添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第332页 > TC1411CPA
1
TC1411
TC1411N
1A高速MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
闭锁保护:可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护................................................ .... 4千伏
高峰值输出电流1A ..................................
宽工作范围.......................... 4.5V至16V
高容性负载
驱动能力.......................... 1000pF的在25nsec
短延迟时间.................................. 30nsec典型值
一致的延迟时间的变化
电源电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入................................. 500
A
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 150
A
低输出阻抗....................................... 8
引脚排列相同, TC1410 / 12月13日
概述
在TC1411 / 1411N是1A CMOS缓冲器/驱动器。他们
在任何条件下不会锁定了他们的能力范围内,并
额定电压。它们不受损坏时达
任一极性的噪声尖峰的5V发生在地面上
引脚。他们能够接受,而不会损坏或逻辑混乱,达
当前任一极性为500 mA被迫回
它们的输出。所有引脚都被充分保护,免受高达4
kV的静电放电。
由于MOSFET驱动器,在TC1411 / 1411N能轻松
切换1000pF的栅极电容在25nsec与匹配
上升和下降时间,并提供足够低的阻抗
两者的接通和断开状态,以确保MOSFET的
预期国家将不会受到影响,即使是大的瞬变。
上升和下降时间的边缘相匹配,使驾驶
短持续时间的输入,以更高的精度。
2
3
4
5
6
s
s
订购信息
产品型号
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
销刀豆网络gurations
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
TC1411
6 OUT
5 GND
TC1411N
6 OUT
5 GND
TC1411COA
TC1411CPA
TC1411EOA
TC1411EPA
TC1411NCOA
TC1411NCPA
TC1411NEOA
TC1411NEPA
反相
同相
NC - 无内部连接
注意:
SOIC引脚排列完全相同畅游。
功能框图
TC1411
反相
输出
V
DD
300mV
产量
同相
输出
7
输入
4.7V
TC1411N
GND
有效
输入
C = 10pF的
TC1411 / N - 10 96年10月11日
8
4-189
TELCOM半导体,INC。的
1A高速MOSFET驱动器
TC1411
TC1411N
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压,单位为A或B中的.. (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5.0V )
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
功率耗散(T
A
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性:
在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
16V ,除非另外
明智的规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1,高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
2.0
–1
– 10
8
10
10
1.0
0.8
1
10
0.025
11
14
14
V
V
A
参数
测试条件
典型值
最大
单位
–5V
V
IN
V
DD
T
A
= 25°C
– 40°C
T
A
85°C
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
直流测试
V
DD
– 0.025
直流测试
V
DD
= 16V ,我
O
= 10毫安牛逼
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
V
DD
= 16V
占空比
2%
0.5
V
DD
= 16V
t
300
微秒
图1
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
T
A
= 25°C
0°C
T
A
70°C
– 40°C
T
A
85°C
V
DD
= 16V
V
V
I
PK
I
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
A
A
开关时间
(注1 )
t
R
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
0.5
0.1
35
40
40
35
40
40
40
45
45
40
45
45
1.0
0.15
纳秒
t
F
下降时间
图1
纳秒
t
D1
延迟时间
图1
纳秒
t
D2
延迟时间
图1
纳秒
电源
I
S
电源电流
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
mA
注意:
1.切换的时间由设计保证。
4-190
TELCOM半导体,INC。的
1A高速MOSFET驱动器
TC1411
TC1411N
1
+5V
输入
0V
VDD
90%
2
tR
90%
10%
tD1
90%
VDD = 16V
4.7F
0.1F
tF
tD2
产量
1,8
输入
2
6,7
0V
产量
10%
10%
3
4
t
F
CL = 1000pF的
TC1411
TC1411N
反相驱动器
TC1411
+5V
输入
90%
4,5
0V
VDD
10%
90%
90%
tD2
10%
输入: 100 kHz时,方波,
TRISE = TFALL英镑10nsec
tD1
产量
0V
10%
tR
同相驱动器
TC1411N
图1.开关时间测试电路
5
6
7
热降额曲线
1600
1400
8引脚DIP
8引脚CERDIP
1000
800
8引脚SOIC
600
400
200
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
MAX 。功率( mW)的
1200
环境温度( ℃)
8
TELCOM半导体,INC。的
4-191
1A高速MOSFET驱动器
TC1411
TC1411N
典型特征
静态电源电流
- 电源电压
T
A
= 25°C
500
500
静态电源电流
与温度的关系
V
供应
= 16V
V
IN
= 3V
400
400
I
供应
(A)
I
供应
(A)
V
IN
= 3V
300
300
200
200
100
V
IN
= 0V
4
6
8
10
12
14
16
100
V
IN
= 0V
0
0
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(伏)
温度(℃)
输入阈值
- 电源电压
T
A
= 25°C
1.6
1.6
输入阈值
与温度的关系
V
供应
= 16V
V
门槛
(伏)
V
门槛
(伏)
1.5
1.5
V
IH
1.4
V
IH
1.4
1.3
1.3
1.2
V
IL
1.2
V
IL
1.1
4
6
8
10
12
14
16
1.1
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(伏)
温度(℃)
高态输出电阻
25
25
低态输出电阻
20
T
=8
20
R
ds
(ON )W,
R
ds
(ON )W,
15
A
5
°
C
25
°
C
15
T
A
T
A
=
=8
5
°
C
T
A
=
25
°
C
10
T
A
=
10
–40
°
C
5
5
T
A
= –40
°C
0 4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
V
DD
(伏)
4-192
V
DD
(伏)
TELCOM半导体,INC。的
1A高速MOSFET驱动器
TC1411
TC1411N
典型特征
(续)
上升时间与电源电压
C
负载
= 1000pF的
100
100
1
下降时间与电源电压
C
负载
= 1000pF的
2
3
80
80
T
上升
(纳秒)
60
T
秋天
(纳秒)
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
60
T
A
= 85°C
40
40
T
A
=25°C
20
20
T
A
= –40°C
0
4
6
8
10
12
14
16
T
A
=–40°C
0
4
6
8
10
12
14
16
V
DD
(伏)
V
DD
(伏)
T
D1
传输延迟与电源电压
C
负载
= 1000pF的
100
T
D2
传输延迟与电源电压
C
负载
= 1000pF的
100
4
5
80
80
T
D1
(纳秒)
T
D2
(纳秒)
60
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
60
T
A
= 85°C
40
T
A
=25°C
40
T
A
= –40°C
20
T
A
= –40°C
20
0
4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
V
DD
(伏)
V
DD
(伏)
6
7
上升和下降时间 - 容性负载
T
A
= 25 ° C,V
DD
= 16V
传播延迟 - 容性负载
T
A
= 25 ° C,V
DD
= 16V
传播延迟(纳秒)
100
36
T
上升
, T
秋天
(纳秒)
80
T
上升
34
T
D2
60
32
40
T
秋天
30
T
D1
20
28
0
26
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
C
负载
(PF )
C
负载
(PF )
4-193
8
TELCOM半导体,INC。的
M
特点
TC1411/TC1411N
套餐类型
8引脚PDIP / SOIC
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
反相
NC - 无内部连接
6, 7
8 V
DD
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
1A高速MOSFET驱动器
闭锁保护:可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护:为4kV
高峰值输出电流: 1A
宽工作范围
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力:在1000pF的
25nsec
短延迟时间: 30nsec典型。
一致的延迟时间的变化供应
电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入: 500μA
- 对于逻辑“ 0 ”输入: 100μA
低输出阻抗: 8
引脚排列相同, TC1410 / TC1412 / TC1413
TC1411
7 OUT
6 OUT
5 GND
TC1411N
7 OUT
6 OUT
5 GND
同相
概述
在TC1411 / TC1411N是1A CMOS缓冲器/驱动器。
他们不会在任何情况下,锁定了他们的
功率和额定电压。它们不受
受到伤害时的噪声尖峰高达5V两种
极性发生在接地引脚。他们可以接受的,
无损坏或逻辑混乱,高达500mA的电流
任一极性被强制返回到它们的输出。所有
终端完全免受高达4kV的
静电放电。
由于MOSFET驱动器,在TC1411 / TC1411N可以很容易地
分管25nsec一个1000pF的栅极电容与
匹配的上升和下降时间,并提供足够低
阻抗在ON和OFF状态,以
确保MOSFET的预期状态也不会
受此影响,即使是大的瞬变。上升和下降时间
边缘匹配允许驱动短时
输入以更大的精确度。
应用
开关模式电源
脉冲变压器驱动
线路驱动器
继电器驱动器
器件选型表
产品型号
TC1411COA
TC1411CPA
TC1411EOA
TC1411EPA
TC1411NCOA
TC1411NCPA
TC1411NEOA
TC1411NEPA
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
8引脚SOIC
8引脚PDIP
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
2002年Microchip的科技公司
DS21390B第1页
TC1411/TC1411N
功能框图
TC1411
反相
输出
V
DD
300mV
产量
同相
输出
输入
4.7V
TC1411N
GND
有效
输入
C = 10pF的
DS21390B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC1411/TC1411N
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压...................... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
功率耗散(T
A
70°C)
PDIP ................................................. ....... 730mW
SOIC ................................................. ....... 470mW
封装热阻
PDIP
θ
J- á
..............................................125
°
C / W
PDIP
θ
J-
............................................... 42℃ / W
SOIC
θ
J- á
............................................ 155 ° C / W
SOIC
θ
J-
.............................................. 45 ° C / W
工作温度范围
C版......................................... 0 ° C至+ 70 °
版本..................................... -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围............. -65 ° C至+ 150°C
TC1411 / TC1411N电气特性
电气特性:
在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
16V,除非另有说明。典型的值是
测量在T
A
= + 25 ° C,V
DD
= 16V.
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
DD
– 0.025
8
10
10
1.0
0.5
0.025
11
14
14
V
V
参数
典型值
最大
单位
测试条件
逻辑1 ,高输入电压
逻辑0 ,低输入电压
输入电流
2.0
-1
-10
0.8
1
10
V
V
A
0V
V
IN
V
DD,
T
A
= +25°C
-40°C
T
A
+85°C
直流测试
直流测试
V
DD
= 16V ,我
O
= 10毫安,T
A
= +25°C,
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+85°C
V
DD
= 16V
占空比
2%, t
300
秒,
V
DD
= 16V
I
PK
I
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
A
A
2002年Microchip的科技公司
DS21390B第3页
TC1411/TC1411N
TC1411 / TC1411N电气规范(续)
电气特性:
在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
16V,除非另有说明。典型的值是
测量在T
A
= + 25 ° C,V
DD
= 16V.
符号
参数
典型值
最大
单位
测试条件
开关时间
(注1 )
t
R
上升时间
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
0.5
0.1
35
40
40
35
40
40
40
45
45
40
45
45
1.0
0.15
纳秒
T
A
= +25°C,
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+ 85°C ,图3-1
T
A
= +25°C,
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+ 85°C ,图3-1
T
A
= +25°C,
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+ 85°C ,图3-1
T
A
= +25°C,
0°C
T
A
+70°C
-40°C
T
A
+ 85°C ,图3-1
V
IN
= 3V, V
DD
= 16V
V
IN
= 0V
t
F
下降时间
纳秒
t
D1
延迟时间
纳秒
t
D2
延迟时间
纳秒
电源
I
S
1:
电源电流
开关时间由设计保证。
mA
DS21390B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC1411/TC1411N
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1:
PIN号
( 8引脚PDIP ,
SOIC )
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚功能表
符号
V
DD
输入
NC
GND
GND
产量
产量
V
DD
电源输入, 4.5V至16V 。
控制输入。
无连接。
地面上。
地面上。
CMOS图腾柱输出,常见的7脚。
CMOS图腾柱输出,常见的6脚。
电源输入, 4.5V至16V 。
描述
2002年Microchip的科技公司
DS21390B第5页
查看更多TC1411CPAPDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    TC1411CPA
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
TC1411CPA
Microchip
25+
5540
原厂封装
只做原装★全系列销售★优势供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
TC1411CPA
MICROCHIP
21+
16800
DIP8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
TC1411CPA
TELCOM
24+
4000
DIP8
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2938238007 复制 点击这里给我发消息 QQ:1840507767 复制

电话:0755-82578309/18898790342
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北海外装饰大厦B座7B33
TC1411CPA
Microchip
21+
10500
PDIP
███原装现货正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
TC1411CPA
Microchip Technology
24+
10000
8-PDIP
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
TC1411CPA
Microchip Technology
24+
296
8-PDIP
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
TC1411CPA
MICROCHIP
25+23+
21500
PDIP-8
绝对全新原装现货!原装原标原包渠道优势!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
TC1411CPA
microchip
15420
23+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3350142453 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393564 复制

电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
TC1411CPA
Microchip Technology
23+
3750
8-DIP (300 mil)
全新原装,现货优势库存
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:97671959 复制

电话:171-4729-9698(微信同号)
联系人:周小姐,171-4729-9698,无线联通更快捷!
地址:体验愉快问购元件!帮您做大生意!!深圳市福田区3037号南光捷佳大厦2418室
TC1411CPA
MICROCHIP
24+
660
DIP-8
19¥/片,★体验愉快问购元件!!就找我吧!单价:19元
查询更多TC1411CPA供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!