子
塑料DIP ................................................ ..... 8毫瓦/°C的
SOIC ................................................. ............. 4毫瓦/°C的
电源电压................................................ ............ 18V
输入电压，在任何终端.. （Ⅴ
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）
工作温度：C版.............. 0 ° C至+ 70°C
版......... - 40 ° C至+ 85°C
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度............................. + 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
*超出上述"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在技术规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
电气特性：
T
A
= 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD+
≤
16V ，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
逻辑1 ，输入电压
逻辑0 ，输入电压
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
测试图1和图2
测试图1和图2
V
IN
= 0.8V,
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 16V
V
IN
= 3V,
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 16V
承受反向电流
3
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
＆ GT ; 500
—
—
—
—
—
12
8
1.2
—
—
0.8
1
—
0.025
18
12
—
—
A
mA
V
V
A
V
V
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
PK
I
峰值输出电流
闩锁电流
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
测试图1和图2
测试图1和图2
测试图1和图2
测试图1和图2
—
—
—
—
—
—
—
—
35
25
75
75
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
电源
电源电流
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
—
—
—
—
9
0.5
mA
注意：
1.切换的时间保证了设计。
4-208
TELCOM半导体，INC。的
1.2A双路高速MOSFET驱动器
TC1426
TC1427
TC1428
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
+
≤
除非16V
另有规定ED 。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
测试图1和图2
测试图1和图2
V
IN
= 0.8V,
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 16V
V
IN
= 3V,
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 16V
I
闩锁电流
承受反向电流
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
测试图1和图2
测试图1和图2
测试图1和图2
测试图1和图2
—
—
—
—
—
—
—
—
60
40
125
125
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
DD
– 0.025
—
—
—
＆ GT ; 500
—
—
15
10
—
—
0.025
23
18
—
mA
V
V
逻辑1 ，输入电压
逻辑0 ，输入电压
输入电流
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
3
—
– 10
—
—
—
—
0.8
10
V
V
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
1
2
3
4
5
6
7
电源
电源电流
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
注意：
1.切换的时间保证了设计。
—
—
—
—
13
0.7
mA
电源旁路
大电流，需要进行充电和放电
容性负载迅速。例如，充电为1000pF
负载16V的25nsec需要从一个0.8A电流
设备的电源。
为了保证低电源阻抗在很宽的频
昆西范围，并联电容的组合是中建议
谁料用于电源旁路。低电感陶瓷
MLC电容短引线长度（ < 0.5英寸）应
被使用。将1.0 μF的薄膜电容器并联有一个或两个
0.1 μF的陶瓷电容器MLC通常提供足够的
旁路。
输入级
输入电压电平改变空载或quies-
电源电流美分。所述N沟道MOSFET的输入级
晶体管驱动2.5 mA电流源负载。用逻辑
"1"输入，最大静态电源电流为9毫安。
逻辑"0"输入电平信号减少到500静态电流
A
最大。
未使用的驱动器输入端必须接
到V
DD
或GND 。
最低功耗发生逻辑
"0"输入的TC1426 /二十八分之二十七。
该驱动器的设计与迟滞的100毫伏。
这提供了清洁的转变，最大限度地减少输出级
当前扣球改变状态时。输入电压阈值
孩子大约1.5V ，使得逻辑"1"输入任何
电压大于1.5V至V
DD
。输入电流小于
小于1μA超过这个范围。
的TC1426 / 28分之27可以直接由TL494驱动，
SG1526 / 27 ， TC38C42 ， TC170和类似的开关模式
电源集成电路。
4-209
接地
该TC1426和TC1428包含反相驱动器。
单独的接地回路的输入和输出电路或
接地平面应该被使用。这将减少负
反馈导致退化的开关速度煤焦
Cucumis Sativus查阅全文。
TELCOM半导体，INC。的
8
M
特点
TC1426/TC1427/TC1428
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2, 4
7, 5
TC1426CPA
8 NC
NC 1
TC1427CPA
8 NC
NC 1
TC1428CPA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
2
7
1.2A双路高速MOSFET驱动器
·低成本
闭锁保护：可承受500毫安
反向输出电流
ESD保护± 2kV的
高峰值输出电流： 1.2A
宽工作范围
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力：在1000pF的
38nsec
低延迟时间： 75nsec最大
逻辑输入阈值电源独立
电压
输出电压摆幅，以在地的为25mV
或V
DD
低输出阻抗： 8
7 OUT A以2
6 V
DD
GND 3
7 OUT A以2
6 V
DD
GND 3
5 OUT B中的B 4
2, 4
7, 5
5 OUT B中的B 4
反相
同相
4
5
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2, 4
7, 5
TC1426COA
8 NC
NC 1
TC1427COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
TC1428COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
2
7
7 OUT A以2
6 V
DD
GND 3
5 OUT B中的B 4
2, 4
7, 5
5 OUT B中的B 4
反相
NC =无连接
同相
4
5
概述
在TC1426 / TC1427 / TC1428是一个家庭的1.2A双
高速驾驶。 CMOS制造用于低
功耗和高效率。
这些设备所使用的外延层，以制造
有效地短路了固有的寄生晶体管
负责的CMOS闩锁。它们集成了
其他的设计和工艺的改进，以数
增加他们的长期可靠性。
的TC1426是与双极DS0026兼容，但
只绘制静态电流的1/5 。在TC1426 /
TC1427 / TC1428也与TC426兼容/
TC427 / TC428 ，但1.2A的峰值输出电流，而
比TC426 / TC427 / TC428设备的1.5A 。
其它兼容的驱动程序是TC4426 / TC4427 /
TC4428和TC4426A / TC4427A / TC4428A 。该
TC4426 / TC4427 / TC4428具有补充功能，
输入可以承受负电压高达5V与
二极管保护电路。该TC4426A / TC4427A /
TC4428A具有匹配的输入到输出的前缘
和下降沿延迟，叔
D1
和T
D2
，对于处理
短脉冲在25纳秒的范围。所有
上述司机的引脚兼容。
高输入阻抗TC1426 / TC1427 / TC1428
司机CMOS / TTL输入兼容，不需要
的高速化所需要的双极型器件，并且可以
直接驱动大多数的PWM集成电路。
该系列器件在反相和非可
反相版本。产品规格进行了优化
以实现低成本和高性能的器件，
非常适合于大批量的生产。
应用
功率MOSFET驱动器
开关电源
脉冲变压器驱动
小电机控制
打印头驱动
器件选型表
产品型号
TC1426COA
TC1426CPA
TC1427COA
TC1427CPA
TC1428COA
TC1428CPA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
2002年Microchip的科技公司
DS21393B第1页
TC1426/TC1427/TC1428
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 18V
输入电压，在任何终端
................................... V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730mW
SOIC ................................................. ....... 470mW
降额因子
PDIP ................................................. ....... 8MW /
°
C
SOIC........................................................4mW/
°
C
工作温度范围
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC1426 / TC1427 / TC1428电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
16V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闩锁电流
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1:
开关时间由设计保证。
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
3
—
-1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
12
8
1.2
>500
—
0.8
1
—
0.025
18
12
—
—
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 16V
V
V
A
mA
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
25
75
75
9
0.5
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
2002年Microchip的科技公司
DS21393B第3页
TC1426/TC1427/TC1428
TC1426 / TC1427 / TC1428电气规范（续）
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V，除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
转
高输出电压
低输出电压
输出电阻
闩锁电流
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1:
开关时间由设计保证。
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
3
—
-10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
10
>500
—
0.8
10
—
0.025
23
18
—
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 16V
V
V
mA
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
60
40
125
125
13
0.7
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
DS21393B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC1426/TC1427/TC1428
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
PIN号
（ 8引脚PDIP ，
SOIC ）
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
NC
IN A
GND
IN B
OUT B
V
DD
OUT A
NC
无连接。
控制输入A， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
地面上。
控制输入B， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
输出B ， CMOS图腾柱输出。
电源输入， 4.5V至16V 。
的输出， CMOS图腾柱输出。
无连接。
描述
2002年Microchip的科技公司
DS21393B第5页
TC1426/TC1427/TC1428
1.2A双路高速MOSFET驱动器
产品特点：
·低成本
闭锁保护：可承受500毫安
反向输出电流
ESD保护± 2kV的
高峰值输出电流： 1.2A
宽工作电压范围：
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力： 1000 pF的
38纳秒
低延迟时间： 75纳秒最大
逻辑输入阈值电源独立
电压
输出电压摆幅，以在地的25毫伏
或V
DD
低输出阻抗： 8
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2, 4
7, 5
TC1426CPA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
在一个2
GND 3
TC1427CPA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
在一个2
GND 3
TC1428CPA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
2
7
5 OUT B中的B 4
2, 4
7, 5
5 OUT B中的B 4
反相
同相
4
5
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
2, 4
7, 5
TC1426COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
在一个2
GND 3
TC1427COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
NC 1
在一个2
GND 3
TC1428COA
8 NC
7 OUT A
6 V
DD
5 OUT B
2
7
5 OUT B中的B 4
2, 4
7, 5
5 OUT B中的B 4
反相
NC =无连接
同相
4
5
概述：
在TC1426 / TC1427 / TC1428是一个家庭的1.2A双
高速驾驶。 CMOS制造用于低
功耗和高效率。
这些设备所使用的外延层，以制造
有效地短路了固有的寄生晶体管
负责的CMOS闩锁。它们集成了
其他的设计和工艺的改进，以数
增加他们的长期可靠性。
的TC1426是与双极DS0026兼容，但
只绘制静态电流的1/5 。在TC1426 /
TC1427 / TC1428也与TC426兼容/
TC427 / TC428 ，但1.2A的峰值输出电流，而
比TC426 / TC427 / TC428设备的1.5A 。
其它兼容的驱动程序是TC4426 / TC4427 /
TC4428和TC4426A / TC4427A / TC4428A 。该
TC4426 / TC4427 / TC4428具有补充功能，
输入可以承受负电压高达5V与
二极管保护电路。该TC4426A / TC4427A /
TC4428A具有匹配的输入到输出的前缘
和下降沿延迟，叔
D1
和T
D2
，对于处理
短脉冲在25纳秒的范围。所有
上述司机的引脚兼容。
高输入阻抗TC1426 / TC1427 / TC1428
司机CMOS / TTL输入兼容，不需要
的高速化所需要的双极型器件，并且可以
直接驱动大多数的PWM集成电路。
该系列器件在反相和非可
反相版本。产品规格进行了优化
以实现低成本和高性能的器件，
非常适合于大批量的生产。
应用范围：
功率MOSFET驱动器
开关电源
脉冲变压器驱动
小电机控制
打印头驱动
器件选型表
产品型号
TC1426COA
TC1426CPA
TC1427COA
TC1427CPA
TC1428COA
TC1428CPA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21393D第1页
TC1426/TC1427/TC1428
1.0
电动
特征
*条件超过上述"Absolute下上市
最大Ratings"可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 18V
输入电压，在任何终端
................................... V
DD
+ 0.3V至GND - 0.3V
功率耗散（T
A
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730毫瓦
SOIC ................................................. ...... 470毫瓦
降额因子
PDIP ................................................. ...... 8毫瓦/
C
SOIC ................................................. ..... 4毫瓦/
C
工作温度范围
C版........................................ 0 ° C至+ 70°C
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
TC1426 / TC1427 / TC1428电气规范
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
V
DD
16V,
除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
高输出电压
低输出电压
输出电阻
峰值输出电流
闩锁电流
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1:
开关时间由设计保证。
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
3
—
-1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
12
8
1.2
>500
—
0.8
1
—
0.025
18
12
—
—
V
V
A
V
V
A
mA
0VV
IN
V
DD
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 16V
开关时间（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
25
75
75
9
0.5
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
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TC1426/TC1427/TC1428
TC1426 / TC1427 / TC1428电气规范（续）
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
16V,
除非另有说明。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
转
高输出电压
低输出电压
输出电阻
闩锁电流
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1:
开关时间由设计保证。
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
3
—
-10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
—
15
10
>500
—
0.8
10
—
0.025
23
18
—
V
V
A
V
V
mA
0VV
IN
V
DD
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 16V
开关时间（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
记
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
60
40
125
125
13
0.7
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
图3-1 ，图3-2
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
电源
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2001-2012 Microchip的科技公司
TC1426/TC1427/TC1428
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
PIN号
（ 8引脚PDIP ，
SOIC ）
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
NC
IN A
GND
IN B
OUT B
V
DD
OUT A
NC
无连接。
控制输入A， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
地面上。
控制输入B， TTL / CMOS兼容的逻辑输入。
输出B ， CMOS图腾柱输出。
电源输入， 4.5V至16V 。
的输出， CMOS图腾柱输出。
无连接。
描述
2001-2012 Microchip的科技公司
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QQ：2880707522 复制
