M
特点
TC1412/TC1412N
概述
在TC1412 / TC1412N是2A CMOS缓冲器/驱动器。
他们不会闩锁内的任何条件下其
功率和额定电压。它们不受
受到伤害时的噪声尖峰高达5V两种
极性发生在接地引脚。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，最高电流500毫安
任一极性被强制返回到它们的输出。所有
终端完全免受高达4千伏
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC1412 / TC1412N可以很容易地
在18纳秒与充电1000 pF的栅极电容
匹配的上升和下降时间，并提供足够低
阻抗在ON和OFF状态，以
确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。领导和
后缘的传播延迟时间也匹配
以允许驱动短时输入具有更大
准确度。
2A高速MOSFET驱动器
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护： 4 kV的
高峰值输出电流： 2A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力：
- 1000 pF的18纳秒
短延迟时间： 35 ns的典型。
匹配的延迟时间
低电源电流：
- 对于逻辑“1”输入： 500 μA
- 对于逻辑“0”输入： 100 μA
低输出阻抗： 4
提供节省空间的8引脚MSOP封装
引脚排列相同， TC1410 / TC1411 / TC1413
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
继电器驱动器
套餐类型
8引脚MSOP / PDIP / SOIC
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
8 V
DD
OUT
TC1412
7
6 OUT
5 GND
6,7
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
8 V
DD
7 OUT
6 OUT
5 GND
6,7
TC1412N
反相
NC - 无内部连接
非反相
注意：
重名的引脚必须连接在一起
正确操作。
2003 Microchip的技术公司
DS21391C第1页
TC1412/TC1412N
1.0
电动
特征
引脚功能表
符号
V
DD
输入
描述
电源输入， 4.5V至16V
控制输入
无连接
地
地
CMOS推挽输出
常见的7针
CMOS推挽输出
常见的6引脚
电源输入， 4.5V至16V
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压...................... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
最高结温...................... + 150°C
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
NC
GND
GND
产量
产量
V
DD
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V.
典型值是在T测
A
= + 25 ° C，V
DD
= 16V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
t
R
—
—
—
下降时间
t
F
—
—
—
注1 ：
开关时间由设计保证。
18
20
22
18
20
22
26
31
31
26
31
31
纳秒
纳秒
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
图4-1
I
PK
I
转
—
—
—
—
4
5
5
2.0
0.5
—
0.025
6
7
7
—
—
A
A
V
V
直流测试
直流测试
V
DD
= 16V ，我
O
= 10毫安，T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
DD
= 16V
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒，
V
DD
= 16V
V
IH
V
IL
I
IN
2.0
—
-1.0
-10
—
—
—
—
—
0.8
1.0
10
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD,
T
A
= +25°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2003 Microchip的技术公司
DS21391C第3页
TC1412/TC1412N
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V.
500
T
A
= +25°C
500
V
供应
= 16V
V
IN
= 3V
400
400
I
供应
(A)
I
供应
(A)
V
IN
= 3V
300
300
200
200
100
V
IN
= 0V
100
V
IN
= 0V
0
4
6
8
10
12
14
16
0
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(V)
温度（℃）
图2-1：
静态电源电流
- 电源电压。
1.6
图2-4：
与温度的关系。
1.6
静态电源电流
T
A
= +25°C
1.5
V
供应
= 16V
1.5
V
门槛
(V)
1.4
V
门槛
(V)
V
IH
V
IH
1.4
1.3
1.3
1.2
1.1
4
V
IL
1.2
V
IL
6
8
10
12
14
16
1.1
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(V)
温度（℃）
图2-2：
电压。
13
11
输入阈值与供应
图2-5：
温度。
13
11
输入阈值与
R
DS -ON
（欧姆）
9
7
5
3
1
4
R
DS -ON
（欧姆）
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
9
7
5
3
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
T
A
= -40°C
1
6
8
10
V
DD
(V)
12
14
16
4
6
8
10
V
DD
(V)
12
14
16
图2-3：
高态输出
电阻与电源电压。
图2-6：
低态输出
电阻与电源电压。
2003 Microchip的技术公司
DS21391C第5页
M
特点
TC1412/TC1412N
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
反相
NC - 无内部连接
6, 7
8 V
DD
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
2A高速MOSFET驱动器
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护：为4kV
高峰值输出电流： 2A
宽工作范围
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力：在1000pF的
18nsec
短延迟时间： 35nsec典型值
一致的延迟时间的变化供应
电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入： 500μA
- 对于逻辑“ 0 ”输入： 100μA
低输出阻抗： 4
引脚排列相同， TC1410 / TC1411 / TC1413
TC1412
7 OUT
6 OUT
5 GND
TC1412N
7 OUT
6 OUT
5 GND
同相
概述
在TC1412 / TC1412N是2A CMOS缓冲器/驱动器。
他们不会在任何情况下，锁定了他们的
功率和额定电压。它们不受
受到伤害时的噪声尖峰高达5V两种
极性发生在接地引脚。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，高达500mA的电流
任一极性被强制返回到它们的输出。所有
终端完全免受高达4kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC1412 / TC1412N可以很容易地
分管18nsec一个1000pF的栅极电容与
匹配的上升和下降时间，并提供足够低
阻抗在ON和OFF状态，以
确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响，即使是大的瞬变。上升和下降时间
边缘匹配允许驱动短时
输入以更大的精确度。
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
继电器驱动器
器件选型表
产品型号
TC1412COA
TC1412CPA
TC1412EOA
TC1412EPA
TC1412NCOA
TC1412NCPA
TC1412NEOA
TC1412NEPA
包
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
2002年Microchip的科技公司
DS21391B第1页
TC1412/TC1412N
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压...................... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730mW
SOIC ................................................. ....... 470mW
封装热阻
PDIP
θ
J- á
..............................................125
°
C / W
PDIP
θ
J-
............................................... 42℃ / W
SOIC
θ
J- á
............................................ 155 ° C / W
SOIC
θ
J-
.............................................. 45 ° C / W
工作温度范围
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
版本..................................... -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC1412 / TC1412N电气特性
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V，除非另有说明。典型的值是
测量在T
A
= + 25 ° C，V
DD
= 16V.
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
4
5
5
2.0
0.5
—
0.025
6
7
7
—
—
V
V
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ，高输入电压
逻辑0 ，低输入电压
输入电流
2.0
—
-1
-10
—
—
—
—
—
0.8
1
10
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD,
T
A
= +25°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
直流测试
直流测试
V
DD
= 16V ，我
O
= 10毫安，T
A
= +25°C,
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
DD
= 16V
占空比
≤
2%, t
≤
300
秒，
V
DD
= 16V
I
PK
I
转
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
—
—
A
A
2002年Microchip的科技公司
DS21391B第3页
1
TC1412
TC1412N
2A高速MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护................................................ .....为4kV
高峰值输出电流2A ..................................
宽工作范围.......................... 4.5V至16V
高容性负载
驱动能力.......................... 1000pF的在18nsec
短延迟时间.................................. 35nsec典型值
一致的延迟时间的变化
电源电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入................................. 500
A
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 150
A
低输出阻抗....................................... 4
引脚排列相同， TC1410 / 11/13
概述
在TC1412 / 1412N是2A CMOS缓冲器/驱动器。他们
在任何条件下不会锁定了他们的能力范围内，并
额定电压。它们不受损坏时达
任一极性的噪声尖峰的5V发生在地面上
引脚。他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，达
当前任一极性为500 mA被迫回
它们的输出。所有引脚都被充分保护，免受高达4
kV的静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC1412 / 1412N能轻松
在18 ns的开关1000 pF的栅极电容与匹配的上升
时间和下降时间，并在这两个具有足够低的阻抗
在ON和OFF状态，确保MOSFET的
预期国家将不会受到影响，即使是大的瞬变。
上升和下降时间的边缘相匹配，使驾驶
短持续时间的输入，以更高的精度。
2
3
4
5
6
7
s
s
订购信息
销刀豆网络gurations
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
产品型号
TC1412COA
TC1412CPA
TC1412EOA
TC1412EPA
TC1412NCOA
TC1412NCPA
TC1412NEOA
TC1412NEPA
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
TC1411
6 OUT
5 GND
TC1411N
6 OUT
5 GND
反相
同相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
功能框图
TC1411
反相
输出
V
DD
300mV
产量
同相
输出
输入
4.7V
TC1411N
GND
有效
输入
C = 10pF的
8
TC1412 / N-7 96年10月11日
TELCOM半导体，INC。的
4-195
2A高速MOSFET驱动器
TC1412
TC1412N
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压，单位为A或B中。 （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V ，除非另外
明智的规定。典型值是在T测
A
= 25°C ; V
DD
= 16V.
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
2.0
—
–1
– 10
—
—
—
—
—
—
4
5
5
2.0
—
—
0.8
1
10
—
0.025
6
7
7
—
—
V
V
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
–5V
≤
V
IN
≤
V
DD
T
A
= 25°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
直流测试
V
DD
– 0.025
直流测试
—
V
DD
= 16V ，我
O
= 10毫安牛逼
A
= 25°C
—
—
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
—
V
DD
= 16V
—
占空比
≤
2%
0.5
V
DD
= 16V
t
≤
300
微秒
图1
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
V
V
I
PK
I
转
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
A
A
开关时间
（注1 ）
t
R
18
20
22
18
20
22
35
40
40
35
40
40
0.5
0.1
26
31
31
26
31
31
45
50
50
45
50
50
1.0
0.15
纳秒
t
F
下降时间
图1
纳秒
t
D1
延迟时间
图1
纳秒
t
D2
延迟时间
图1
纳秒
电源
I
S
电源电流
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
V
DD
= 16V
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-196
TELCOM半导体，INC。的
QQ：2881677436 复制
