TC1265
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范的操作列表，是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压.................. （V
SS
- 0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
功耗................内部限制
（注7 ）
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作温度范围...... -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度..........................- 65°C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V,
（注1 ） ，
I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
符号
V
IN
I
OUTMAX
V
OUT
V
OUT
/T
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/V
OUT
V
IN
–V
OUT
民
2.7
800
V
R
– 2.5%
V
R
– 2%
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
（注4 ）
输入输出电压差
（注5 ）
—
—
-0.01
—
—
—
—
—
—
—
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
I
DD
I
SHDN
PSRR
I
OUTSC
V
OUT
/P
D
eN
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
最大
6.0
—
单位
V
mA
V
V
R
≥
2.5V
V
R
= 1.8V
PPM /°C的
%
％ / mA的
mV
注3
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
6V
I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
V
R
≥
2.5V ，我
L
= 100 A
I
L
= 100毫安
I
L
= 300毫安
I
L
= 500毫安
I
L
= 800毫安
V
R
= 1.8V ，我
L
= 500毫安
I
L
= 800毫安
A
A
db
mA
V / W
纳伏/赫兹÷
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F
≤
1千赫
V
OUT
= 0V
注6
I
L
= I
OUTMAX
， F = 10 KH
Z
注2
条件
V
R
± 0.5%
V
R
+ 2.5%
V
R
± 0.5%
40
0.007
0.002
20
50
150
260
450
700
890
80
0.05
64
1200
0.04
260
V
R
+ 3%
—
0.35
+0.01
30
160
480
800
1300
1000
1400
130
1
—
1400
—
—
注1 ：
V
R
是稳压器输出电压设定。
2:
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
.
6
3:
(
V
–
V
)
–
10
OUTMAX
outmin
-
TCV
OUT
= ------------------------------------------------------------------------
V
OUT
×
T
4:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化
被覆盖的热调节规范。
5:
电压差定义为输入至输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
在1.5V的差分测量。
6:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和热阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化会导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
8:
迟滞电压参考V
R
.
DS21376C第2页
2004年Microchip的科技公司
TC1265
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V,
（注1 ） ，
I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
错误输出（仅SOIC ）
最低工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
民
V
OL
V
TH
V
HYS
1.0
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
—
400
—
—
V
mV
V
mV
注8
1毫安流为ERROR
V
IH
V
IL
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
V
R
是稳压器输出电压设定。
2:
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
.
6
3:
(
V
–
V
)
–
10
OUTMAX
outmin
-
TCV
OUT
= ------------------------------------------------------------------------
V
OUT
×
T
4:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化
被覆盖的热调节规范。
5:
电压差定义为输入至输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
在1.5V的差分测量。
6:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和热阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化会导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
8:
迟滞电压参考V
R
.
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L- DDPAK
热阻， 5L - TO- 220
热阻，8 - SOIC
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
57
71
163
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
J
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
（注1 ）
符号
民
典型值
最大
单位
条件
在此范围内不得将造成T
J
超过最大结温（ + 125°C ） 。
2004年Microchip的科技公司
DS21376C第3页
TC1265
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
0.020
0.018
线路调整率（ ％ ）
0.016
0.014
国际直拨电话（ μA ）
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
-40°C
VOUT = 3V
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
-40
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C
125
°
C
0°C
25°C
70°C
85°C
125°C
温度（
°
C)
温度（℃）
图2-1：
温度。
10.0
线路调整与
图2-4：
I
DD
与温度的关系。
噪声（ μV / √Hz的）
1.0
漏失电压（ V）
R
负载
= 50
C
OUT
= 1F
0.600
0.550
0.500
0.450
0.400
0.350
0.300
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
85°C
70°C
25°C
125°C
0°C
-40°C
0.1
0.0
0.01
0.01
1
10
100
1000
0 100 200 300 400 500 600 700 800
ILOAD（毫安）
频率（kHz ）
图2-2：
输出噪声和频率。
图2-5：
I
负载
.
3.030
3.020
3.010
3.000
Vout的（V）的
2.990
2.980
2.970
2.960
2.950
2.940
2.930
2.920
-40
°
C
3.0V压差 -
0.0100
负载调整率（ ％ / MA ）
0.0090
0.0080
0.0070
0.0060
0.0050
0.0040
0.0030
0.0020
0.0010
0.0100
-40°C
0°C
25°C
70°C
85°C
125°C
VOUT
=
3V
1毫安到800毫安
ILOAD =
0.1mA
ILOAD =
ILOAD =
300mA
500mA
ILOAD =
800mA
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C 125
°
C
温度（℃）
温度（℃）
图2-3：
温度。
负载稳定度
图2-6：
3.0V V
OUT
vs.Temperature 。
DS21376C第4页
2004年Microchip的科技公司
TC1265
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范的操作列表，是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压.................. （V
SS
- 0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
功耗................内部限制
（注7 ）
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作温度范围...... -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度..........................- 65°C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V,
（注1 ） ，
I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
符号
V
IN
I
OUTMAX
V
OUT
V
OUT
/T
V
OUT
/V
IN
V
OUT
/V
OUT
V
IN
–V
OUT
民
2.7
800
V
R
– 2.5%
V
R
– 2%
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
（注4 ）
输入输出电压差
（注5 ）
—
—
-0.01
—
—
—
—
—
—
—
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
I
DD
I
SHDN
PSRR
I
OUTSC
V
OUT
/P
D
eN
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
最大
6.0
—
单位
V
mA
V
V
R
≥
2.5V
V
R
= 1.8V
PPM /°C的
%
％ / mA的
mV
注3
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
6V
I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
V
R
≥
2.5V ，我
L
= 100 A
I
L
= 100毫安
I
L
= 300毫安
I
L
= 500毫安
I
L
= 800毫安
V
R
= 1.8V ，我
L
= 500毫安
I
L
= 800毫安
A
A
db
mA
V / W
纳伏/赫兹÷
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F
≤
1千赫
V
OUT
= 0V
注6
I
L
= I
OUTMAX
， F = 10 KH
Z
注2
条件
V
R
± 0.5%
V
R
+ 2.5%
V
R
± 0.5%
40
0.007
0.002
20
50
150
260
450
700
890
80
0.05
64
1200
0.04
260
V
R
+ 3%
—
0.35
+0.01
30
160
480
800
1300
1000
1400
130
1
—
1400
—
—
注1 ：
V
R
是稳压器输出电压设定。
2:
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
.
6
3:
(
V
–
V
)
–
10
OUTMAX
outmin
-
TCV
OUT
= ------------------------------------------------------------------------
V
OUT
×
T
4:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化
被覆盖的热调节规范。
5:
电压差定义为输入至输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
在1.5V的差分测量。
6:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和热阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化会导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
8:
迟滞电压参考V
R
.
DS21376C第2页
2004年Microchip的科技公司
TC1265
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V,
（注1 ） ，
I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
错误输出（仅SOIC ）
最低工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
民
V
OL
V
TH
V
HYS
1.0
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
—
400
—
—
V
mV
V
mV
注8
1毫安流为ERROR
V
IH
V
IL
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
V
R
是稳压器输出电压设定。
2:
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
.
6
3:
(
V
–
V
)
–
10
OUTMAX
outmin
-
TCV
OUT
= ------------------------------------------------------------------------
V
OUT
×
T
4:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化
被覆盖的热调节规范。
5:
电压差定义为输入至输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
在1.5V的差分测量。
6:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和热阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化会导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
8:
迟滞电压参考V
R
.
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L- DDPAK
热阻， 5L - TO- 220
热阻，8 - SOIC
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
57
71
163
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
J
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
（注1 ）
符号
民
典型值
最大
单位
条件
在此范围内不得将造成T
J
超过最大结温（ + 125°C ） 。
2004年Microchip的科技公司
DS21376C第3页
TC1265
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
0.020
0.018
线路调整率（ ％ ）
0.016
0.014
国际直拨电话（ μA ）
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
-40°C
VOUT = 3V
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
-40
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C
125
°
C
0°C
25°C
70°C
85°C
125°C
温度（
°
C)
温度（℃）
图2-1：
温度。
10.0
线路调整与
图2-4：
I
DD
与温度的关系。
噪声（ μV / √Hz的）
1.0
漏失电压（ V）
R
负载
= 50
C
OUT
= 1F
0.600
0.550
0.500
0.450
0.400
0.350
0.300
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
85°C
70°C
25°C
125°C
0°C
-40°C
0.1
0.0
0.01
0.01
1
10
100
1000
0 100 200 300 400 500 600 700 800
ILOAD（毫安）
频率（kHz ）
图2-2：
输出噪声和频率。
图2-5：
I
负载
.
3.030
3.020
3.010
3.000
Vout的（V）的
2.990
2.980
2.970
2.960
2.950
2.940
2.930
2.920
-40
°
C
3.0V压差 -
0.0100
负载调整率（ ％ / MA ）
0.0090
0.0080
0.0070
0.0060
0.0050
0.0040
0.0030
0.0020
0.0010
0.0100
-40°C
0°C
25°C
70°C
85°C
125°C
VOUT
=
3V
1毫安到800毫安
ILOAD =
0.1mA
ILOAD =
ILOAD =
300mA
500mA
ILOAD =
800mA
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C 125
°
C
温度（℃）
温度（℃）
图2-3：
温度。
负载稳定度
图2-6：
3.0V V
OUT
vs.Temperature 。
DS21376C第4页
2004年Microchip的科技公司
TC1265
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范的操作列表，是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压.................. （V
SS
- 0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
功耗................内部限制
（注7 ）
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作温度范围...... -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度..........................- 65°C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V,
（注1 ） ，
I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
（注4 ）
输入输出电压差
（注5 ）
符号
V
IN
I
OUTMAX
V
OUT
ΔV
OUT
/ΔT
ΔV
OUT
/ΔV
IN
ΔV
OUT
/V
OUT
V
IN
–V
OUT
民
2.7
800
V
R
– 2.5%
V
R
– 2%
—
—
-0.01
—
—
—
—
—
—
—
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
I
DD
I
SHDN
PSRR
I
OUTSC
ΔV
OUT
/ΔP
D
eN
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
V
R
± 0.5%
40
0.007
0.002
20
50
150
260
450
1000
1200
80
0.05
64
1200
0.04
260
最大
6.0
—
V
R
+ 3%
—
0.35
+0.01
30
160
480
800
1300
1200
1400
130
1
—
1400
—
—
A
A
db
mA
V / W
纳伏/赫兹÷
SHDN = 0V
F
≤
1千赫
V
OUT
= 0V
注6
I
L
= I
OUTMAX
， F = 10 KH
Z
PPM /°C的
%
％ / mA的
mV
单位
V
mA
V
V
R
≥
2.5V
V
R
= 1.8V
注3
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
6V
I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
V
R
≥
2.5V ，我
L
= 100 A
V
R
≥
2.5V,
I
L
=
100
mA
V
R
≥
2.5V,
I
L
= 300毫安
V
R
≥
2.5V,
I
L
= 500毫安
V
R
≥
2.5V,
I
L
= 800毫安
V
R
= 1.8V ，我
L
= 500毫安
I
L
= 800毫安
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
注2
条件
V
R
± 0.5%
V
R
+ 2.5%
注1 ：
V
R
是稳压器输出电压设定。
2:
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
.
6
3:
(
V
–
V
)
– 10
OUTMAX
outmin
-
TCV
OUT
= ------------------------------------------------------------------------
V
OUT
× Δ
T
4:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化
被覆盖的热调节规范。
5:
电压差定义为输入至输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
在1.5V的差分测量。
6:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和热阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化会导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
8:
迟滞电压参考V
R
.
DS21376D第2页
2006年Microchip的科技公司
TC1265
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V,
（注1 ） ，
I
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
错误输出（仅SOIC ）
最低工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
民
V
OL
V
TH
V
HYS
1.0
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
—
400
—
—
V
mV
V
mV
注8
1毫安流为ERROR
V
IH
V
IL
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
符号
民
典型值
最大
单位
条件
注1 ：
V
R
是稳压器输出电压设定。
2:
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
.
6
3:
(
V
–
V
)
– 10
OUTMAX
outmin
TCV
OUT
= ------------------------------------------------------------------------
-
V
OUT
× Δ
T
4:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化
被覆盖的热调节规范。
5:
电压差定义为输入至输出电压差，当输出电压降至2 ％，低于其标称值
在1.5V的差分测量。
6:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
7:
最大允许功耗是环境温度的函数，最大允许结温
ATURE和热阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许耗散功率
化会导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
8:
迟滞电压参考V
R
.
温度特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
R
+ 1.5V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻， 5L- DDPAK
热阻， 5L - TO- 220
热阻，8 - SOIC
注1 ：
θ
JA
θ
JA
θ
JA
—
—
—
57
71
163
—
—
—
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
J
T
A
-40
-40
-65
—
—
—
+125
+125
+150
°C
°C
°C
（注1 ）
符号
民
典型值
最大
单位
条件
在此范围内不得将造成T
J
超过最大结温（ + 125°C ） 。
2006年Microchip的科技公司
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TC1265
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
0.020
0.018
线路调整率（ ％ ）
0.016
0.014
国际直拨电话（ μA ）
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
-40°C
VOUT = 3V
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
-40
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C
125
°
C
0°C
25°C
70°C
85°C
125°C
温度（
°
C)
温度（℃）
图2-1：
温度。
10.0
线路调整与
图2-4：
I
DD
与温度的关系。
噪声（ μV / √Hz的）
1.0
漏失电压（ V）
R
负载
= 50Ω
C
OUT
= 1F
0.600
0.550
0.500
0.450
0.400
0.350
0.300
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
85°C
70°C
25°C
125°C
0°C
-40°C
0.1
0.0
0.01
0.01
1
10
100
1000
0 100 200 300 400 500 600 700 800
ILOAD（毫安）
频率（kHz ）
图2-2：
输出噪声和频率。
图2-5：
I
负载
.
3.030
3.020
3.010
3.000
Vout的（V）的
2.990
2.980
2.970
2.960
2.950
2.940
2.930
2.920
-40
°
C
3.0V压差 -
0.0100
负载调整率（ ％ / MA ）
0.0090
0.0080
0.0070
0.0060
0.0050
0.0040
0.0030
0.0020
0.0010
0.0100
-40°C
0°C
25°C
70°C
85°C
125°C
VOUT
=
3V
1毫安到800毫安
ILOAD =
0.1mA
ILOAD =
ILOAD =
300mA
500mA
ILOAD =
800mA
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C 125
°
C
温度（℃）
温度（℃）
图2-3：
温度。
负载稳定度
图2-6：
3.0V V
OUT
vs.Temperature 。
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