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TC1313
,500 mA同步降压稳压器,
+ 300毫安LDO
特点
双输出稳压器( 500毫安降压稳压器
300 mA低压降稳压器( LDO ) )
器件总静态电流为57 μA (典型值)
用于降压和LDO独立的关断
输出
两个输出内部补偿
同步降压稳压器:
- 超过90%的典型效率
- 2.0 MHz的固定频率PWM
(重负荷)
- 低输出噪声
- 自动PWM至PFM模式的转换
- 可调节( 0.8V至4.5V )和标准
固定输出电压( 0.8V , 1.2V , 1.5V ,
1.8V, 2.5V, 3.3V)
低压差稳压器:
- 低压差电压= 137 mV的典型@
200毫安
- 标准的固定输出电压
(1.5V, 1.8V, 2.5V, 3.3V)
小型10引脚3×3 DFN或MSOP封装选项
工作结温范围:
- -40 ° C至+ 125°C
欠压锁定(UVLO )
输出短路保护
过温保护
描述
该TC1313器件结合了,500 mA同步
降压型稳压器和300 mA低压降稳压器
器(LDO)提供一种高度集成的解决方案
需要多个电源电压的设备。该
集成降压开关的独特组合
稳压器和低压差线性稳压器提供的
最低系统成本的双输出电压的应用
需要一个较低的处理器的核心电压和一个
较高的偏置电压。
500 mA同步降压稳压器的开关频率为一
2.0 MHz的固定频率,当负荷重,
提供一种低噪音,小尺寸的解决方案。当
负载上的降压输出减少到光的水平,它
器件转换为脉冲频率调制
( PFM )模式,以最大限度地降低静态电流
电池。不干预是必要的顺利
从一种模式到另一种的过渡。
该LDO提供了一个300毫安辅助输出
需要一个1 μF陶瓷输出电容,
最大限度地减少电路板面积和成本。典型的压差
电压LDO输出为137毫伏电流为200 mA
负载。
该TC1313器件无论是在10引脚DFN封装可
或MSOP封装。
其他保护功能包括:欠压锁定,
过热和过流保护两种保护
输出。
对于TC1313标准件的完整列表,
请咨询您的Microchip代表。
应用
手机
手提电脑
USB供电的设备
手持式医疗仪器
组织者和掌上电脑
套餐类型
10引线DFN *
SHDN2
1
V
IN2
2
V
OUT2
3
NC
4
A
GND
5
10
P
GND
EP
11
9
L
X
8
V
IN1
7
SHDN1
6
V
FB1
/V
OUT1
10
P
GND
9
8
7
10引脚MSOP
SHDN2
1
V
IN2
2
V
OUT2
3
NC
4
A
GND
5
L
X
V
IN1
SHDN1
6
V
FB1
/V
OUT1
*包括裸露的散热焊盘( EP ) ;看
表3-1 。
2009年Microchip的科技公司
DS21974B第1页
TC1313
功能框图
V
REF
欠压锁定
( UVLO )
UVLO
同步降压稳压器
V
IN1
PDRV
L
X
SHDN1
控制
司机
NDRV
P
GND
P
GND
V
OUT1
/V
FB1
V
IN2
P
GND
A
GND
V
REF
UVLO
V
OUT2
LDO
SHDN2
A
GND
DS21974B第2页
2009年Microchip的科技公司
TC1313
典型应用电路
TC1313
固定输出应用
10引脚MSOP
V
IN
2.7V至4.2V
4.7 F
4.7 H
8
2
7
1
4
V
IN1
V
IN2
SHDN1
SHDN2
NC
L
X
V
OUT1
V
OUT2
A
GND
9
4.7 F
P
GND
10
6
3
5
1 F
V
OUT2
2.5V @ 300毫安
V
OUT1
1.5V @ 500毫安
TC1313
可调输出应用
10引线DFN
输入
电压
4.5V至5.5V
*可选
电容
V
IN2
V
IN1
8
2
7
1
4
EP
11
9
10
6
3
5
L
X
P
GND
V
OUT1
V
OUT2
A
GND
4.7 H
4.7 F
200 k
V
OUT2
1 F
3.3V @
300毫安
4.99 k
33 pF的
121 k
V
OUT1
2.1V @
500毫安
4.7 F
V
IN2
SHDN1
1.0 F
SHDN2
NC
注意:
连接DFN封装裸露焊盘到A
GND
.
2009年Microchip的科技公司
DS21974B第3页
TC1313
注意事项:
DS21974B第4页
2009年Microchip的科技公司
TC1313
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
IN
- A
GND
......................................................................6.0V
所有其它I / O ............................... (A
GND
- 0.3V )至(v
IN
+ 0.3V)
L
X
以P
GND
...............................................- 0.3V到(Ⅴ
IN
+ 0.3V)
P
GND
到A
GND
.................................................. -0.3V至+ 0.3V
输出短路电流连续................................
功率耗散(注
7)
..........................内部限制
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。与电源应用................- 40 ° C至+ 85°C
工作结温...................- 40 ° C至+ 125°C
所有引脚的ESD保护( HBM )
.......................................
3千伏
DC特性
电气特性:
V
IN1
= V
IN2
= SHDN1,2 = 3.6V ,C
OUT1
= C
IN
= 4.7 μF ,C
OUT2
= 1μF , L = 4.7 μH ,V
OUT1
( ADJ ) = 1.8V ,
I
OUT1
= 100毫安,我
OUT2
= 0.1毫安牛逼
A
= +25°C.
粗体
规格适用于经t
A
范围
-40 ° C至+ 85°C 。
参数
输入/输出特性
输入电压
最大输出电流
最大输出电流
关断电流
组合V
IN1
和V
IN2
当前
我的操作
Q
同步降压我
Q
我LDO
Q
SHDN1,SHDN2,
逻辑输入电压低
SHDN1,SHDN2,
逻辑输入电压高
SHDN1,SHDN2,
输入漏电流
热关断
热关断迟滞
欠压锁定
(V
OUT1
和V
OUT2
)
欠压闭锁滞后
注1 :
2:
3:
4:
5:
6:
V
IL
V
IH
I
IN
V
IN
I
OUT1_MAX
I
OUT2_MAX
I
IN_SHDN
I
Q
2.7
500
300
45
-1.0
0.05
57
38
44
±0.01
5.5
1
100
15
1.0
V
mA
mA
A
A
A
A
%V
IN
%V
IN
A
注1 ,注2 ,注8
注1
注1
SHDN1 = SHDN2 = GND
SHDN1 = SHDN2 = V
IN2
I
OUT1
= 0 mA时,我
OUT2
= 0毫安
SHDN1 = V
IN
, SHDN2 = GND
SHDN1 = GND , SHDN2 = V
IN2
V
IN1
= V
IN2
= 2.7V至5.5V
V
IN1
= V
IN2
= 2.7V至5.5V
V
IN1
= V
IN2
= 2.7V至5.5V
SHDNX = GND
SHDNY = V
IN
注6 ,注7
V
IN1
落下
符号
典型值
最大
单位
条件
停机/ UVLO /热关断特性
T
SHD
T
SHD- HYS
UVLO
UVLO
-
HYS
2.4
165
10
2.55
200
2.7
°C
°C
V
mV
7:
8:
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
RX
+ V
差,
V
RX
= V
R1
或V
R2
.
V
RX
是稳压器输出电压设定。
TCV
OUT2
= ((V
OUT2max
– V
OUT2min
) * 10
6
)/(V
OUT2
* D
T
).
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。
电压差定义为输入 - 输出电压差,当输出电压下降到低于2%,其
在1V的差分测量的标称值。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和结点到空气热阻。 (即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。
集成的MOSFET开关从L一体化二极管
X
引脚到V
IN
和由L-
X
以P
GND
。的情况下
这些二极管正向偏置时,封装的功耗限制,必须坚持。热保护是不
能够限制结温为这些情况。
V
IN1
和V
IN2
用相同的输入源被提供。
2009年Microchip的科技公司
DS21974B第5页
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