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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符T型号页 > 首字符T的型号第805页 > TC1263-5.0VOATR
TC1263
500毫安,固定输出, CMOS LDO ,带有关断
特点
非常低的压差电压
500毫安输出电流
高输出电压精度
标准或定制输出电压
过流和过温保护
SHDN输入为有源电源管理
错误输出可以用作低电池
检测器( SOIC只)
描述
的TC1263是固定输出,高精确度(典型地
±0.5 % ) CMOS低压差稳压器。设计
专为电池供电的系统中, TC1263的
CMOS结构消除浪费的接地电流,
显著延长电池寿命。总电源电流
通常为80 μA,在满负荷下(低于20到60倍
双极型稳压器) 。
TC1263的主要特性包括超低噪音运行,
非常低的压差电压(典型值为350 mV的满负载)
和快速响应阶跃变化的负载。
该TC1263既包含过温保护和
过电流保护。该TC1263是稳定的
仅为1 μF输出电容器和具有最大
500mA的输出电流。它采用8引脚SOIC封装,
5引脚TO- 220和5引脚DDPAK封装。
应用
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
套餐类型
5针DDPAK
前视图
Tab是GND
5引脚TO- 220
Tab是GND
典型用途
TC1263
V
IN
V
IN
V
OUT
TC1263
+
V
OUT
C
1
1 F
SHDN
BYP
SHDN
GND
V
IN
V
OUT
BYP
SHDN
GND
V
IN
V
OUT
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
TC1263
GND
SHDN
8引脚SOIC
V
OUT
GND
NC
绕行
1
2
8
7
V
IN
NC
SHDN
错误
TC1263
3
4
6
5
2005年Microchip的科技公司
DS21374C第1页
TC1263
1.0
电动
特征
注意:
注意,超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值,器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本规范的操作列表,是不是暗示。曝光
最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压................ ( GND - 0.3V )至(v
IN
+ 0.3V)
功耗................内部限制
(注7 )
任何引脚电压(最大) : ( GND - 0.3V )至(v
IN
+ 0.3V)
工作温度范围.... -40°C <牛逼
J
& LT ; + 125°C
存储温度..........................- 65°C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1.0V,
(注1 ) ,
I
L
= 100 μA ,C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
(注4 )
输入输出电压差
(注5 )
符号
V
IN
I
OUTMAX
V
OUT
ΔV
OUT
/ΔT
ΔV
OUT
/ΔV
IN
ΔV
OUT
/V
OUT
V
IN
-V
OUT
2.7
500
V
R
– 2.5%
–0.01
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
输出噪声
注1 :
2:
3:
I
DD
I
SHDN
PSRR
I
OUTSC
ΔV
OUT
/ΔP
D
eN
典型值
最大
6.0
单位
V
mA
V
注1
注2
条件
V
R
± 0.5%
V
R
+ 2.5%
40
0.05
0.002
20
60
200
350
80
0.05
64
1200
0.04
260
0.35
+0.01
30
130
390
650
130
1
1400
PPM /°C的
注3
%
% / mA的
mV
(V
R
+ 1V)
V
IN
6V
I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
I
L
= 100 A
I
L
= 100毫安
I
L
= 300毫安
I
L
= 500毫安
A
A
db
mA
V / W
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
F
1千赫
V
OUT
= 0V
注6
内华达州/ √Hz的我
L
= I
OUTMAX
, F = 10 KH
Z
V
R
是稳压器输出电压设定。
最小V
IN
有证明的条件: V
IN
V
R
+ V
和V
IN
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
.
TCV
OUT
4:
(
V
OUTMAX
V
outmin
)
– 10
-
= ------------------------------------------------------------------------
V
OUT
× Δ
T
6
5:
6:
7:
调节时使用低占空比脉冲测试测量结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
电压差定义为输入至输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其标称
值在1.0V的差分测量。
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ,
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和热敏电阻从结到空气(即T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
更多的细节。
DS21374C第2页
2005年Microchip的科技公司
TC1263
直流特性(续)
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1.0V,
(注1 ) ,
I
L
= 100 μA ,C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
错误输出(仅SOIC )
最低工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
注1 :
2:
3:
V
V
OL
V
TH
V
HYS
1.0
0.95 x垂直
R
50
400
V
mV
V
mV
1毫安流为ERROR
V
IH
V
IL
45
15
%V
IN
%V
IN
符号
典型值
最大
单位
条件
V
R
是稳压器输出电压设定。
最小V
IN
有证明的条件: V
IN
V
R
+ V
和V
IN
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUTMAX
.
TCV
OUT
4:
(
V
OUTMAX
V
outmin
)
– 10
-
= ------------------------------------------------------------------------
V
OUT
× Δ
T
6
5:
6:
7:
调节时使用低占空比脉冲测试测量结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
电压差定义为输入至输出电压差,当输出电压降至2 %,低于其标称
值在1.0V的差分测量。
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ,
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
LMAX
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数,最大允许结
温度和热敏电阻从结到空气(即T
A
, T
J
,
θ
JA
) 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
更多的细节。
温度特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1.0V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 3.3 F,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
参数
温度范围
特定网络版温度范围
工作温度范围
存储温度范围
封装热阻
热阻, 5L- DDPAK
热阻, 5L - TO- 220
热阻,8 - SOIC
注1 :
θ
JA
θ
JA
θ
JA
57
71
163
° C / W
° C / W
° C / W
T
A
T
J
T
A
-40
-40
-65
+125
+125
+150
°C
°C
°C
注1
符号
典型值
最大
单位
条件
在此范围内不得将造成T
J
超过最大结温( + 125°C ) 。
2005年Microchip的科技公司
DS21374C第3页
TC1263
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1.0V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 3.3 μF , SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
0.020
0.018
线路调整率( % )
0.016
0.014
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
-40
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C
125
°
C
I
DD
(
μ
A)
0.012
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
-40
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C 125
°
C
2.5V
5V
温度(
°
C)
温度(
°
C)
图2-1:
温度。
10.0
线路调整与
图2-4:
I
DD
与温度的关系。
差VOLT AGE ( V)
R
负载
= 50
Ω
C
OUT
= 1
μ
F
0.50
125
°
C
0.40
0.30
0.20
0.10
0.00
-40
°
C
25
°
C
0
°
C
85
°
C
70
°
C
噪声(
μ
V/
赫兹)
1.0
0.1
0.0
0.01
0.01
1
10
100
1000
0
100
频率(kHz )
200
300
I
负载
(MA )
400
500
图2-2:
输出噪声和频率。
图2-5:
I
负载
.
0.50
差VOLT AGE ( V)
0.40
0.30
0.20
0.10
2.5V压差 -
0.0100
0.0090
负载调整率( % / MA )
125
°
C
85
°
C
70
°
C
25
°
C
0
°
C
-40
°
C
0.0080
0.0070
0.0060
0.0050
0.0040
0.0030
0.0020
0.0010
0.0100
-40°C
5V
2.5V
1mA至500毫安
1mA至500毫安
0.00
0°C
25°C
70°C
85°C
125°C
0
100
200
300
400
500
温度(℃)
I
负载
(MA )
图2-3:
温度。
负载稳定度
图2-6:
I
负载
.
5.0V压差 -
DS21374C第4页
2005年Microchip的科技公司
TC1263
注意:
除非另有说明,V
IN
= V
R
+ 1.0V ,我
L
= 100 μA ,C
L
= 3.3 μF , SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
2.70
2.50
2.30
V
OUT
(V)
2.10
1.90
1.70
1.50
-40
°
C
I
L
= 300毫安
I
L
= 500毫安
V
OUT
(V)
I
L
= 0.1毫安
5.20
5.10
5.00
4.90
4.80
4.70
4.60
4.50
4.40
4.30
4.20
4.10
4.00
-40
°
C
I
L
= 0.1毫安
I
L
= 300毫安
I
L
= 500毫安
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C 125
°
C
0
°
C
25
°
C
70
°
C
85
°
C
125
°
C
温度(
°
C)
温度(
°
C)
图2-7:
2.5V V
OUT
与温度的关系。
图2-8:
5.0V V
OUT
与温度的关系。
2005年Microchip的科技公司
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