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TC1410
TC1410N
0.5A高速MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护................................................ .....为4kV
高峰值输出电流0.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至16V
高容性负载
驱动能力............................ 500pF的在25nsec
短延迟时间.................................. 35nsec典型值
一致的延迟时间的变化
电源电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入................................. 500
A
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 150
A
低输出阻抗..................................... 16
引脚排列相同， TC1411 / 12月13日
概述
在TC1410 / 1410N是0.5V CMOS缓冲器/驱动器。
他们不会自己能力范围内，任何情况下闭锁
和额定电压。它们不受损坏时，
达任一极性的噪声尖峰的5V出现在
接地引脚。他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，
达任一极性的500mA的电流被强制回
到他们的输出。所有引脚都被充分保护，防止了
4 kV的静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC1410 / 1410N能轻松
在25nsec切换500pF的栅极电容与匹配的上升
时间和下降时间，并在这两个具有足够低的阻抗
在ON和OFF状态，确保MOSFET的
预期国家将不会受到影响，即使是大的瞬变。
上升和下降时间的边缘相匹配，使驾驶
短持续时间的输入，以更高的精度。
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订购信息
产品型号
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
销刀豆网络gurations
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
TC1410
6 OUT
5 GND
TC1410N
6 OUT
5 GND
TC1410COA
TC1410CPA
TC1410EOA
TC1410EPA
TC1410NCOA
TC1410NCPA
TC1410NEOA
TC1410NEPA
反相
同相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
功能框图
TC1410
反相
输出
V
DD
300mV
产量
同相
输出
7
输入
4.7V
TC1410N
GND
有效
输入
C = 10pF的
TC1410 / N - 8 96年10月15日
8
4-183
TELCOM半导体，INC。的
0.5A高速MOSFET驱动器
TC1410
TC1410N
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压，单位为A或B中。 （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V ，除非另外
明智的规定。典型值是在T测
A
= 25°C ; V
DD
=16V.
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
2.0
—
–1
– 10
—
—
—
—
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
16
20
20
0.5
—
—
0.8
1
10
V
0.025
22
28
28
—
—
V
V
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
– 5V
≤
V
IN
≤
V
DD
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
直流测试
直流测试
V
DD
= 16V ，我
O
= 10毫安
T
A
= 25°C
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
DD
– 0.025
T
A
=25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
DD
= 16V
V
I
PK
I
转
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
V
DD
= 16V
占空比
≤
2%
t
≤
300
微秒
图1
A
A
开关时间
（注1 ）
t
R
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
DD
= 16V
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
0.5
0.1
35
40
40
35
40
40
40
45
45
40
45
45
1.0
0.15
纳秒
t
F
下降时间
图1
纳秒
t
D1
延迟时间
图1
纳秒
t
D2
延迟时间
图1
纳秒
电源
I
S
电源电流
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-184
TELCOM半导体，INC。的
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