M
特点
四个独立的150毫安的LDO
低电源电流（ 220μA的典型值）
高精度输出电压（典型值为0.5％ ）
低压差（ 100mV的典型用
150毫安负载）
四个独立的关断输入
选择模式
：可选的输出电压
高设计灵活性
集成独立的微处理器复位
低噪声输出
从关断的快速响应（ 10微秒典型值）
复位输出为低电池电量检测或复位
发电机
过流和过温保护
小尺寸16引脚QSOP封装
指定的结温范围：
- -40 ° C至+ 125°C
TC1307
所有四个LDO具有独立的关断输入，
可以使用两个选择输入使编程
TC1307适用于各种多输出
应用程序。三态SELECT12输入引脚允许
设计师选择在V的输出电压
OUT1
,
和V
OUT2
从三个不同的值（ 2.5V， 2.8V或
3.0V ） 。三态SELECT34输入引脚允许
设计师选择在V的输出电压
OUT3
和
V
OUT4
从三个不同的值（ 1.8V，2.5V或2.8V ） 。
所有四个LDO的只需要一个1 μF输出电容
稳定，可以是陶瓷电容，钽电容和铝
在整个输入电压的工作范围和0毫安
150 mA额定负载范围内。所有四个LDO具有低
输出噪声和出色的动态响应时
面对突如其来的线路和负载变化。
电压检测引脚设置为2.63V的阈值
（典型值） ，工作降低到最小输入电压
的1.0V 。当在检测引脚上的电压高于上升
在2.63V阈值时，复位输出保持低电平
300毫秒（典型值） 。
集成的其它功能包括过流亲
tection和过温保护，提供全
防止外部负载故障。
四通道CMOS LDO与选择模式，关断和
独立的复位
应用
电池供电系统
食计算机
机顶盒
负载分区
医疗器械
移动/ GSM / PHS手机
仪器仪表
线性稳压后为SMPS
寻呼机
封装类型
QSOP
V
DET
SHDN1
SELECT12
V
IN
V
IN
GND
SHDN3
V
IN
1
2
3
4
TC1307
5
6
7
8
12
V
OUT
3
11
V
OUT
4
10
SELECT34
9
16
RESET
15
SHDN2
14
V
OUT
1
13
V
OUT
2
描述
该TC1307 ，将四个CMOS低压差线性
稳压器在空间 - 微控制器监视器
节省16引脚QSOP封装。专门开发
用于电池供电的便携式应用中，所有4个输出
在TC1307的看跌期权通常消耗共有220 μA
供应电流，以保持输出电压的公差
0.5 ％ ，并要求净空高度监管的100毫伏的
为150毫安的最大输出电流。此外
四个高性能LDO时， TC1307还
包括与延迟复位输出的电压检测器
把那个可以为低电池电量检测进行配置或
单片机复位发生器。
SHDN4
2002年Microchip的科技公司
DS21702A第1页
TC1307
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
引脚功能表
名字
V
DET
SHDN1
SELECT12
V
IN
V
IN
GND
SHDN3
V
IN
SHDN4
SELECT34
V
OUT4
V
OUT3
V
OUT2
V
OUT1
SHDN2
RESET
功能
电压检测输入
停产V
OUT1
输入用于设置V
OUT1
和V
OUT2.
输入电压连接
输入电压连接
接地连接
停产V
OUT3
输入电压连接
停产V
OUT4
输入用于设置V
OUT3
和V
OUT4.
LDO4输出
LDO3输出
LDO2输出
LDO1输出
停产V
OUT2
复位输出
V
DD..............................................................................
6.5V
所有输入和输出w.r.t. ....... ... V
IN
+ 0.3V至-0.3V
输出短路电流...... ...............连续
存储温度.................... ... -65 ° C至+ 150°C
工作结温，
T
J
.................................................. -40°C <牛逼
J
< + 150°C
最高结温，T
J
..................150°C
所有引脚的ESD保护................................... ≥ 4 kV的
*注意：
上面讲的那些最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或任何其他条件超出上述
本说明书中的操作列表说明
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
长时间可能会影响器件的可靠性。
电气特性
除非另有说明，所有参数适用于V
IN
= V
R
+1, I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25°C.
粗体
参数值适用于结温，T
J
（注
9)
-40 ° C至+ 125°C 。
参数
输入特性：
输入工作电压
输入静态电流
输入关断电流
输出特性：
最大输出电流
输出短路电流
（平均）
电压调节
LDO1/LDO2/LDO3/LDO4
I
OUT_MAX
I
OUT_SC
V
OUT
150
—
360
—
—
V
R
+2.5%
mA
mA
V
V
OUT
= 0V
注2
V
IN
I
IN
I
IN_SHDN
2.7
—
—
—
220
0.1
6.0
370
0.5
V
A
A
注1
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
符号
民
典型值
最大
单位
条件
V
R
-2.5%
V
R
±0.5
注1 ：
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V
和V
IN
≥
(V
R
+ 2.5%)
+
V
降
.
2:
V
R
是标称调节器的输出电压。例如： V
R
= 1.8V ， 2.5V ， 2.8V或3.0V 。
3:
TCV
OUT
= (V
OUT-高
- V
OUT-低
)
*
10
6
/ (V
R
*
Temperature ）
V
OUT-高
=
测过温度最高电压
TURE范围。 V
OUT-低
=测得在温度范围的最低电压。
4:
负载调整率的测量是在使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载调整率
测试负载范围从1mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
使用热稳定度规范TCV确定影响
OUT
.
5:
热稳定度定义为在时间t的输出电压的变化在功耗变化后的应用。
规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6.0V为T = 10毫秒。
6:
压差德网络定义为输入，输出差分，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
应用了1V差。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和结点到空气热阻。 （即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化将导致器件的工作结温超过150 ℃的评级。持续的结
温度高于150 ° C可能影响器件的可靠性。
8:
V
TH-分钟
= 2.55V和V
TH -MAX
= 2.70V.
9:
结温度是通过在环境温度等于被测浸泡设备近似
期望的结温。由于测试时间足够短，上升的结温超过雄心
耳鼻喉科温度不显著。
DS21702A第2页
2002年Microchip的科技公司
TC1307
除非另有说明，所有参数适用于V
IN
= V
R
+1, I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25°C.
粗体
参数值适用于结温，T
J
（注
9)
-40 ° C至+ 125°C 。
参数
VOUT温度系数
LDO1/LDO2/LDO3/LDO4
线路调整LDO1 / LDO2 /
LDO3/LDO4
负载调整率
LDO1/LDO2/LDO3/LDO4
热调节
LDO1/LDO2/LDO3/LDO4
输入输出电压差
LDO1/LDO2/LDO3/LDO4
符号
TCV
OUT
V
OUT
/(V
OUT
X = V
IN
)
V
OUT
/V
OUT
V
OUT
/P
D
V
IN
-V
OUT
民
—
—
—
—
—
—
—
—
输出噪声
LDO1/LDO2/LDO3/LDO4
热关断保护
热关断迟滞
e
N
—
典型值
20
40
0.05
—
0.04
2
15
35
100
1.2
最大
—
0.2
2.0
—
—
—
90
280
—
μV/ （赫兹）
½
单位
PPM /°C的
注3
%/V
%
V / W
mV
条件
(V
R
+1)
≤
V
IN
≤
6.0V
I
L
= 0.1 mA至我
OUT_MAX
注4
注5
I
L
= 100 A,
注6
I
L
= 20毫安，
注6
I
L
= 50毫安，
注6
I
L
= 150毫安，
注6
I
OUT
= 100 mA时， F = 10千赫
C
OUT
= 1 μF噪声
注7：
过温保护特性：
T
SD
Tsd
V
IH
V
IL
t
WK
—
—
60
—
—
150
10
—
—
10
—
—
—
15
—
°C
°C
％V的
IN
V
IN
= 2.7V至6.0V
％V的
IN
V
IN
= 2.7V至6.0V
微秒
V
IN
= 5V ，我
L
= 100毫安，
C
OUT
= 1 μF ，C
IN
= 1 F,
参见图4-1
V
IN
= 5V ，我
L
= 100毫安，
C
OUT
= 1 μF ，C
IN
= 1 F,
参见图4-1
V
SHDN
= V
IN
或GND
V
IN
= 2.7V至6.0V
V
IN
= 2.7V至6.0V
V
SELECT
= V
IN
V
SELECT
= GND
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
SHDN输入特性：
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
唤醒时间
（从SHDN模式）
建立时间
（从SHDN模式）
关断电流
选择输入特性：
选择输入高门槛
选择输入阈值低
选择输入漏
当前
复位输出特性：
检测工作
电压范围
V
DET
1.0
1.2
—
—
6.0
6.0
V
V
SELH
V
卖
I
SELECT
V
IN
-0.2
—
—
—
—
—
±0.11
±0.06
—
0.2
—
—
V
V
A
t
S
—
40
—
微秒
I
SHDN
—
±0.01
—
nA
注1 ：
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V
和V
IN
≥
(V
R
+ 2.5%)
+
V
降
.
2:
V
R
是标称调节器的输出电压。例如： V
R
= 1.8V ， 2.5V ， 2.8V或3.0V 。
3:
TCV
OUT
= (V
OUT-高
- V
OUT-低
)
*
10
6
/ (V
R
*
Temperature ）
V
OUT-高
=
测过温度最高电压
TURE范围。 V
OUT-低
=测得在温度范围的最低电压。
4:
负载调整率的测量是在使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载调整率
测试负载范围从1mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
使用热稳定度规范TCV确定影响
OUT
.
5:
热稳定度定义为在时间t的输出电压的变化在功耗变化后的应用。
规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6.0V为T = 10毫秒。
6:
压差德网络定义为输入，输出差分，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
应用了1V差。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和结点到空气热阻。 （即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化将导致器件的工作结温超过150 ℃的评级。持续的结
温度高于150 ° C可能影响器件的可靠性。
8:
V
TH-分钟
= 2.55V和V
TH -MAX
= 2.70V.
9:
结温度是通过在环境温度等于被测浸泡设备近似
期望的结温。由于测试时间足够短，上升的结温超过雄心
耳鼻喉科温度不显著。
2002年Microchip的科技公司
DS21702A第3页
TC1307
除非另有说明，所有参数适用于V
IN
= V
R
+1, I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25°C.
粗体
参数值适用于结温，T
J
（注
9)
-40 ° C至+ 125°C 。
参数
复位门限电压
符号
V
TH
民
2.59
2.55
—
—
—
140
—
—
—
RESET输出电压高
V
OH- RES
0.8*V
DET
V
DET
-
1.5V
典型值
2.63
—
20
30
135
300
—
—
—
—
最大
2.66
2.70
40
—
—
560
0.3
0.4
0.3
—
V
单位
V
V
A
PPM /°C的
微秒
毫秒
V
V
DET
= V
TH
到V
TH
- 100 mV时，
参见图4-2
参见图4-2
V
DET
= V
TH-分钟
I
SINK
= 1.2毫安
V
DET
= V
TH-分钟
I
SINK
= 3.2毫安
V
DET
>我1.0V
SINK
= 50 A
注8 ，
参见图4-2
I
来源
= 500 A
ISOURCE = 800 μA
V
DET
＆ GT ; V
TH -MAX
（这两种情况） ，
参见图4-2
条件
T
A
= +25°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
参见图4-2
RESET =打开
复位电路电源电流
复位门限电压
温度COEF网络cient
检测阈值来复位
活动时间延迟
复位超时周期
RESET输出电压低
I
VDET
V
TH- TEMP
T
VDET -RESET
T
RESET
V
OL- RES
温度范围：
最高结温
范围
最高结温
范围
存储温度范围
封装热阻：
热阻，16 - QSOP
θ
JA
—
112.4
—
° C / W
EIA / JEDEC JESD51-751-7
4层板
T
J
T
J
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+150
+125
+150
°C
°C
°C
注1 ：
最小V
IN
必须满足两个条件： V
IN
≥
2.7V
和V
IN
≥
(V
R
+ 2.5%)
+
V
降
.
2:
V
R
是标称调节器的输出电压。例如： V
R
= 1.8V ， 2.5V ， 2.8V或3.0V 。
3:
TCV
OUT
= (V
OUT-高
- V
OUT-低
)
*
10
6
/ (V
R
*
Temperature ）
V
OUT-高
=
测过温度最高电压
TURE范围。 V
OUT-低
=测得在温度范围的最低电压。
4:
负载调整率的测量是在使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载调整率
测试负载范围从1mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
使用热稳定度规范TCV确定影响
OUT
.
5:
热稳定度定义为在时间t的输出电压的变化在功耗变化后的应用。
规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6.0V为T = 10毫秒。
6:
压差德网络定义为输入，输出差分，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
应用了1V差。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和结点到空气热阻。 （即牛逼
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化将导致器件的工作结温超过150 ℃的评级。持续的结
温度高于150 ° C可能影响器件的可靠性。
8:
V
TH-分钟
= 2.55V和V
TH -MAX
= 2.70V.
9:
结温度是通过在环境温度等于被测浸泡设备近似
期望的结温。由于测试时间足够短，上升的结温超过雄心
耳鼻喉科温度不显著。
DS21702A第4页
2002年Microchip的科技公司
TC1307
2.0
注意：
典型性能特性
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
IN
= 3.8V ，C
IN
= 10 μF陶瓷（ X5R ） ，C
OUT
= 1 μF陶瓷电容（ X5R ） ，我
负载
= 100 A,
SELECT12 = NC ， SELECT34 = V
IN
， SHDN1 / 2 /3/4 = V
IN，
T
A
= 25°C.
结温（T
J
）通过在环境温度等于被测浸泡设备近似
所需的结温。由于测试时间足够短，上升的结温超过
环境温度不显著。
1.830
V
IN
= 2.8V
3.000
2.998
2.996
T
J
= +125°C
T
J
= +25°C
V
IN
= 4.0V
T
J
= +125°C
1.825
输出电压（V）
1.820
1.815
输出电压（V）
2.994
2.992
2.990
2.988
2.986
2.984
2.982
2.980
2.978
T
J
= -40°C
T
J
= +25°C
T
J
= -40°C
1.810
1.805
1.800
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
负载电流（mA ）
图2-1：
2.508
2.506
2.504
V
OUT
与负载电流。
图2-4：
1.816
V
OUT
与负载电流。
V
IN
= 3.5V
I
负载
= 100 A
1.814
T
J
= +125°C
T
J
= +125°C
输出电压（V）
输出电压（V）
2.502
2.500
2.498
2.496
2.494
2.492
2.490
2.488
0
25
50
1.812
1.810
1.808
1.806
1.804
1.802
T
J
= -40°C
T
J
= +25°C
T
J
= +25°C
T
J
= -40°C
75
100
125
150
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.2
4.5
4.8
5.1
5.4
5.7
6.0
负载电流（mA ）
输入电压（ V）
图2-2：
2.805
V
OUT
与负载电流。
图2-5：
2.502
V
OUT
- 输入电压。
V
IN
= 3.8V
T
J
= +125°C
I
负载
= 100 A
2.8
2.5
输出电压（V）
输出电压（V）
2.498
2.496
2.494
2.492
2.49
2.488
T
J
= +125°C
2.795
T
J
= +25°C
T
J
= -40°C
T
J
= +25°C
2.79
2.785
T
J
= -40°C
2.78
0
25
50
75
100
125
150
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.2
4.5
4.8
5.1
5.4
5.7
6.0
负载电流（mA ）
输入电压（ V）
图2-3：
V
OUT
与负载电流。
图2-6：
V
OUT
- 输入电压。
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QQ：2880707522 复制
