M
特点
TC1410/TC1410N
概述
在TC1410 / TC1410N是0.5A CMOS缓冲器/驱动器。
他们不会闩锁内的任何条件下其
功率和额定电压。它们不受
受到伤害时的噪声尖峰高达5V两种
极性发生在接地引脚。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，最高电流500毫安
任一极性被强制返回到它们的输出。所有
终端完全免受高达4千伏
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC1410 / TC1410N可以很容易地
在25纳秒与收取500 pF的栅极电容
匹配的上升和下降时间，并提供足够低
同时在“ON”和“OFF”阻抗状态，以确保
MOSFET的预期状态不会受到影响，甚至
大的瞬变。前缘和后缘
传播延迟时间也匹配，以允许
驱动持续时间短的输入，以更大的精确度。
0.5A高速MOSFET驱动器
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护： 4 kV的
高峰值输出电流： 0.5A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力：
- 500 pF的25纳秒
短延迟时间： 30纳秒典型。
一致的延迟时间的变化供应
电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“1”输入： 500 μA
- 对于逻辑“0”输入： 100 μA
低输出阻抗： 16Ω
提供节省空间的8引脚MSOP封装
引脚排列相同， TC1411 / TC1412 / TC1413
套餐类型
8引脚MSOP / PDIP / SOIC
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
IN 2
NC 3
GND 4
2
8 V
DD
7 OUT
6 OUT
5 GND
6,7
V
DD
1
8 V
DD
7 OUT
6 OUT
5 GND
6,7
应用
开关模式电源
线路驱动器
脉冲变压器驱动
继电器驱动器
反相
NC =无连接
非反相
注意：
重名的引脚必须连接在一起
正确操作。
2003 Microchip的技术公司
DS21389C第1页
TC1410N
TC1410
TC1410/TC1410N
1.0
电动
特征
引脚功能表
符号
V
DD
输入
NC
GND
GND
产量
产量
V
DD
控制输入
无连接
地
地
CMOS推挽输出
常见的7针
CMOS推挽输出
常见的6引脚
电源输入， 4.5V至16V
描述
电源输入， 4.5V至16V
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压...................... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
功率耗散（T
A
≤
70°C)
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
最高结温...................... + 150°C
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V.
典型值是在T测
A
= + 25 ° C，V
DD
= 16V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
t
R
—
—
—
下降时间
t
F
—
—
—
延迟时间
t
D1
—
—
—
注1 ：
开关时间由设计保证。
25
27
29
25
27
29
30
33
35
35
40
40
35
40
40
40
45
45
纳秒
纳秒
纳秒
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C,
图4-1
I
PK
I
转
—
—
—
—
16
20
20
0.5
0.5
—
0.025
22
28
28
—
—
A
A
V
V
直流测试
直流测试
V
DD
= 16V ，我
O
= 10毫安，T
A
= +25°C
0°C
≤
T
A
≤
+70°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
V
DD
= 16V
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒，
V
DD
= 16V
V
IH
V
IL
I
IN
2.0
—
-1
-10
—
—
—
—
—
0.8
1
10
V
V
A
0V
≤
V
IN
≤
V
DD,
T
A
= +25°C
-40°C
≤
T
A
≤
+85°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2003 Microchip的技术公司
DS21389C第3页
TC1410/TC1410N
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V.
500
T
A
= +25°C
500
V
供应
= 16V
V
IN
= 3V
400
400
I
供应
(A)
I
供应
(A)
V
IN
= 3V
300
300
200
200
100
V
IN
= 0V
100
V
IN
= 0V
0
4
6
8
10
12
14
16
0
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(V)
温度（℃）
图2-1：
静态电源电流
- 电源电压。
1.6
图2-4：
与温度的关系。
1.6
静态电源电流
T
A
= +25°C
V
供应
= 16V
1.5
1.5
V
门槛
(V)
1.4
V
门槛
(V)
V
IH
V
IH
1.4
1.3
1.3
1.2
V
IL
1.2
V
IL
1.1
4
6
8
10
12
14
16
1.1
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(V)
温度（℃）
图2-2：
电压。
50
40
输入阈值与供应
图2-5：
温度。
50
输入阈值与
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
R
DS -ON
（欧姆）
40
30
R
DS -ON
（欧姆）
30
20
20
T
A
= -40°C
10
0
4
6
8
10
12
14
16
T
A
= +85°C
10
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
0
4
6
8
10
12
14
16
V
DD
(V)
V
DD
(V)
图2-3：
高态输出
电阻与电源电压。
图2-6：
低态输出
电阻与电源电压。
2003 Microchip的技术公司
DS21389C第5页
1
TC1410
TC1410N
0.5A高速MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护................................................ .....为4kV
高峰值输出电流0.5A ...............................
宽工作范围.......................... 4.5V至16V
高容性负载
驱动能力............................ 500pF的在25nsec
短延迟时间.................................. 35nsec典型值
一致的延迟时间的变化
电源电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“ 1 ”输入................................. 500
A
- 对于逻辑“ 0 ”输入................................. 150
A
低输出阻抗..................................... 16
引脚排列相同， TC1411 / 12月13日
概述
在TC1410 / 1410N是0.5V CMOS缓冲器/驱动器。
他们不会自己能力范围内，任何情况下闭锁
和额定电压。它们不受损坏时，
达任一极性的噪声尖峰的5V出现在
接地引脚。他们能够接受，而不会损坏或逻辑混乱，
达任一极性的500mA的电流被强制回
到他们的输出。所有引脚都被充分保护，防止了
4 kV的静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC1410 / 1410N能轻松
在25nsec切换500pF的栅极电容与匹配的上升
时间和下降时间，并在这两个具有足够低的阻抗
在ON和OFF状态，确保MOSFET的
预期国家将不会受到影响，即使是大的瞬变。
上升和下降时间的边缘相匹配，使驾驶
短持续时间的输入，以更高的精度。
2
3
4
5
6
s
s
订购信息
产品型号
包
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
8引脚SOIC
8引脚塑料DIP
销刀豆网络gurations
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
6, 7
8 V
DD
7 OUT
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
0 ° C至+ 70°C
0 ° C至+ 70°C
- 40 ° C至+ 85°C
- 40 ° C至+ 85°C
TC1410
6 OUT
5 GND
TC1410N
6 OUT
5 GND
TC1410COA
TC1410CPA
TC1410EOA
TC1410EPA
TC1410NCOA
TC1410NCPA
TC1410NEOA
TC1410NEPA
反相
同相
NC - 无内部连接
注意：
SOIC引脚排列完全相同畅游。
功能框图
TC1410
反相
输出
V
DD
300mV
产量
同相
输出
7
输入
4.7V
TC1410N
GND
有效
输入
C = 10pF的
TC1410 / N - 8 96年10月15日
8
4-183
TELCOM半导体，INC。的
0.5A高速MOSFET驱动器
TC1410
TC1410N
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压，单位为A或B中。 （V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5.0V ）
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
≤
16V ，除非另外
明智的规定。典型值是在T测
A
= 25°C ; V
DD
=16V.
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
2.0
—
–1
– 10
—
—
—
—
—
—
0.5
—
—
—
—
—
—
16
20
20
0.5
—
—
0.8
1
10
V
0.025
22
28
28
—
—
V
V
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
– 5V
≤
V
IN
≤
V
DD
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
直流测试
直流测试
V
DD
= 16V ，我
O
= 10毫安
T
A
= 25°C
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
DD
– 0.025
T
A
=25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
DD
= 16V
V
I
PK
I
转
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
V
DD
= 16V
占空比
≤
2%
t
≤
300
微秒
图1
A
A
开关时间
（注1 ）
t
R
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
T
A
= 25°C
0°C
≤
T
A
≤
70°C
– 40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
DD
= 16V
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
27
29
25
27
29
30
33
35
30
33
35
0.5
0.1
35
40
40
35
40
40
40
45
45
40
45
45
1.0
0.15
纳秒
t
F
下降时间
图1
纳秒
t
D1
延迟时间
图1
纳秒
t
D2
延迟时间
图1
纳秒
电源
I
S
电源电流
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
mA
注意：
1.切换的时间由设计保证。
4-184
TELCOM半导体，INC。的
TC1410/TC1410N
0.5A高速MOSFET驱动器
特点
闭锁保护：可承受500毫安
反向电流
输入端可承受的负输入至5V
ESD保护： 4 kV的
高峰值输出电流： 0.5A
宽输入电源电压工作范围：
- 4.5V至16V
高容性负载驱动能力：
- 500 pF的25纳秒
短延迟时间： 30纳秒典型。
一致的延迟时间的变化供应
电压
匹配的延迟时间
低电源电流
- 对于逻辑“1”输入： 500 μA
- 对于逻辑“0”输入： 100 μA
低输出阻抗： 16Ω
提供节省空间的8引脚MSOP封装
引脚排列相同， TC1411 / TC1412 / TC1413
概述
在TC1410 / TC1410N是0.5A CMOS缓冲器/驱动器。
他们不会闩锁内的任何条件下其
功率和额定电压。它们不受
受到伤害时的噪声尖峰高达5V两种
极性发生在接地引脚。他们可以接受的，
无损坏或逻辑混乱，最高电流500毫安
任一极性被强制返回到它们的输出。所有
终端完全免受高达4千伏
静电放电。
由于MOSFET驱动器，在TC1410 / TC1410N可以很容易地
在25纳秒与收取500 pF的栅极电容
匹配的上升和下降时间，并提供足够低
同时在“ON”和“OFF”阻抗状态，以确保
MOSFET的预期状态不会受到影响，甚至
大的瞬变。前缘和后缘
传播延迟时间也匹配，以允许
驱动持续时间短的输入，以更大的精确度。
套餐类型
8引脚MSOP / PDIP / SOIC
V
DD
1
IN 2
NC 3
GND 4
2
8
7
6
5
6,7
OUT
OUT
GND
应用
开关模式电源
线路驱动器
脉冲变压器驱动
继电器驱动器
NC 3
GND 4
2
TC1410N
TC1410
V
DD
V
DD
1
IN 2
8 V
DD
7 OUT
6 OUT
5 GND
6,7
反相
NC =无连接
非反相
注意：
重名的引脚必须连接在一起
正确操作。
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21389D第1页
TC1410/TC1410N
1.0
电动
特征
引脚功能表
符号
V
DD
输入
NC
GND
GND
产量
产量
V
DD
控制输入
无连接
地
地
CMOS推挽输出
常见的7针
CMOS推挽输出
常见的6引脚
电源输入， 4.5V至16V
描述
电源输入， 4.5V至16V
绝对最大额定值
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压...................... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
功率耗散（T
A
70°C)
MSOP ................................................. ......... 340毫瓦
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 470毫瓦
存储温度范围.............. -65 ° C至+ 150°C
最高结温...................... + 150°C
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC电气特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
16V.
典型值是在T测
A
= + 25 ° C，V
DD
=
16V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻
V
OH
V
OL
R
O
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
t
R
—
—
—
下降时间
t
F
—
—
—
延迟时间
t
D1
—
—
—
注1 ：
开关时间由设计保证。
25
27
29
25
27
29
30
33
35
35
40
40
35
40
40
40
45
45
纳秒
纳秒
纳秒
T
A
= +25°C
0°CT
A
+70°C
-40°CT
A
+85°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°CT
A
+70°C
-40°CT
A
+85°C,
图4-1
T
A
= +25°C
0°CT
A
+70°C
-40°CT
A
+85°C,
图4-1
I
PK
I
转
—
—
—
—
16
20
20
0.5
0.5
—
0.025
22
28
28
—
—
A
A
V
V
直流测试
直流测试
V
DD
= 16V ，我
O
= 10毫安，T
A
= +25°C
0°CT
A
+70°C
-40°CT
A
+85°C
V
DD
= 16V
值班cycle2 ％ ，T
300
微秒，
V
DD
= 16V
V
IH
V
IL
I
IN
2.0
—
-1
-10
—
—
—
—
—
0.8
1
10
V
V
A
0VV
IN
V
DD,
T
A
= +25°C
-40°CT
A
+85°C
符号
民
典型值
最大
单位
条件
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21389D第3页
TC1410/TC1410N
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，在工作温度范围内具有4.5V
V
DD
16V.
500
T
A
= +25°C
500
V
供应
= 16V
V
IN
= 3V
400
I
供应
(μA)
400
I
供应
(μA)
V
IN
= 3V
300
300
200
200
100
V
IN
= 0V
100
V
IN
= 0V
0
4
6
8
10
12
14
16
0
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(V)
温度（℃）
图2-1：
静态电源电流
- 电源电压。
1.6
图2-4：
与温度的关系。
1.6
静态电源电流
T
A
= +25°C
V
供应
= 16V
1.5
V
门槛
(V)
V
门槛
(V)
1.5
V
IH
1.4
V
IH
1.4
1.3
1.3
1.2
V
IL
1.2
V
IL
1.1
4
6
8
10
12
14
16
1.1
-40
-20
0
20
40
60
80
V
DD
(V)
温度（℃）
图2-2：
电压。
50
40
输入阈值与供应
图2-5：
温度。
50
输入阈值与
T
A
= +85°C
T
A
= +25°C
R
DS -ON
（欧姆）
40
30
R
DS -ON
（欧姆）
30
20
20
T
A
= -40°C
10
0
4
6
8
10
12
14
16
T
A
= +85°C
10
T
A
= +25°C
T
A
= -40°C
0
4
6
8
10
12
14
16
V
DD
(V)
V
DD
(V)
图2-3：
高态输出
电阻与电源电压。
图2-6：
低态输出
电阻与电源电压。
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21389D第5页
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