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TC1301A/B
双路LDO与微控制器复位功能
特点
双输出LDO与单片机的复位
监视功能:
- V
OUT1
= 1.5V至3.3V @ 300毫安
- V
OUT2
= 1.5V至3.3V @ 150毫安
- V
RESET
= 2.20V到3.20V
输出电压和复位门限电压
可选项(见表8-1 )
低压差电压:
- V
OUT1
= 104 mV的@ 300 mA,典型值
- V
OUT2
= 150 mV的在150 mA,典型值
低电源电流: 116 μA ,典型
有两种可用的输出电压TC1301A / B
参考旁路输入为低噪声工作
两个输出电压的稳定与最低
1 μF陶瓷输出电容
独立的输入复位检测值
(TC1301A)
独立的V
OUT1
和V
OUT2
SHDN引脚
(TC1301B)
RESET输出持续时间: 300毫秒。典型
节能关断操作模式
唤醒从SHDN : 5.3微秒。典型
小型8引脚DFN和MSOP封装选项
工作结温范围:
- -40 ° C至+ 125°C
过热和过流保护
描述
该TC1301A / B将两个低压降( LDO )
监管机构和一个微控制器复位功能成
单一8引脚MSOP或DFN封装。两个稳压器
输出采用低压差104毫伏
@ 300 mA电流V
OUT1
, 150毫伏在150 mA电流V
OUT2
,
低静态电流消耗, 58每一个μA
0.5 %的典型调节精度。有几个固定
输出电压和检测器的电压的组合是
可用。参考旁路引脚可进一步
降低输出噪声,改善供电
两个LDO的抑制比。
该TC1301A / B是稳定的所有线路和负载
用最少的陶瓷输出1 μF的条件
电容,并利用独特的补偿
方案提供快速的动态响应突发
线路电压和负载电流的变化。
对于TC1301A ,微控制器复位功能
这两个操作的V独立
OUT1
和V
OUT2
。该
输入到复位功能被连接至V
DET
口来SHDN2销用于控制的输出
V
OUT2
只。 V
OUT1
将电源上下V
IN
.
在TC1301B的情况下,该检测的电压输入
复位功能,在内部连接到V
OUT1
.
双方V
OUT1
和V
OUT2
具有独立的关断
能力。
其他功能还包括过流限制和
即,当结合过热保护,
提供了一个强大的设计在所有负载故障情况。
应用
移动/ GSM / PHS手机
电池供电系统
手持式医疗仪器
便携式笔记本电脑/掌上电脑
线性后稳压开关电源
寻呼机
封装类型
8引脚DFN / MSOP
TC1301A
DFN8
RESET 1
V
OUT1
2
GND 3
BYPASS 4
8 V
DET
7 V
IN
6 V
OUT2
5 SHDN2
RESET 1
V
OUT1
2
GND 3
BYPASS 4
MSOP8
8 V
DET
7 V
IN
6 V
OUT2
5 SHDN2
相关文献
AN765 , “使用Microchip的微功率LDO的”
DS00765 ,微芯科技公司, 2002年
AN766 , “引脚兼容的CMOS升级到
双极型LDO “ , DS00766 ,微芯科技
公司2002年
AN792 , “一种方法来确定有多少
电源采用SOT23可以消散的应用程序“ ,
DS00792 ,微芯科技公司, 2001年
TC1301B
DFN8
RESET 1
V
OUT1
2
GND 3
BYPASS 4
8 SHDN1
7 V
IN
6 V
OUT2
5 SHDN2
RESET 1
V
OUT1
2
GND 3
BYPASS 4
MSOP8
8 SHDN1
7 V
IN
6 V
OUT2
5 SHDN2
2005年Microchip的科技公司
DS21798B第1页
TC1301A/B
功能方框图
TC1301A
V
IN
LDO # 1
300毫安
V
OUT1
V
IN
SHDN1
LDO # 1
300毫安
TC1301B
V
OUT1
V
OUT2
SHDN2
LDO # 2
150毫安
SHDN2
LDO # 2
150毫安
V
OUT2
绕行
绕行
V
DET
RESET
V
OUT1
RESET
2.7V
to
4.2V
电池
C
IN
1 F
2.7V
to
4.2V
GND
带隙
参考
1.2V
GND
带隙
参考
1.2V
门槛
探测器
延时
300毫秒(典型值)
V
DET
门槛
探测器
延时
300毫秒,典型值
典型应用电路
TC1301A
系统复位
2.8V @ 300毫安
C
OUT1
1 μF陶瓷
X5R
C
绕行
10 nF的陶瓷
(注)
1
RESET
V
DET
8
V
IN
7
V
OUT2
6 2.6V @ 150毫安
5
电池
C
IN
1 F
2 V
OUT1
3
4
GND
绕道SHDN2
C
OUT2
1 μF陶瓷
X5R
ON / OFF控制V
OUT2
ON / OFF控制V
OUT1
TC1301B
系统复位
2.8V @ 300毫安
C
OUT1
1 μF陶瓷
X5R
1
RESET SHDN1
8
2 V
OUT1
3
4
GND
V
IN
7
V
OUT2
6 2.6V @ 150毫安
5
绕道SHDN2
C
OUT2
1 μF陶瓷
X5R
注意:
C
绕行
可选
ON / OFF控制V
OUT2
DS21798B第2页
2005年Microchip的科技公司
TC1301A/B
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................6.5V
任何引脚...... ( V最大电压
SS
- 0.3 )至(Ⅴ
IN
+ 0.3)V
功耗..........................内部限制
(注7 )
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温,T
J
........................... +150°C
连续工作温度范围..- 40 ° C至+ 125°C
所有引脚, HBM , MM ESD保护
.....................
4千伏, 400伏
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 100 μA ,C
IN
= 4.7 μF ,C
OUT1
= C
OUT2
= 1 F,
C
绕行
= 10nF的, SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
最大输出电流
输出电压容差
(V
OUT1
和V
OUT2
)
温度COEF网络cient
(V
OUT1
和V
OUT2
)
线路调整
(V
OUT1
和V
OUT2
)
负载调整率,V
OUT
2.5V
(V
OUT1
和V
OUT2
)
负载调整率,V
OUT
& LT ; 2.5V
(V
OUT1
和V
OUT2
)
热调节
输入输出电压差(注6 )
V
OUT1
2.7V
V
OUT2
2.6V
电源电流
TC1301A
TC1301B
注1 :
2:
3:
4:
I
(一)
I
在(B)中
103
114
180
180
A
A
SHDN2 = V
IN
, V
DET
=开,
I
OUT1
= I
OUT2
= 0毫安
SHDN1 = SHDN2 = V
IN
,
I
OUT1
= I
OUT2
= 0毫安
V
IN
– V
OUT
V
IN
– V
OUT
104
150
180
250
mV
mV
I
OUT1
= 300毫安
I
OUT2
= 150毫安
符号
V
IN
I
OUT1Max
I
OUT2Max
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
ΔV
OUT
/
V
OUT
ΔV
OUT
/
V
OUT
ΔV
OUT
/ΔP
D
2.7
300
150
典型值
最大
6.0
单位
V
mA
mA
%
PPM /°C的
%/V
%
%
%/W
注1
V
IN
= 2.7V至6.0V
(注1 )
V
IN
= 2.7V至6.0V
(注1 )
注2
注3
(V
R
+1V)
V
IN
6V
I
的OUTx
= 0.1 mA至我
OUTMAX
(注4 )
I
的OUTx
= 0.1 mA至我
OUTMAX
(注4 )
注5
条件
V
R
– 2.5
V
R
±0.5
V
R
+ 2.5
-1
-1.5
25
0.02
0.1
0.1
0.04
0.2
+1
+1.5
5:
6:
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
+ V
.
V
R
被定义为在两个调节器的标称输出电压(V越高
OUT1
或V
OUT2
).
TCV
OUT
= ((V
OUTMAX
- V
outmin
) * 10
6
)/(V
OUT
*
ΔT).
调节时使用低占空比脉冲测试测量结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ,
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V时
T = 10毫秒。
电压差定义为输入至输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其价值
在1V的差分测量。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和热敏电阻从结到空气(即T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热导致器件启动热关断
.
7:
2005年Microchip的科技公司
DS21798B第3页
TC1301A/B
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 100 μA ,C
IN
= 4.7 μF ,C
OUT1
= C
OUT2
= 1 F,
C
绕行
= 10nF的, SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
关断电源电流
TC1301A
关断电源电流
TC1301B
电源抑制比
输出噪声
符号
I
IN_SHDNA
I
IN_SHDNB
PSRR
eN
典型值
58
0.1
58
830
最大
90
1
单位
A
A
dB
内华达州/ (赫兹)
½
条件
SHDN2 = GND ,V
DET
=打开
SHDN1 = SHDN2 = GND
f
100Hz时,我
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安,
C
IN
= 0 F
f
1 kHz时,我
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安,
C
IN
= 0 F
R
LOAD1
R
LOAD2
V
IN
= 2.7V至6.0V
V
IN
= 2.7V至6.0V
V
IN
= 5V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 30毫安,
参见图5-1
V
IN
= 5V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安,
参见图5-2
V
IN
= 5V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 100 A
V
IN
= 5V
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
输出短路电流(平均值)
V
OUT1
V
OUT2
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
唤醒时间(从SHDN
模式),(Ⅴ
OUT2
)
稳定时间(从SHDN模式) ,
(V
OUT2
)
热关断模
温度
热关断迟滞
电压范围
I
OUTSC
I
OUTSC
V
IH
V
IL
t
WK
t
S
T
SD
T
HYS
V
DET
45
1.0
1.2
200
140
5.3
50
150
10
15
20
6.0
6.0
mA
mA
%V
IN
%V
IN
s
s
°C
°C
V
复位门限
V
TH
ΔV
TH
/ΔT
t
RPD
t
RPU
-1.4
-2.8
30
180
300
+1.4
+2.8
560
%
%
PPM /°C的
s
ms
V
DET
= V
TH
到(Ⅴ
TH
= 100毫伏) ,
参见图5-3
V
DET
= V
TH
- 100 mV至V
TH
+ 100 mV时,
I
SINK
= 1.2毫安,
参见图5-3 。
V
DET
= V
THmin
, I
SINK
= 1.2毫安,
I
SINK
= 100 μA的V
DET
& LT ; 1.8V ,
参见图5-3
V
DET
& GT ; V
thmax
, I
来源
= 500 A,
参见图5-3
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
复位门限温度系数
V
DET
复位延时
重置激活的超时时间
140
RESET输出电压低
V
OL
0.9
V
DET
0.2
V
RESET输出电压高
注1 :
2:
3:
4:
V
OH
V
5:
6:
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
+ V
.
V
R
被定义为在两个调节器的标称输出电压(V越高
OUT1
或V
OUT2
).
TCV
OUT
= ((V
OUTMAX
- V
outmin
) * 10
6
)/(V
OUT
*
ΔT).
调节时使用低占空比脉冲测试测量结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ,
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V时
T = 10毫秒。
电压差定义为输入至输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其价值
在1V的差分测量。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和热敏电阻从结到空气(即T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热导致器件启动热关断
.
7:
DS21798B第4页
2005年Microchip的科技公司
TC1301A/B
温度参数
电气连接特定的阳离子:
V :除非另有说明,所有参数适用于指定
IN
= + 2.7V至+ 6.0V 。
参数
温度范围
工作结温
范围
存储温度范围
最高结温
封装热阻
热阻, MSOP8
热阻, DFN8
θ
JA
θ
JA
208
41
° C / W典型4层电路板
° C / W典型4层板带通孔
T
A
T
A
T
J
-40
-65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
短暂
稳定状态
符号
典型值
最大
单位
条件
2005年Microchip的科技公司
DS21798B第5页
TC1301A/B
双路LDO与微控制器复位功能
特点
双输出LDO与单片机的复位
监视功能:
- V
OUT1
= 1.5V至3.3V @ 300毫安
- V
OUT2
= 1.5V至3.3V @ 150毫安
- V
RESET
= 2.20V到3.20V
输出电压和复位门限电压
可用选项(参见
表8-1 )
低压差电压:
- V
OUT1
= 104 mV的@ 300 mA(典型值)
- V
OUT2
= 150 mV的在150毫安(典型值)
低电源电流: 116 μA (典型值) ,
有两种可用的输出电压TC1301A / B
参考旁路输入为低噪声工作
两个输出电压的稳定与最低
1 μF陶瓷输出电容
独立的输入复位检测值
(TC1301A)
独立的V
OUT1
和V
OUT2
SHDN引脚
(TC1301B)
RESET输出持续时间: 300毫秒(典型值)
节能关断操作模式
唤醒从SHDN : 5.3 μs(典型值)
小型8引脚DFN和MSOP封装选项
工作结温范围:
- -40 ° C至+ 125°C
过热和过流保护
描述
该TC1301A / B将两个低压降( LDO )
监管机构和一个微控制器复位功能成
单一8引脚MSOP或DFN封装。两个稳压器
输出采用低压差104毫伏
@ 300 mA电流V
OUT1
, 150毫伏在150 mA电流V
OUT2
,
低静态电流消耗, 58每一个μA
0.5 %的典型调节精度。有几个固定
输出电压和检测器的电压的组合是
可用。参考旁路引脚可进一步
降低输出噪声,改善供电
两个LDO的抑制比。
该TC1301A / B是稳定的所有线路和负载
用最少的陶瓷输出1 μF的条件
电容,并利用独特的补偿
方案提供快速的动态响应突发
线路电压和负载电流的变化。
对于TC1301A ,微控制器复位功能
这两个操作的V独立
OUT1
和V
OUT2
。该
输入到复位功能被连接至V
DET
口来SHDN2销用于控制的输出
V
OUT2
只。 V
OUT1
将电源上下V
IN
.
在TC1301B的情况下,该检测的电压输入
复位功能,在内部连接到V
OUT1
.
双方V
OUT1
和V
OUT2
具有独立的关断
能力。
其他功能还包括过流限制和
即,当结合过热保护,
提供了一个强大的设计在所有负载故障情况。
应用
移动/ GSM / PHS手机
电池供电系统
手持式医疗仪器
便携式笔记本电脑/掌上电脑
线性后稳压开关电源
寻呼机
封装类型
8引脚DFN / MSOP
TC1301A
DFN8
RESET 1
V
OUT1
2
GND 3
BYPASS 4
8 V
DET
7 V
IN
6 V
OUT2
5 SHDN2
RESET 1
V
OUT1
2
GND 3
BYPASS 4
MSOP8
8 V
DET
7 V
IN
6 V
OUT2
5 SHDN2
相关文献
AN765 , “使用Microchip的微功率LDO的”
DS00765 ,微芯科技公司, 2002年
AN766 , “引脚兼容的CMOS升级到
双极型LDO “ , DS00766 ,微芯科技
公司2002年
AN792 , “一种方法来确定有多少
电源采用SOT23可以消散的应用程序“ ,
DS00792 ,微芯科技公司, 2001年
TC1301B
DFN8
RESET 1
V
OUT1
2
GND 3
BYPASS 4
8 SHDN1
7 V
IN
6 V
OUT2
5 SHDN2
RESET 1
V
OUT1
2
GND 3
BYPASS 4
MSOP8
8 SHDN1
7 V
IN
6 V
OUT2
5 SHDN2
2008 Microchip的技术公司
DS21798C第1页
TC1301A/B
功能方框图
TC1301A
V
IN
LDO # 1
300毫安
V
OUT1
V
IN
SHDN1
LDO # 1
300毫安
TC1301B
V
OUT1
V
OUT2
SHDN2
LDO # 2
150毫安
SHDN2
LDO # 2
150毫安
V
OUT2
绕行
绕行
V
DET
RESET
V
OUT1
RESET
2.7V
to
4.2V
电池
C
IN
1 F
2.7V
to
4.2V
GND
带隙
参考
1.2V
GND
带隙
参考
1.2V
门槛
探测器
延时
300毫秒(典型值)
V
DET
门槛
探测器
延时
300毫秒,典型值
典型应用电路
TC1301A
系统复位
2.8V @ 300毫安
C
OUT1
1 μF陶瓷
X5R
C
绕行
10 nF的陶瓷
(注)
1
RESET
V
DET
8
V
IN
7
V
OUT2
6 2.6V @ 150毫安
5
电池
C
IN
1 F
2 V
OUT1
3
4
GND
绕道SHDN2
C
OUT2
1 μF陶瓷
X5R
ON / OFF控制V
OUT2
ON / OFF控制V
OUT1
TC1301B
系统复位
2.8V @ 300毫安
C
OUT1
1 μF陶瓷
X5R
1
RESET SHDN1
8
2 V
OUT1
3
4
GND
V
IN
7
V
OUT2
6 2.6V @ 150毫安
5
绕道SHDN2
C
OUT2
1 μF陶瓷
X5R
注意:
C
绕行
可选
ON / OFF控制V
OUT2
DS21798C第2页
2008 Microchip的技术公司
TC1301A/B
1.0
电动
特征
注意:
上面讲的那些最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范运作上市,是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
V
DD
...................................................................................6.5V
任何引脚...... ( V最大电压
SS
- 0.3 )至(Ⅴ
IN
+ 0.3)V
功耗..........................内部限制
(注7 )
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
最高结温,T
J
........................... +150°C
连续工作温度范围..- 40 ° C至+ 125°C
所有引脚, HBM , MM ESD保护
.....................
4千伏, 400伏
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 100 μA ,C
IN
= 4.7 μF ,C
OUT1
= C
OUT2
= 1 F,
C
绕行
= 10nF的, SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
最大输出电流
输出电压容差
(V
OUT1
和V
OUT2
)
温度COEF网络cient
(V
OUT1
和V
OUT2
)
线路调整
(V
OUT1
和V
OUT2
)
负载调整率,V
OUT
2.5V
(V
OUT1
和V
OUT2
)
负载调整率,V
OUT
& LT ; 2.5V
(V
OUT1
和V
OUT2
)
热调节
输入输出电压差(注6 )
V
OUT1
2.7V
V
OUT2
2.6V
电源电流
TC1301A
TC1301B
注1 :
2:
3:
4:
I
(一)
I
在(B)中
103
114
180
180
A
A
SHDN2 = V
IN
, V
DET
=开,
I
OUT1
= I
OUT2
= 0毫安
SHDN1 = SHDN2 = V
IN
,
I
OUT1
= I
OUT2
= 0毫安
V
IN
– V
OUT
V
IN
– V
OUT
104
150
180
250
mV
mV
I
OUT1
= 300毫安
I
OUT2
= 150毫安
符号
V
IN
I
OUT1Max
I
OUT2Max
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/
ΔV
IN
ΔV
OUT
/
V
OUT
ΔV
OUT
/
V
OUT
ΔV
OUT
/ΔP
D
2.7
300
150
典型值
最大
6.0
单位
V
mA
mA
%
PPM /°C的
%/V
%
%
%/W
注1
V
IN
= 2.7V至6.0V
(注1 )
V
IN
= 2.7V至6.0V
(注1 )
注2
注3
(V
R
+1V)
V
IN
6V
I
的OUTx
= 0.1 mA至我
OUTMAX
(注4 )
I
的OUTx
= 0.1 mA至我
OUTMAX
(注4 )
注5
条件
V
R
– 2.5
V
R
±0.5
V
R
+ 2.5
-1
-1.5
25
0.02
0.1
0.1
0.04
0.2
+1
+1.5
5:
6:
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
+ V
.
V
R
被定义为在两个调节器的标称输出电压(V越高
OUT1
或V
OUT2
).
TCV
OUT
= ((V
OUTMAX
- V
outmin
) * 10
6
)/(V
OUT
*
ΔT).
调节时使用低占空比脉冲测试测量结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ,
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V时
T = 10毫秒。
电压差定义为输入至输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其价值
在1V的差分测量。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和热敏电阻从结到空气(即T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热导致器件启动热关断
.
7:
2008 Microchip的技术公司
DS21798C第3页
TC1301A/B
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 100 μA ,C
IN
= 4.7 μF ,C
OUT1
= C
OUT2
= 1 F,
C
绕行
= 10nF的, SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
关断电源电流
TC1301A
关断电源电流
TC1301B
电源抑制比
输出噪声
符号
I
IN_SHDNA
I
IN_SHDNB
PSRR
eN
典型值
58
0.1
58
830
最大
90
1
单位
A
A
dB
内华达州/ (赫兹)
½
条件
SHDN2 = GND ,V
DET
=打开
SHDN1 = SHDN2 = GND
f
100Hz时,我
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安,
C
IN
= 0 F
f
1 kHz时,我
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安,
C
IN
= 0 F
R
LOAD1
R
LOAD2
V
IN
= 2.7V至6.0V
V
IN
= 2.7V至6.0V
V
IN
= 5V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 30毫安,
SEE
图5-1
V
IN
= 5V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 50毫安,
SEE
图5-2
V
IN
= 5V ,我
OUT1
= I
OUT2
= 100 A
V
IN
= 5V
T
A
= 0 ° C至+ 70°C
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
输出短路电流(平均值)
V
OUT1
V
OUT2
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
唤醒时间(从SHDN
模式),(Ⅴ
OUT2
)
稳定时间(从SHDN模式) ,
(V
OUT2
)
热关断模
温度
热关断迟滞
电压范围
I
OUTSC
I
OUTSC
V
IH
V
IL
t
WK
t
S
T
SD
T
HYS
V
DET
45
1.0
1.2
200
140
5.3
50
150
10
15
20
6.0
6.0
mA
mA
%V
IN
%V
IN
s
s
°C
°C
V
复位门限
V
TH
ΔV
TH
/ΔT
t
RPD
t
RPU
-1.4
-2.8
30
180
300
+1.4
+2.8
560
%
%
PPM /°C的
s
ms
V
DET
= V
TH
到(Ⅴ
TH
= 100毫伏) ,
SEE
图5-3
V
DET
= V
TH
- 100 mV至V
TH
+ 100 mV时,
I
SINK
= 1.2毫安,
SEE
图5-3 。
V
DET
= V
THmin
, I
SINK
= 1.2毫安,
I
SINK
= 100 μA的V
DET
& LT ; 1.8V ,
SEE
图5-3
V
DET
& GT ; V
thmax
, I
来源
= 500 A,
SEE
图5-3
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
复位门限温度系数
V
DET
复位延时
重置激活的超时时间
140
RESET输出电压低
V
OL
0.9
V
DET
0.2
V
RESET输出电压高
注1 :
2:
3:
4:
V
OH
V
5:
6:
最小V
IN
必须满足两个条件: V
IN
2.7V和V
IN
V
R
+ V
.
V
R
被定义为在两个调节器的标称输出电压(V越高
OUT1
或V
OUT2
).
TCV
OUT
= ((V
OUTMAX
- V
outmin
) * 10
6
)/(V
OUT
*
ΔT).
调节时使用低占空比脉冲测试测量结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ,
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V时
T = 10毫秒。
电压差定义为输入至输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其价值
在1V的差分测量。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和热敏电阻从结到空气(即T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热导致器件启动热关断
.
7:
DS21798C第4页
2008 Microchip的技术公司
TC1301A/B
温度参数
电气连接特定的阳离子:
V :除非另有说明,所有参数适用于指定
IN
= + 2.7V至+ 6.0V 。
参数
温度范围
工作结温
范围
存储温度范围
最高结温
封装热阻
热阻,8引脚MSOP
热阻,8引脚DFN
θ
JA
θ
JA
208
41
° C / W典型4层电路板
° C / W典型4层板带通孔
T
A
T
A
T
J
-40
-65
+125
+150
+150
°C
°C
°C
短暂
稳定状态
符号
典型
最大
单位
条件
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