M
特点
TC1240/TC1240A
概述
在TC1240 / TC1240A是加倍的CMOS充电
泵的电压转换器，采用小型6引脚SOT- 23A
封装。该TC1240双打的输入电压
范围从+ 2.5V至+ 4.0V ，而TC1240A
双打的输入电压范围为+ 2.5V至
+ 5.5V 。转换效率通常为>99 ％。国内
振荡频率为160 kHz的两个设备。该
TC1240和TC1240A具有高电平有效关断
这限制了器件的电流消耗
小于1 μA 。
外部元件的要求是只有两个电容
标准电压倍增的应用。所有其他
电路（包括控制，振荡器和功率
MOSFET的）都集成在芯片上。典型电源电流
租金为180 μA的TC1240和550 μA的
TC1240A 。这两款器件均采用6引脚SOT-提供
23A表面贴装封装。
正加倍电荷泵，带有关断
采用SOT- 23封装
电荷泵采用6引脚SOT- 23A封装
>99 ％的典型电压转换效率
倍压
输入电压范围， TC1240 ： + 2.5V至+ 4.0V ，
TC1240A ： + 2.5V至+ 5.5V
低输出阻抗， TC1240 ： 17 （典型值）
TC1240A ： 12 （典型值）
只需要两个外部电容
低电源电流， TC1240 ： 180 μA （典型值）
TC1240A ： 550 μA （典型值）
省电关断模式（ 1 μA最大）
关断输入完全兼容于1.8V逻辑电平
系统
应用
手机
寻呼机
PDA，便携式数据记录仪
电池供电设备
手持式仪器
典型应用电路
正电压DOUBLER
+
C+
C-
V
IN
输入
套餐类型
6引脚SOT- 23A
C+
6
V
OUT
SHDN
5
4
C
1
TC1240
TC1240A
SHDN
关闭
ON
V
OUT
GND
+
C
2
2个输入
TC1240ECH
TC1240AECH
1
V
IN
2
GND
3
C-
注意：
6引脚SOT- 23A是等效于
EIAJ （ SC- 74A ）
2003 Microchip的技术公司
DS21516C第1页
TC1240/TC1240A
1.0
电动
特征
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压（V
IN
到GND）
TC1240 ............................................. + 4.5V ， -0.3V
TC1240A ........................................... + 5.8V ， -0.3 V
输出电压（V
OUT
到GND）
TC1240 ....................................... + 9.0V ，V
IN
-0.3V
TC1240A ................................... + 11.6V ，V
IN
-0.3V
目前在V
OUT
销............................................ 50毫安
短路持续时间： V
OUT
到GND .............不定
热阻....................................... 210 ° C / W
功耗（
T
A
= +25
° C） ........................ 600毫瓦
工作温度范围............. -40 ° C至+ 85°C
存储温度（偏） ....... -65 ° C至+ 150°C
TC1240电气规范
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，典型值适用于在T
A
= + 25°C 。最小和最大val-
UE的申请对于T
A
= -40 °至+ 85° C和V
IN
= + 2.8V ，C
1
= C
2
= 3.3 μF ， SHDN = GND 。
参数
电源电流
关断电源电流
最小电源电压
最大电源电压
振荡器频率
开关频率
（注1 ）
关断输入逻辑高电平
关断输入逻辑低
功率英法fi效率
电压转换效率
输出电阻
（注2 ）
注1 ：
2:
符号
I
DD
I
SHDN
V
民
V
最大
F
OSC
F
SW
V
IH
V
IL
P
EFF
V
EFF
R
OUT
民
—
—
2.5
—
—
40
1.4
—
86
97.5
—
—
典型值
180
0.1
—
—
160
80
—
—
93
99.96
17
—
最大
300
1.0
—
4.0
—
125
—
0.4
—
—
—
30
单位
A
A
V
V
千赫
千赫
V
V
%
%
R
负载
=
∞
SHDN = V
IN
R
负载
= 1.0 k
R
负载
= 1.0 k
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
IN
= V
民
到V
最大
V
IN
= V
民
到V
最大
R
负载
= 1.0 k
R
负载
=
∞
R
负载
= 1.0 k
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
条件
开关频率为二分之一的内部振荡器的频率。
电容的贡献是输出阻抗约为26％ [ ESR = 1 /开关频率乘以
电容。
DS21516C第2页
2003 Microchip的技术公司
TC1240/TC1240A
TC1240A电气规范
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，典型值适用于在T
A
= + 25°C 。最小和最大
值适用对于T
A
= -40 °至+ 85° C和V
IN
= + 5.0V ，C
1
= C
2
= 3.3 μF ， SHDN = GND 。
参数
电源电流
关断电源电流
最小电源电压
最大电源电压
输出电流
中的R总和
DS （ ON）
的
内部MOSFET开关
振荡器频率
开关频率
（注1 ）
关断输入逻辑高电平
关断输入逻辑低
功率英法fi效率
电压转换效率
输出电阻
（注2 ）
注1 ：
2:
符号
I
DD
I
SHDN
V
民
V
最大
I
负载
R
SW
F
OSC
F
SW
V
IH
V
IL
P
EFF
V
EFF
R
OUT
民
—
—
2.5
—
20
—
—
40
1.4
—
86
99
—
—
典型值
550
0.01
—
—
—
4
160
80
—
—
94
99.96
12
—
最大
900
1.0
—
5.5
—
8
—
125
—
0.4
—
—
—
25
单位
A
A
V
V
mA
千赫
千赫
V
V
%
%
I
负载
= 20毫安
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
IN
= V
民
到V
最大
V
IN
= V
民
到V
最大
I
负载
= 5毫安
R
负载
=
∞
I
负载
= 20 A
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
R
负载
=
∞
SHDN = V
IN
条件
开关频率为二分之一的内部振荡器的频率。
电容的贡献是输出阻抗约为26％ [ ESR = 1 /开关频率乘以
电容。
2003 Microchip的技术公司
DS21516C第3页
TC1240/TC1240A
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，典型值适用于在T
A
= +25°C.
700
电源电流（ μA ）
电源电流（ μA ）
450
400
350
300
250
200
150
100
50
V
IN
= 2.8V
V
IN
= 4.0V
600
500
400
300
200
100
0
2.00
3.00
4.00
电源电压（ V）
5.00
6.00
0
-50
-25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
图2-1：
电源电流与电源
电压（无负载） 。
输出源电阻（Ω ）
20
图2-4：
电源电流与
温度（无负载） 。
输出源电阻（Ω ）
25
20
V
IN
= 2.8V
15
V
IN
= 4.0V
10
5
0
-50
15
10
5
0
2.00
3.00
4.00
电源电压（ V）
5.00
6.00
-25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
图2-2：
输出源电阻
- 电源电压（使用R
负载
= 1 k)
1
0.9
0.8
电压降（ V）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
5
10
15 20 25 30 35
负载电流（mA ）
40
45
50
V
IN
= 2.8V
V
IN
= 4.0V
图2-5：
输出源电阻
与温度的关系（有R
负载
= 1 k).
100%
90%
电源效率（ ％ ）
80%
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
0
5
10
15 20 25 30 35
负载电流（mA ）
40
45
50
V
IN
= 2.5V
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 4.5V
图2-3：
负载电流。
输出电压降与
图2-6：
电流。
电源效率与负载
DS21516C第4页
2003 Microchip的技术公司
TC1240/TC1240A
正加倍电荷泵，带有关断
采用SOT- 23封装
特点
电荷泵采用6引脚SOT- 23A封装
>99 ％的典型电压转换效率
倍压
输入电压范围， TC1240 ： + 2.5V至+ 4.0V ，
TC1240A ： + 2.5V至+ 5.5V
低输出阻抗， TC1240 ： 17 （典型值）
TC1240A ： 12 （典型值）
只需要两个外部电容
低电源电流， TC1240 ： 180 μA （典型值）
TC1240A ： 550 μA （典型值）
省电关断模式（ 1 μA最大）
关断输入完全兼容于1.8V逻辑电平
系统
概述
在TC1240 / TC1240A是加倍的CMOS充电
泵的电压转换器，采用小型6引脚SOT- 23A
封装。该TC1240双打的输入电压
范围从+ 2.5V至+ 4.0V ，而TC1240A
双打的输入电压范围为+ 2.5V至
+ 5.5V 。转换效率通常为>99 ％。国内
振荡频率为160 kHz的两个设备。该
TC1240和TC1240A具有高电平有效关断
这限制了器件的电流消耗
小于1 μA 。
外部元件的要求是只有两个电容
标准电压倍增的应用。所有其他
电路（包括控制，振荡器和功率
MOSFET的）都集成在芯片上。典型电源电流
租金为180 μA的TC1240和550 μA的
TC1240A 。这两款器件均采用6引脚SOT-提供
23A表面贴装封装。
应用
手机
寻呼机
PDA，便携式数据记录仪
电池供电设备
手持式仪器
典型应用电路
正电压DOUBLER
+
C+
V
IN
输入
套餐类型
6引脚SOT- 23A
C+
6
V
OUT
SHDN
5
4
C
1
TC1240
TC1240A
C-
SHDN
关闭
ON
V
OUT
GND
+
C
2
2个输入
TC1240ECH
TC1240AECH
1
V
IN
2
GND
3
C-
注意：
6引脚SOT- 23A是等效于
EIAJ （ SC- 74A ）
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21516D第1页
TC1240/TC1240A
1.0
电动
特征
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压（V
IN
到GND）
TC1240 ............................................. + 4.5V ， -0.3V
TC1240A ........................................... + 5.8V ， -0.3 V
输出电压（V
OUT
到GND）
TC1240 ....................................... + 9.0V ，V
IN
-0.3V
TC1240A ................................... + 11.6V ，V
IN
-0.3V
目前在V
OUT
销............................................ 50毫安
短路持续时间： V
OUT
到GND .............不定
热阻....................................... 210 ° C / W
功耗（
T
A
= +25
° C） ........................ 600毫瓦
工作温度范围.............- 40 ° C至+ 85°C
存储温度（偏） .......- 65 ° C至+ 150°C
TC1240电气规范
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，典型值适用于在T
A
= + 25°C 。最小和最大val-
UE的申请对于T
A
= -40 °至+ 85° C和V
IN
= + 2.8V ，C
1
= C
2
= 3.3 μF ， SHDN = GND 。
参数
电源电流
关断电源电流
最小电源电压
最大电源电压
振荡器频率
开关频率
（注1 ）
关断输入逻辑高电平
关断输入逻辑低
功率英法fi效率
电压转换效率
输出电阻
（注2 ）
注1 ：
2:
符号
I
DD
I
SHDN
V
民
V
最大
F
OSC
F
SW
V
IH
V
IL
P
EFF
V
EFF
R
OUT
民
—
—
2.5
—
—
40
1.4
—
86
97.5
—
—
典型值
180
0.1
—
—
160
80
—
—
93
99.96
17
—
最大
300
1.0
—
4.0
—
125
—
0.4
—
—
—
30
单位
A
A
V
V
千赫
千赫
V
V
%
%
R
负载
=
SHDN = V
IN
R
负载
= 1.0 k
R
负载
= 1.0 k
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
IN
= V
民
到V
最大
V
IN
= V
民
到V
最大
R
负载
= 1.0 k
R
负载
=
R
负载
= 1.0 k
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
条件
开关频率为二分之一的内部振荡器的频率。
电容的贡献是输出阻抗约为26％ [ ESR = 1 /开关频率乘以
电容。
DS21516D第2页
2001-2012 Microchip的科技公司
TC1240/TC1240A
TC1240A电气规范
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，典型值适用于在T
A
= + 25°C 。最小和最大
值适用对于T
A
= -40 °至+ 85° C和V
IN
= + 5.0V ，C
1
= C
2
= 3.3 μF ， SHDN = GND 。
参数
电源电流
关断电源电流
最小电源电压
最大电源电压
输出电流
中的R总和
DS （ ON）
的
内部MOSFET开关
振荡器频率
开关频率
（注1 ）
关断输入逻辑高电平
关断输入逻辑低
功率英法fi效率
电压转换效率
输出电阻
（注2 ）
注1 ：
2:
符号
I
DD
I
SHDN
V
民
V
最大
I
负载
R
SW
F
OSC
F
SW
V
IH
V
IL
P
EFF
V
EFF
R
OUT
民
—
—
2.5
—
20
—
—
40
1.4
—
86
99
—
—
典型值
550
0.01
—
—
—
4
160
80
—
—
94
99.96
12
—
最大
900
1.0
—
5.5
—
8
—
125
—
0.4
—
—
—
25
单位
A
A
V
V
mA
千赫
千赫
V
V
%
%
I
负载
= 20毫安
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
V
IN
= V
民
到V
最大
V
IN
= V
民
到V
最大
I
负载
= 5毫安
R
负载
=
I
负载
= 20 A
T
A
= -40 ° C至+ 85°C
R
负载
=
SHDN = V
IN
条件
开关频率为二分之一的内部振荡器的频率。
电容的贡献是输出阻抗约为26％ [ ESR = 1 /开关频率乘以
电容。
2001-2012 Microchip的科技公司
DS21516D第3页
TC1240/TC1240A
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，典型值适用于在T
A
= +25°C.
700
450
400
电源电流（ μA ）
电源电流（ μA ）
600
500
400
300
200
100
0
2.00
3.00
4.00
电源电压（ V）
5.00
6.00
350
300
250
200
150
100
50
0
-50
-25
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 2.8V
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
图2-1：
电源电流与电源
电压（无负载） 。
输出源电阻（Ω ）
图2-4：
电源电流与
温度（无负载） 。
输出源电阻（Ω ）
25
20
V
IN
= 2.8V
15
V
IN
= 4.0V
10
5
0
-50
20
15
10
5
0
2.00
3.00
4.00
电源电压（ V）
5.00
6.00
-25
0
25
50
75
温度（℃）
100
125
图2-2：
输出源电阻
- 电源电压（使用R
负载
= 1 k)
1
0.9
0.8
电压降（ V）
图2-5：
输出源电阻
与温度的关系（有R
负载
= 1 k
100%
90%
电源效率（ ％ ）
80%
70%
60%
50%
40%
30%
20%
10%
0%
0
5
10
V
IN
= 2.5V
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 4.5V
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
5
10
15 20 25 30 35
负载电流（mA ）
40
45
50
V
IN
= 2.8V
V
IN
= 4.0V
15 20 25 30 35
负载电流（mA ）
40
45
50
图2-3：
负载电流。
输出电压降与
图2-6：
电流。
电源效率与负载
DS21516D第4页
2001-2012 Microchip的科技公司
QQ：2880707522 复制
