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TC110
PFM / PWM升压型DC / DC控制器
特点
保证启动时0.9V
50μA (典型值)电源电流(F
OSC
= 100kHz时)
300毫安输出电流@ V
IN
2.7V
0.5μA关断模式
100kHz和300kHz开关频率
选项
可编程软启动
84%的典型效率
小型封装: 5引脚SOT- 23A
概述
该TC110是一个升压(升压)转换器
即斥资输出电流高达300mA ,而
提供的84 %的典型效率。该TC110
通常在脉冲宽度调制模式下操作
( PWM ) ,可自动切换到脉冲频率
调制(PFM)在低输出负载为大于
效率。供电电流消耗为100kHz的版本
通常只有50μA ,并减小到小于
0.5μA当SHDN输入被拉低。调节器
在关断期间的操作被暂停。该TC110
接受输入电压从2.0V到10.0V ,用
0.9V的保证起动电压。
该TC110是采用小型5引脚SOT- 23A
封装,占用极小的电路板空间和用途
小的外部元件(在300kHz的版本允许
对于小于5mm表面贴装磁芯) 。
应用
掌上电脑
电池供电系统
正面的LCD偏置发生器
便携式传播者
功能框图
器件选型表
部分
TC110501ECT
TC110331ECT
TC110301ECT
TC110503ECT
TC110333ECT
TC110303ECT
+
产量
电压
(V)*
5.0
3.3
3.0
5.0
3.3
3.0
5引脚SOT- 23A
5引脚SOT- 23A
5引脚SOT- 23A
5引脚SOT- 23A
5引脚SOT- 23A
5引脚SOT- 23A
OSC 。
频率。
(千赫)
100
100
100
300
300
300
操作
温度。
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
电池
3V
10F
+
47H
D1
IN5817
V
OUT
Si9410DY
47F
+
5
EXT
4
GND
TC110
V
OUT
1
V
DD
2
SHDN / SS
3
R
OFF ON
*其他的输出电压是可用的。请联系
微芯片科技公司的详细信息。
C
套餐类型
* RC可选
5引脚SOT- 23A
EXT
5
GND
4
3V至5V电源
TC110
1
V
OUT
2
3
V
DD
SHDN / SS
注意:
5引脚SOT -23A相当于EIAJ的SC- 74A
2002年Microchip的科技公司
DS21355B第1页
TC110
1.0
电动
特征
绝对最大额定值*
在V电压
DD
, V
OUT
, SHDN引脚........ -0.3V至+ 12V
EXT输出电流................................... ±100 PK
在EXT引脚........................- 0.3V至V电压
DD
+0.3V
功耗为150mW .............................................
工作温度范围............. -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............. -40 ° C至+ 125°C
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
TC110电气规范
电气特性:
注意: 1 ,V
IN
= 0.6× V
R
, V
DD
= V
OUT
, T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
符号
V
DD
V
开始
I
DD
参数
工作电源电压
START- UP电源电压
升压模式下电源电流
2.0
255
85
V
R
x 0.975
15
0.65
典型值
120
130
180
50
50
70
20
20
22
11
11
11
0.05
300
100
V
R
25
32
29
20
20
19
13
84
最大
10.0
0.9
0.7
190
200
280
90
100
120
34
35
38
20
20
22
0.5
345
115
V
R
x 1.025
92
35
0.20
47
43
29
30
27
19
单位
V
V
V
A
注2
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
OUT
= SHDN = ( 0.95 x垂直
R
); f
OSC
= 300kHz的; V
R
= 3.0V
V
R
= 3.3V
V
R
= 5.0V
f
OSC
= 100kHz的; V
R
= 3.0V
V
R
= 3.3V
V
R
= 5.0V
V
OUT
= SHDN = (V
R
+ 0.5V ) ; F
OSC
= 300kHz的; V
R
= 3.0V
V
R
= 3.3V
V
R
= 5.0V
f
OSC
= 100kHz的; V
R
= 3.0V
V
R
= 3.3V
V
R
= 5.0V
SHDN = GND ,V
O
= (V
R
x 0.95)
测试条件
V
套牢
振荡器套牢电压
I
STBY
待机电源电流
A
I
SHDN
f
OSC
V
OUT
关断电源电流
振荡器频率
输出电压
A
千赫V
OUT
= SHDN = ( 0.95 x垂直
R
); f
OSC
= 300kHz的
f
OSC
= 100kHz的
V
%
%
V
V
注3
V
OUT
= SHDN = 0.95 x垂直
R
I
OUT
= 0毫安
V
OUT
= (V
R
x 0.95)
V
OUT
= (V
R
x 0.95)
V
OUT
= SHDN = (V
R
X 0.95 ) ; V
R
= 3.0V
V
R
= 3.3V
V
EXT
= (V
OUT
– 0.4V)
V
R
= 5.0V
V
OUT
= SHDN = (V
R
X 0.95 ) ; V
R
= 3.0V
V
R
= 3.3V
V
EXT
= 0.4V
V
R
= 5.0V
DTYMAX最大占空比
( PWM模式)
DTYPFM占空比( PFM模式)
V
IH
V
IL
REXTH
SHDN输入逻辑高电平
SHDN输入逻辑低
EXT导通电阻与V
DD
REXTL
EXT导通电阻到GND
η
1:
效率
%
2:
3:
V
R
= 3.0V ,我
OUT
= 120毫安
V
R
= 3.3V ,我
OUT
= 130毫安
V
R
= 5.0V ,我
OUT
= 200毫安
请参阅应用说明“操作模式”的说明澄清。
V
R
为出厂设定输出电压。
DS21355B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC110
2.0
引脚说明
的引脚说明如表2-1所示。
表2-1:
PIN号
( 5引脚SOT- 23A )
1
引脚功能表
符号
V
OUT
描述
内部设备的电源和电压检测输入。这种双重功能,输入提供的反馈信息
电压检测和内部芯片功耗。它应连接到所述调节器的输出。 (见
部分4.0,应用程序)。
电源电压输入。
关断输入。在此输入一个逻辑低电平暂停设备运行和供电电流
降低到小于0.5μA 。该设备恢复时, SHDN再次带来正常运行
高。一个RC电路,连接到该输入端也决定了软启动时间。
接地端子。
外部开关晶体管驱动互补输出。该引脚驱动外部开关
晶体管。它可以被连接到外部的外部双极晶体管或门电路的基
N沟道MOSFET 。 (见第4.0节,应用程序)。
2
3
V
DD
SHDN / SS
4
5
GND
EXT
2002年Microchip的科技公司
DS21355B第3页
TC110
3.0
详细说明
3.2
低功耗关断模式
该TC110是PFM / PWM升压型DC / DC控制器
用于系统由两个或更多个细胞,或操作
在低电压,线路供电的应用。它采用PWM
作为主要的调制方式,可自动
转换到PFM的输出占空比小于
大约25%。转换到PFM提供
降低电源电流,因此更高的工作
效率在低负载。该TC110采用外部
开关晶体管,允许建设的切换
稳压器为300mA的最大输出电流。
该TC110仅消耗70μA典型,供,
电流,并且可以被放置在一个0.5μA关断模式
通过将关断输入( SHDN )低。该
稳压器保持在关断模式下禁用时,
恢复正常运行,当SHDN被带到
高。其他功能还包括启动在V
IN
= 0.9V和
外部可编程软启动时间。
该TC110进入低功耗关断模式时,
SHDN为低电平。关断时,振荡器
被禁用,并且输出开关(内部或外部)
被切断。恢复正常调节操作时,
SHDN拉高。 SHDN可连接至所述输入
如果不使用供电。
注意:
由于TC110采用外部二极管,
输入电压之间的泄漏路径
和输出节点(通过电感
和二极管)的存在,而监管机构在
关机。必须注意系统
设计以确保输入电源被隔离
从关断期间的负荷。
3.3
软启动
3.1
经营模式
在TC110是由存在于所述的电压电
V
DD
输入。图3-1所述的应用电路和
图中的自举3-2显示的操作和
非自举模式。在自举模式下,
TC110从输出供电(启动电压是
用V提供
IN
通过电感和肖特基
二极管,而Q1关断) 。在自举模式下,
开关晶体管导通时更难,因为它的
栅极电压为高(由于该升压动作
调节器) ,从而导致更高的输出电流容量。
该TC110从输入电源供电,在非
自举模式。在这种模式下,对电源电流
在TC110被最小化。然而,驱动器施加到
开关晶体管的栅极从所述摆动
输入量,以地面,使晶体管的导
阻力增大,在低输入电压下。整体
效率增加,因为电源电流减小,
和较少的能量被消耗的充电和放电
MOSFET的栅极。而TC110是瓜拉尼
开球启动,在0.9V的器件来执行
规格为2.0V或更高。
软启动允许输出电压成逐步地
从0V到额定启动期间的输出值。这
动作最小化(或消除),过冲,并在
一般情况下,减少了电路元件的应力。
图3-3显示了实现软所需要的电路
的470K启动(价值观和0.1μF的R
SS
和C
SS
,
分别是适用于大多数的应用程序) 。
3.4
输入旁路电容器
使用输入旁路电容降低电流峰值
瞬变从输入电源吸收和降低
开关由调节所产生的噪声。源
输入电源的阻抗决定的大小
应中使用的电容器。
DS21355B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC110
图3-1:
自举工作
L1
100H
D1
IN5817
V
OUT
n
MTP3055EL C2
47F
5
EXT
4
GND
TC110XX
V
OUT
C1
33F
+
V
IN
1
V
DD
2
SHDN
3
OFF ON
图3-2:
非自举工作
L1
100H
D1
IN5817
V
OUT
n
MTP3055EL
5
EXT
4
GND
C2
47F
TC110XX
V
OUT
1
V
DD
2
SHDN
3
OFF ON
+
V
IN
C1
33F
图3-3:
软启动/关断电路
TC110XX
SHDN / SS
TC110XX
SHDN / SS
3
R
SS
470K
V
IN
C
SS
0.1F
3
R
SS
470K
SHDN
C
SS
0.1F
关闭未使用
关闭使用
2002年Microchip的科技公司
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