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M
特点
高效率,透过低输出负载电流
PFM模式
保险启动在0.9V
80 μA (典型值)电源电流
85%的典型效率在100mA
140毫安典型输出电流@ V
IN
=
2.0V
低功耗关断模式
无需外部开关晶体管所需
节省空间的SOT- 89封装
TC115
套餐类型
SOT-89-5
PS
5
GND
TC115
NC
1
PS
2
SHDN
3
4
LX
PFM / PWM升压型DC / DC转换器
应用
寻呼机
手机
掌上电脑
1节至3节电池供电系统
照相机,录像机
本地+ 3V至+ 5V电源
概述
该TC115是一款高效率的升压型DC / DC
转换器的小型,低输入电压或电池 -
供电系统。此装置具有起动电压
对0.9V和80 μA的典型电源电流。相
补偿和软启动电路包括导通
芯片。与传统的PWM升压转换器,
在TC115自动切换到脉冲频率
调制(PFM)在低负荷,从而降低
供给电流,提高了效率。
该TC115仅需要一个外部二极管,电感器
和电容器,同时支持典型的输出电流
的140毫安租金。供电电流减少到小于
0.5 μA (最大值)当SHDN输入被拉低。
小尺寸,低安装成本和低电源电流
使TC115升压转换器非常适合于使用
广泛的电池供电系统。
功能框图
L
1
100 H
墨田区
CD-54
+
1.5V
+
C
1
10 F
D
1
IN5817 +
C
2
47 F
+3V
OUT
PS
5
GND
4
LX
TC115
NC
1
PS
2
SHDN
3
1.5V至+ 3V 50 mA电源
2003 Microchip的技术公司
DS21361C第1页
TC115
1.0
电动
特征
引脚功能表
符号
NC
PS
SHDN
LX
GND
描述
没有连接
电源和电压检测输入
关断输入
电感开关量输出
接地端子
绝对最大额定值?
电源电压( PS ) ............................................ 12V ...
功耗................................................ ...... 500毫瓦
LX灌电流............................................... ....... 400毫安PK
SHDN输入电压............................................... ........... 12V
工作温度范围........................- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.........................- 40 ° C至+ 125°C
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,V
OUT
= 5V ,T
A
= + 25°C 。电路结构示于图5-1。
参数
工作电源电压
START- UP电源电压
LX最大灌电流
LX极限频率
LX限制电压
无负载电源电流
升压模式下电源电流
符号
V
IN
V
开始
I
LX
最大
f
LIM
VLX
LIM
I
DD
I
CC
0.9
0.7
典型值
200
13
80
最大
10.0
0.9
350
1.3
26
135
单位
V
V
mA
千赫
V
A
A
V
LX
= VLX
LIM
注2
I
OUT
= 0, V
IN
= V
OUT
×0.8 (注
3)
无需外部元件,
V
IN
= ( 0.95 x垂直
OUT
)适用于PS (或
V
DD
)输入
无需外部元件,
V
IN
= ( 1.1× V
OUT
)适用于PS
(或V
DD
)输入
SHDN = 0V
注2 ,注4
V
IN
= 2.2V最小(注
1)
V
LX
= 0.4V
无需外部元件
注4
注5
I
OUT
= 1毫安
条件
待机电源电流
I
STBY
9
17
A
关断电源电流
振荡器频率
输出电压
LX输出导通电阻
占空比
( PFM工作模式)
最大占空比
软启动时间
效率
SHDN输入逻辑高电平
SHDN输入逻辑低
注1 :
2:
3:
4:
5:
I
SD
f
OSC
V
OUT
RSWON
PFMDUTY
MAXDUT
Y
t
SS
h
V
IH
V
IL
85
V
R
x 0.975
10
80
4
0.75
100
V
R
1.4
17
87
10
85
0.5
115
V
R
x 1.025
2.4
25
92
20
0.20
A
千赫
V
%
%
毫秒
%
V
V
V
R
是标称工厂编程输出电压设置。
VLX
LIM
是在LX引脚上的电压(内部开关接通) ,这将导致振荡器运行以两倍名义
频率中,以限制开关电流通过内部N沟道开关晶体管。
测得的D
1
= MA735 (反向电流< 1 μA ,在10V反向电压) 。
随着TC115在PWM模式下工作。
参见第4.4节“行为当V
IN
大于工厂编程的V
OUT
设置“ 。
DS21361C第2页
2003 Microchip的技术公司
TC115
2.0
注意:
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供,仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围(例如,超出了规定的电源电压范围),因此不在担保范围内。
注意:
除非另有说明,V
OUT
= 5V ,T
A
= +25°C.
3.1
100
80
输出电压V
OUT
(V)
2.9
V
IN
= 1.0V
1.5V
2.0V
效率(%)
60
V
IN
= 1.0V
1.5V
2.0V
40
2.7
L1 = 100
H
C2 = 47
F(钽)
2.5
20
L1 = 100
H
C2 = 47
F(钽)
0
40
80
120
160
200
0
0
40
80
120
160
200
输出电流I
OUT
(MA )
输出电流I
OUT
(MA )
图2-1:
电流。
200
输出电压 - 输出
图2-3:
电流。
100
纹波电压VR ( MVP -P )
效率与输出
L1 = 100
H
C2 = 47
F(钽)
输入电流I
IN
(
A)
150
L1 = 100
H
C2 = 47
F(钽)
80
60
2.0V
100
40
1.5V
V
IN
= 1.0V
50
10
0
1.0
0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
40
80
120
160
200
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
OUT
(MA )
图2-2:
输入电压。
空载输入电流与
图2-4:
电流。
纹波电压与输出
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DS21361C第3页
TC115
3.0
引脚说明
3.2
关断输入( SHDN )
的引脚说明如表3-1所示。
在SHDN逻辑低电平暂停设备操作和
电源电流降低至小于0.5微安。该
设备恢复正常运行时, SHDN再次
拉高。
表3-1:
PIN号
1
2
3
4
5
引脚功能表
描述
没有连接
电源和电压检测输入
关断输入
电感开关量输出
接地端子
符号
NC
PS
SHDN
LX
GND
3.3
电感开关输出( LX )
LX是一个内部N沟道的开关转录的漏极
体管。该终端驱动外部电感器,其
最终提供给负载的电流。
3.4
接地端子( GND )
3.1
电源和电压检测输入
( ps的)
连接到电路地。
3.5
无连接( NC)
PS是一个双功能输入端,同时提供反馈
电压检测和内部芯片功耗。它应该是
连接稳压器输出(参见第5.0节,
“应用程序” ) 。
无内部连接。
DS21361C第4页
2003 Microchip的技术公司
TC115
4.0
详细说明
4.3
低功耗关断模式
该TC115是结合PFM / PWM升压
(升压)稳压器。它是在电池电源为电源特别有用
ERED 1 , 2和3的细胞的应用场合所要求的输出
放电流为140 mA或更小,并且尺寸/成本问题
一个关注的问题。该器件工作在PWM模式时,
输出负载足以要求以10%(或
更大)的占空比。而在PWM模式下, TC115
行为与其他任何PWM开关稳压器到
为92%的最大占空比。在低输出负载(即
输出负载需要< 10 %的占空比,以支持),则
TC115自动切换至脉冲频率MOD-
ulation (PFM)具有固定占空比的操作模式
25 % (最大值) ( 17 % ,典型值) 。而在PFM模式下,
电感器被调制与个别固定宽度的脉冲
只有以维持输出电压需要的。此操作
降低电源电流,从而提高电源
效率在低输出负载。
该TC115进入低功耗关断模式时,
SHDN为低电平。关断时,振荡器
处于关闭状态,内部开关被关断。正常
恢复时, SHDN被带到调节操作
高。 SHDN可连接至输入电源,如果不使用。
注意:
因为TC115使用外部
二极管,所述输入端之间的泄漏路径
电压和输出节点(通过
电感和二极管)的存在,而稳压
荡器处于关断。必须注意的
系统的设计以保证在输入电源
从负载关断期间是分离的。
4.4
行为当V
IN
较大
比工厂编程
V
OUT
环境
4.1
输入功率和传感
该TC115是从PS的输入,其电源
必须
连接到调节的输出,如图中
图5-1 。 PS还检测输出电压闭环
环路调节。启动电流是通过配
当输入电压初始施加的电感器。这
行动开始振荡,造成的电压
PS输入走高,自举稳压充分
操作。
4.2
输出二极管
在TC115被设计成操作为升压
稳压器而已。这样,V
IN
被假定为总是
小于工厂编程V
OUT
设置(V
R
).
工作与V的TC115
IN
& GT ; V
R
使调节
操作被暂停(和相应的供应
电流减小至9 μA ,典型值) ,直到V
IN
又是少
比V
R
。同时调节动作暂停,V
IN
is
连接到V
OUT
通过的串联组合
电感和肖特基二极管。必须小心,以
添加适当的隔离( MOSFET输出开关
或系统设计时,如果LDO后与关机)
这款V
IN
/V
OUT
泄漏路径是有问题的。
为获得最佳结果,使用肖特基二极管,如
MA735 , 1N5817 , EC10或同等学历。连接
之间的PS和LX引脚尽量靠近IC的二极管
可能。而超快二极管,可以使用低级艾菲
效率将导致由于其更高的正向电压
下降。由于普通整流器应避免
他们缓慢的恢复特性。
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