TC1054/TC1055/TC1186
50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO，具有关断
和错误输出
特点
低接地电流以延长电池寿命
低压差
为50 mA （ TC1054 ）的选择，百毫安（ TC1055 ）
和150 MA（ TC1186 ）输出
高输出电压精度
标准或定制输出电压：
- 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V,
3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V
节能关断模式
错误输出可以用作低电池
检测器或微控制器复位发生器
过流和过热保护
5引脚SOT- 23封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
概述
该TC1054 ， TC1055和TC1186是高精度
（典型值为± 0.5 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）
低压差稳压器。特别设计
电池供电系统中，器件的CMOS
最大限度地减少施工接地电流，延长
电池寿命。总电源电流的典型值为50 μA满
负载（比双极型稳压器低20 60次） 。
该器件的主要特性包括低噪音运行，
低压差 - 通常为85毫伏（ TC1054 ）
180毫伏（ TC1055 ）和270毫伏（ TC1186 ）在满负荷 -
和快速响应阶跃变化的负载。一个错误
输出（错误）断言，当设备输出
的调节（由于低输入电压或过
输出电流）。误差可以被用作低电池
警告或作为处理器的复位信号（与
另外一个外部RC网络） 。供电电流
降至0.5μA （最大值） ，具有两个V
OUT
和错误
当关断输入为低电平禁用。该器件
既过热和过电流引入
保护。
该TC1054 ， TC1055和TC1186是稳定的
仅1 μF输出电容，并有一个最大
50 mA的输出电流100 mA和150毫安，
分别。对于更高的输出电流调节器，
请参考TC1173 （我
OUT
= 300 mA）的数据表
(DS21632).
应用
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
典型用途
1
5
+
1 F
套餐类型
5引脚SOT- 23
V
OUT
5
TC1054
TC1055
TC1186
错误
V
IN
V
IN
V
OUT
V
OUT
错误
4
2
GND
TC1054
TC1055
TC1186
1 MΩ
3
SHDN
错误
4
1
V
IN
2
GND
3
SHDN
注意：
5引脚SOT- 23相当于EIAJ （SC- 74A ）
关断控制
（从功率控制逻辑）
2007 Microchip的技术公司
DS21350D第1页
TC1054/TC1055/TC1186
1.0
电动
特征
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ .................... 6.5V
输出电压..................................... （ - 0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
功耗.........................内部限制
（注6 ）
任何引脚................... V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作结温范围.. -40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
符号
V
IN
I
OUT
最大
民
2.7
50
100
150
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
20
40
0.05
0.5
0.5
2
65
85
180
270
50
0.05
64
300
0.04
160
10
最大
6.0
—
—
—
—
—
0.35
2
3
—
—
120
250
400
80
0.5
—
450
—
—
—
单位
V
mA
注8
TC1054
TC1055
TC1186
注1
条件
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率：
TC1054 ; TC1055
TC1186
压差电压：
V
OUT
TCV
OUT
ΔV
OUT
/ΔV
IN
ΔV
OUT
/V
OUT
V
R
– 2.5%
V
R
±0.5%
V
R
+ 2.5%
V
PPM /°C的
注2
%
%
mV
(V
R
+ 1V)
≤
V
IN
≤
6V
（注3）
I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
I
L
= 100 A
I
L
= 20毫安
I
L
= 50毫安
I
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
（注4 ）
SHDN = V
IH
, I
L
= 0 A
（注9 ）
SHDN = 0V
f
≤
1千赫
V
OUT
= 0V
注5 ，第6
V
IN
-V
OUT
TC1055 ; TC1186
TC1186
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
热关断模
温度
热关断迟滞
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUT
SC
ΔV
OUT
/ΔP
D
T
SD
ΔT
SD
A
A
dB
mA
V / W
°C
°C
注1 ：
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.7V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
2:
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
)x 10
6
V
OUT
x
ΔT
3:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
4:
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压降到2％低于其标称
值。
5:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
6:
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结
温度和热敏电阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑” ，
“ 1-93
发作注意事项“ ，了解更多详情。
7:
滞后电压由V引用
R
.
8:
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
.
9:
适用于-40°C的结温为+ 85℃ 。
DS21350D第2页
2007 Microchip的技术公司
TC1054/TC1055/TC1186
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输出噪声
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
错误输出
最小V
IN
工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
OUT
为ERROR延迟
V
IN
民
V
OL
V
TH
V
HYS
t
延迟
1.0
—
—
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
2.5
—
400
—
—
—
V
mV
V
mV
ms
1毫安流为ERROR
SEE
图4-2
注7：
V
OUT
FALLING FROM V
R
到V
R
- 10%
V
IH
V
IL
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
符号
eN
民
—
典型值
260
最大
—
单位
条件
内华达州/ √Hz的我
L
= I
OUT
最大
注1 ：
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.7V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V.
2:
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
)x 10
6
V
OUT
x
ΔT
3:
调节测量时使用低占空比脉冲测试结温恒定。负载稳定度测试
在负载范围内0.1 mA至规定的最大输出电流。由于加热而改变的输出电压
影响覆盖的热调节规范。
4:
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压降到2％低于其标称
值。
5:
热稳定度定义为在功耗变化应用后输出电压的变化在时间T ，
不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
6:
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许结
温度和热敏电阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
θ
JA
） 。超过最大允许功耗
散热导致器件触发热关断。请参阅
第5.0节“散热考虑” ，
“ 1-93
发作注意事项“ ，了解更多详情。
7:
滞后电压由V引用
R
.
8:
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
≥
V
R
+ V
降
和V
IN
≥
2.7V的I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
.
9:
适用于-40°C的结温为+ 85℃ 。
2007 Microchip的技术公司
DS21350D第3页
TC1054/TC1055/TC1186
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，否则
V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
0.020
0.018
0.100
I
负载
= 10毫安
漏失电压（ V）
0.090
0.080
0.070
0.060
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0.000
0
20
50
温度（℃）
70
125
I
负载
= 50毫安
漏失电压（ V）
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
-40
-20
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
图2-1：
压差 -
温度（I
负载
= 10 mA）的。
0.200
0.180
漏失电压（ V）
图2-4：
压差 -
温度（I
负载
= 50 mA）的。
0.300
I
负载
= 100毫安
I
负载
= 150毫安
漏失电压（ V）
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
0.160
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
-40
-20
0
20
50
70
125
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
温度（℃）
图2-2：
压差 -
温度（I
负载
= 100 mA）的。
90
80
图2-5：
压差 -
温度（I
负载
= 150 mA）的。
90
I
负载
= 10毫安
接地电流（
μ
A)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
I
负载
= 100毫安
接地电流（
μ
A)
70
60
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
图2-3：
(I
负载
= 10 mA）的。
地电流与V
IN
图2-6：
(I
负载
= 100 mA）的。
地电流与V
IN
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2007 Microchip的技术公司
TC1054/TC1055/TC1186
注意：
除非另有说明，否则
V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
80
70
GND电流（ μA ）
3.5
I
负载
= 150毫安
I
负载
= 0
3
2.5
60
V
OUT
(V)
50
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
2
1.5
1
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0.5
0
0
0.5 1 1.5
2 2.5 3 3.5
4 4.5 5
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
图2-7：
(I
负载
= 150 mA）的。
3.5
3.0
2.5
V
OUT
(V)
地电流与V
IN
图2-10：
(I
负载
= 0 mA）的。
3.320
V
OUT
与V
IN
I
负载
= 100毫安
3.315
3.310
3.305
I
负载
= 10毫安
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
V
OUT
(V)
3.300
3.295
3.290
3.285
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
3.280
3.275
-40
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
V
IN
= 4.3V
-20
-10
0
20
40
85
125
温度（℃）
图2-8：
(I
负载
= 100 mA）的。
3.290
3.288
3.286
V
OUT
与V
IN
图2-11：
输出电压（ 3.3V ）与
温度（I
负载
= 10 mA）的。
5.025
5.020
5.015
I
负载
= 150毫安
I
负载
= 10毫安
V
OUT
(V)
3.282
3.280
3.278
3.276
3.274
-40
-20
-10
0
20
40
85
125
V
OUT
(V)
3.284
5.010
5.005
5.000
4.995
4.990
4.985
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
V
IN
= 4.3V
V
IN
= 6V
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
-40
-20
-10
0
20
40
85
125
温度（℃）
温度（℃）
图2-9：
(I
负载
= 150 mA）的。
V
OUT
与V
IN
图2-12：
输出电压（ 5V ）与
温度（I
负载
= 10 mA）的。
2007 Microchip的技术公司
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50毫安100 mA和150毫安CMOS LDO，具有关断和错误输出
特点
低接地电流以延长电池寿命
低压差
为50 mA （ TC1054 ）的选择，百毫安（ TC1055 ）
和150 MA（ TC1186 ）输出
高输出电压精度
标准或定制输出电压：
- 1.8V, 2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 3.0V,
3.3V, 3.6V, 4.0V, 5.0V
节能关断模式
错误输出可以用作低电池
检测器或微控制器的复位发生器
过流和过热保护
5引脚SOT- 23封装
引脚兼容的升级双极型稳压器
概述
该TC1054 ， TC1055和TC1186是高精度
（典型值为± 0.5 ％ ） CMOS升级为老年人（双极）
低压差稳压器。特别设计
电池供电系统中，器件的CMOS
最大限度地减少施工接地电流，延长
电池寿命。总电源电流的典型值为50 μA满
负载（比双极型稳压器低20 60次） 。
该器件的主要特性包括低噪音运行，
低压差 - 通常为85毫伏（ TC1054 ）
180毫伏（ TC1055 ）和270毫伏（ TC1186 ）在满负荷 -
和快速响应阶跃变化的负载。一个错误
输出（错误）断言，当设备
外的调节（由于低输入电压或
过度的输出电流）。误差可以被用作一个
低电量警告或作为处理器的RESET信号
（加一个外部RC网络） 。供应
电流降至0.5μA （最大） ，具有两
V
OUT
和错误而禁用时，关断输入
低。该器件集成了两个过热
和过电流保护。
该TC1054 ， TC1055和TC1186是稳定的
仅1μF的输出电容，并具有最大的
50 mA的输出电流100 mA和150毫安，
分别。对于更高的输出电流调节器，
请参考TC1173 （我
OUT
= 300 mA）的数据表
(DS21632).
应用
电池供电系统
手提电脑
医疗器械
仪器仪表
移动/ GSM / PHS手机
线性后稳压开关电源
寻呼机
典型用途
1
V
OUT
5
套餐类型
5引脚SOT- 23
V
OUT
5
TC1054
TC1055
TC1186
错误
1
V
IN
2
GND
3
SHDN
错误
4
V
IN
V
IN
V
OUT
+
1 F
1 M
2
TC1054
TC1055
TC1186
GND
3
SHDN
错误
4
注意：
5引脚SOT- 23相当于EIAJ （SC- 74A ）
关断控制
（从功率控制逻辑）
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21350E第1页
TC1054/TC1055/TC1186
1.0
电动
特征
注意：
注意，超出上述"Absolute下上市
最大Ratings"可能会造成永久性损坏
该设备。这些压力额定值只和功能
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的操作部分显示
规格是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
输入电压................................................ .................. 6.75V
输出电压..................................... （ -0.3V ）至（v
IN
+ 0.3V)
功耗.........................内部限制
（注
6)
任何引脚................... V最大电压
IN
+ 0.3V至-0.3V
工作结温范围.. -40°C <T
J
＆ LT ; + 125°C
储存温度.....................................- 65 ° C至+ 150°C
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入工作电压
最大输出电流
符号
V
IN
I
OUT
最大
民
2.7
50
100
150
典型值
—
—
—
—
20
40
0.05
0.5
0.5
最大
6.50
—
—
—
单位
V
mA
条件
注8
TC1054
TC1055
TC1186
输出电压
V
OUT
温度
系数
线路调整
负载调整率
V
OUT
TCV
OUT
V
OUT
/V
IN
V
R
– 2.5%
V
R
±0.5%
V
R
+ 2.5%
—
—
—
—
—
—
—
0.35
2
3
V
注1
PPM /°C的
注2
%
%
(V
R
+ 1V)
V
IN
6V
（注
3)
I
L
= 0.1 mA至我
OUT
最大
TC1054 ; TC1055
V
OUT
/V
OUT
TC1186
注1 ：
2:
3:
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.7V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V,
4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
)x 10
6
V
OUT
x
T
4:
5:
6:
7:
8:
9:
调节时使用低占空比脉冲测量的结温恒定。负载稳压
集是在0.1 mA的测试负载范围内到指定的最大输出电流。改变输出
电压因热效应所用的热调节规范。
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压下降到低于2 ％的
标称值。
热稳定度定义为耗散的功率变化后输出电压的变化在时间T
化应用，不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许
结温度和热敏电阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
JA
） 。超过
最大允许功耗会导致器件触发热关断。看
第5.0节
“散热考虑”
了解更多详情。
滞后电压由V引用
R
.
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
V
R
+ V
降
和V
IN
2.7V的I
L
= 0.1 mA至
I
OUT
最大
.
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
DS21350E第2页
2002-2012 Microchip的科技公司
TC1054/TC1055/TC1186
直流特性（续）
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
粗体
参数值适用于-40 ° C至+ 125°C的结温。
参数
输入输出电压差
符号
V
IN
– V
OUT
民
—
—
—
典型值
2
65
85
180
270
50
0.05
64
300
0.04
160
10
260
—
—
—
—
0.95 x垂直
R
50
2.5
最大
—
—
120
250
400
80
0.5
—
450
—
—
—
—
—
15
—
400
—
—
—
单位
mV
条件
I
L
= 100 A
I
L
= 20毫安
I
L
= 50 m
I
L
= 100毫安
I
L
= 150毫安
（注
4)
TC1055 ; TC1186
TC1186
电源电流
关断电源电流
电源抑制比
输出短路电流
热调节
热关断
模温机
热关断迟滞
输出噪声
SHDN输入
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
错误输出
最小V
IN
工作电压
输出逻辑低电压
误差阈值电压
ERROR正向回
V
OUT
为ERROR延迟
注1 ：
2:
3:
V
IN
民
V
OL
V
TH
V
HYS
t
延迟
V
IH
V
IL
I
IN
I
INSD
PSRR
I
OUT
SC
V
OUT
/P
D
T
SD
T
SD
eN
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
45
—
1.0
—
—
—
—
A
A
dB
mA
V / W
°C
°C
SHDN = V
IH
,
I
L
= 0 A
（注
9)
SHDN = 0V
f
1
千赫
V
OUT
= 0V
注5 ，第6
内华达州/ √Hz的我
L
= I
OUT
最大
%V
IN
%V
IN
V
mV
V
mV
ms
1毫安流为ERROR
SEE
图4-2
注7：
V
OUT
掉落
V
R
到V
R
– 10%
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
R
是稳压器输出电压设定。例如： V
R
= 1.8V, 2.5V, 2.7V, 2.85V, 3.0V, 3.3V, 3.6V,
4.0V, 5.0V.
TC V
OUT
= (V
OUT
最大
– V
OUT
民
)x 10
6
V
OUT
x
T
4:
5:
6:
7:
8:
9:
调节时使用低占空比脉冲测量的结温恒定。负载稳压
集是在0.1 mA的测试负载范围内到指定的最大输出电流。改变输出
电压因热效应所用的热调节规范。
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压下降到低于2 ％的
标称值。
热稳定度定义为耗散的功率变化后输出电压的变化在时间T
化应用，不包括负载和线路调节作用。规范针对电流脉冲等于I
L
最大
在V
IN
= 6V为T = 10毫秒。
允许的最大功耗是环境温度的函数，最大允许
结温度和热敏电阻从结到空气（即T
A
, T
J
,
JA
） 。超过
最大允许功耗会导致器件触发热关断。看
第5.0节
“散热考虑”
了解更多详情。
滞后电压由V引用
R
.
最小V
IN
有证明的条件： V
IN
V
R
+ V
降
和V
IN
2.7V的I
L
= 0.1 mA至
I
OUT
最大
.
适用于-40 ° C至+ 85 ° C的结温。
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21350E第3页
TC1054/TC1055/TC1186
2.0
注意：
典型性能曲线
提供了以下说明中的图表是一个统计结果的数量有限
提供，仅供参考样本和。在所列特性
未经过测试或保证。一些图表中列出的数据可能是指定的外
工作范围（例如，超出了规定的电源电压范围），因此不在担保范围内。
注意：
除非另有说明，V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
0.020
0.018
0.100
I
负载
= 10毫安
0.090
漏失电压（ V）
I
负载
= 50毫安
漏失电压（ V）
0.016
0.014
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
0.002
0.000
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
0.080
0.070
0.060
0.050
0.040
0.030
0.020
0.010
0.000
-40
-20
0
20
50
温度（℃）
70
125
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
图2-1：
压差 -
温度（I
负载
= 10 mA）的。
0.200
0.180
漏失电压（ V）
图2-4：
压差 -
温度（I
负载
= 50 mA）的。
0.300
I
负载
= 100毫安
I
负载
= 150毫安
漏失电压（ V）
0.160
0.140
0.120
0.100
0.080
0.060
0.040
0.020
0.000
-40
-20
0
20
50
70
125
0.250
0.200
0.150
0.100
0.050
0.000
-40
-20
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0
20
50
温度（℃）
70
125
温度（℃）
图2-2：
压差 -
温度（I
负载
= 100 mA）的。
90
80
接地电流（
μ
A)
图2-5：
压差 -
温度（I
负载
= 150 mA）的。
90
I
负载
= 10毫安
接地电流（
μ
A)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
I
负载
= 100毫安
70
60
50
40
30
20
10
0
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
图2-3：
(I
负载
= 10 mA）的。
地电流与V
IN
图2-6：
(I
负载
= 100 mA）的。
地电流与V
IN
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2002-2012 Microchip的科技公司
TC1054/TC1055/TC1186
注意：
除非另有说明，V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 100 μA ，C
L
= 3.3 μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= +25°C.
80
70
GND电流（ μA ）
3.5
I
负载
= 150毫安
I
负载
= 0
3
2.5
60
V
OUT
(V)
50
40
30
20
10
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5
V
IN
(V)
2
1.5
1
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0.5
0
0
0.5 1 1.5
2 2.5 3 3.5
4 4.5 5
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
图2-7：
(I
负载
= 150 mA）的。
3.5
3.0
2.5
V
OUT
(V)
地电流与V
IN
图2-10：
(I
负载
= 0 mA）的。
3.320
V
OUT
与V
IN
I
负载
= 100毫安
3.315
3.310
3.305
I
负载
= 10毫安
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
V
OUT
(V)
3.300
3.295
3.290
3.285
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7
V
IN
(V)
3.280
3.275
-40
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
V
IN
= 4.3V
-20
-10
0
20
40
85
125
温度（℃）
图2-8：
(I
负载
= 100 mA）的。
3.290
3.288
3.286
V
OUT
(V)
V
OUT
与V
IN
图2-11：
输出电压（ 3.3V ）与
温度（I
负载
= 10 mA）的。
I
负载
= 150毫安
5.025
5.020
5.015
V
OUT
(V)
I
负载
= 10毫安
3.284
3.282
3.280
3.278
3.276
3.274
-40
-20
-10
0
20
40
85
125
5.010
5.005
5.000
4.995
4.990
4.985
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
V
IN
= 4.3V
V
IN
= 6V
C
IN
= 1
μF
C
OUT
= 1
μF
-40
-20
-10
0
20
40
85
125
温度（℃）
温度（℃）
图2-9：
(I
负载
= 150 mA）的。
V
OUT
与V
IN
图2-12：
输出电压（ 5V ）与
温度（I
负载
= 10 mA）的。
2002-2012 Microchip的科技公司
DS21350E第5页
