TC1072/TC1073
50毫安和百毫安CMOS LDO，具有关断，错误输出和V
REF
绕行
产品特点：
50 μA接地电流以延长电池寿命
非常低压差
为50 mA （ TC1072 ）和100mA （ TC1073 ）的选择
产量
高输出电压精度
标准或定制输出电压
节能关断模式
错误输出可以用作低电池
检测器或处理器复位发生器
旁路输入的超静音运行
过流和过热保护
节省空间的6引脚SOT- 23封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
标准输出电压选项：
- 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V,
3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V
其他输出电压可供选择。请
联系Microchip科技公司的详细信息。
概述
的TC1072和TC1073是高精度（通常
±0.5 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）低压差
监管机构。专为电池供电的设计
系统，器件的CMOS结构消除
浪费的接地电流，显著延长了电池
生活。总电源电流的典型值为50 μA在满负荷
（比双极型稳压器低20 60次） 。
该器件的主要特性包括超低噪声
操作（加上可选的旁路输入） ;非常低
压差电压（典型值为85 mV时， TC1072和180毫伏，
TC1073在满负荷）和快速响应步骤的变化
在负荷。一个错误输出（ ERROR ）的断言，当
设备外的调节（由于低输入
电压或输出电流过大） 。错误可以是
作为一个低电量警告或作为处理器
RESET信号（通过添加一个外部的RC
网络）。电源电流降至0.5 μA （最大值）
和两个V
OUT
和ERROR被禁用时，
关断输入为低。该器件集成了两个
过热和过电流保护。
该TC1072和TC1073是稳定的输出
仅1 μF电容，并有一个最大输出
电流为50毫安， 100毫安，分别。对于更高
输出电流的版本，请参阅TC1185 ，
TC1186 ， TC1187 （我
OUT
= 150 mA）的和TC1107 ，
TC1108和TC1173 （我
OUT
= 300 mA）的数据表。
应用范围：
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
套餐类型
6引脚SOT- 23
V
OUT
绕道错误
6
5
4
典型应用电路
R
P
V
IN
1
V
IN
V
OUT
6
+
1
F
V
OUT
TC1072
TC1073
2
GND
绕行
5
C
绕行
470 pF的
1
V
IN
2
GND
3
SHDN
3
SHDN
错误
4
错误
关断控制
（从功率控制逻辑）
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TC1072/TC1073
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Absolute下上市
最大Ratings"可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值？
输入电压................................................ ......... 6.5V
输出电压........................... （ -0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
功耗................内部限制
（注6 ）
任何引脚........ V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作温度范围...... -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
存储温度..........................- 65°C至+ 150°C
TC1072 / TC1073电气规范
电气特性：
除非另有说明，V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 0.1毫安，C
L
= 3.3
μF,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
符号
V
IN
I
OUT
最大
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/ΔV
IN
ΔV
OUT
/V
OUT
V
IN
-V
OUT
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
输入输出电压差
民
2.7
50
100
V
R
–
2.5%
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
最大
6.0
—
—
单位
V
mA
mA
V
PPM /°C的
%
%
mV
测试条件
注9
TC1072
TC1073
注1
注2
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
6V
I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
（注3）
I
L
- 0.1毫安
I
L
= 20毫安
I
L
= 50毫安
I
L
= 100毫安
（注4） ，
TC1073
SHDN = V
IH
, I
L
=
0
（注8）
SHDN = 0V
F
RE
≤
1千赫
V
OUT
= 0V
注5 ，第6
V
R
±0.5%
V
R
+ 2.5%
20
40
0.05
0.5
2
65
85
180
50
0.05
64
300
0.04
160
10
260
—
—
0.35
2.0
—
—
120
250
80
0.5
—
450
—
—
—
—
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUT
SC
ΔV
OUT
/ΔP
D
T
SD
ΔT
SD
eN
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
9:
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
热关断管芯温度
热关断迟滞
输出噪声
A
A
dB
mA
V / W
°C
°C
纳伏/赫兹÷
I
L
= I
OUT
最大
470 pF的从旁路到GND
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 2.5V, 2.7V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
) x 10
6
V
OUT
x
ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
在0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入时，输出电压低于其标称值2 ％输出电压差。
温度调节是德网络定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载或
行调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结温度和
热阻结到空气中（即，T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件触发
热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
滞后电压由V引用
R
.
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
最小V
IN
有证明的条件= V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
.
DS21354D第2页
2007 Microchip的技术公司
TC1072/TC1073
TC1072 / TC1073电气规范（续）
电气特性：
除非另有说明，V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 0.1毫安，C
L
= 3.3
μF,
SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
符号
SHDN输入
V
IH
V
IL
V
IN
民
V
OL
V
TH
V
HYS
t
延迟
记
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
9:
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
最小V
IN
工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
OUT
为ERROR延迟
45
—
1.0
—
—
—
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
2.5
—
15
—
400
—
—
—
%V
IN
%V
IN
V
mV
V
mV
ms
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
ERROR开漏输出
1毫安流为ERROR
SEE
图4-2
注7：
VOUT下降从V
R
to
V
R
-10%
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 2.5V, 2.7V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
) x 10
6
V
OUT
x
ΔT
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度是在负载范围内测试
在0.1 mA至规定的最大输出电流。热效应引起的输出电压的变化都包括在热
监管规范。
电压差定义为输入时，输出电压低于其标称值2 ％输出电压差。
温度调节是德网络定义为在功耗变化后输出电压的变化在时间T ，不包括负载或
行调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结温度和
热阻结到空气中（即，T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗会导致器件触发
热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑”
了解更多详情。
滞后电压由V引用
R
.
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
最小V
IN
有证明的条件= V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
.
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TC1072/TC1073
2.0
注意：
典型特性曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
漏失电压与温度的关系
(V
OUT
= 3.3V)
漏失电压与温度的关系
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 50毫安
0.020
0.018
0.100
I
负载
= 10毫安
漏失电压（ V）
漏失电压（ V）
0.090
0.080
0.070
0.060
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0
20
50
温度（℃）
70
125
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
-40
-20
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
0.000
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
0.200
0.180
漏失电压（ V）
0.160
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
漏失电压与温度的关系
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 100毫安
漏失电压（ V）
0.300
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
-40
-20
0
20
50
70
125
漏失电压与温度的关系
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 150毫安
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
温度（℃）
90
80
地电流与V
IN
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 10毫安
90
80
地电流与V
IN
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 100毫安
接地电流（
μ
A)
60
50
40
30
20
10
0
接地电流（
μ
A)
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
70
70
60
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
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2007 Microchip的技术公司
TC1072/TC1073
注意：
除非另有说明，所有的份数是在温度= + 25 ℃下测定。
80
70
GND电流（ μA ）
地电流与V
IN
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 150毫安
3.5
V
OUT
与
V
IN
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 0
3
2.5
60
V
OUT
(V)
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
50
40
30
20
10
0
2
1.5
1
0.5
0
0
0.5 1 1.5
2 2.5 3 3.5
4 4.5 5
5.5 6 6.5 7
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
V
IN
(V)
3.5
3.0
2.5
V
OUT
(V)
V
OUT
与
V
IN
(V
OUT
= 3.3V)
3.320
输出电压与温度的关系
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 10毫安
I
负载
= 100毫安
3.315
3.310
3.305
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
V
OUT
(V)
3.300
3.295
3.290
3.285
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
3.280
3.275
-40
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
V
IN
= 4.3V
-20
-10
0
20
40
85
125
温度（℃）
3.290
3.288
3.286
输出电压与温度的关系
(V
OUT
= 3.3V)
I
负载
= 150毫安
V
OUT
(V)
3.284
3.282
3.280
3.278
3.276
3.274
-40
-20
-10
0
20
40
85
125
C
IN
= 1μF
C
OUT
= 1μF
V
IN
= 4.3V
温度（℃）
2007 Microchip的技术公司
DS21354D第5页
QQ：2880707522 复制
