TC1037/TC1038/TC1039
线性积木 - 单比较器，SOT封装
特点
小型SOT -23A封装
优化了对单电源供电
超低输入偏置电流：比为100pA减
低静态电流： 4μA （ TC1037 ）
关断模式： 4μA ， 0.05μA （ TC1038 ）
6μA （ TC1039 ）
关断模式（ TC1038 ）
2.0 ％精度独立的电压参考
(TC1039)
轨至轨输入和输出
操作下来到V
DD
= 1.8V
概述
在TC1037 / TC1038 / TC1039是单一的，低功耗
比较器专为低功耗应用。
这些比较是特别设计
操作采用单电源供电。然而，操作
从双电源供电也是可能的，并且电源
电流是独立的功率的大小的
电源电压。在TC1037 / TC1038 / TC1039操作
由两节1.5V碱性电池下降到V
DD
= 1.8V 。活跃
电源电流为4μA的TC1037 / TC1038和6μA
为TC1039 。这些输入和输出摆幅
设备是轨至轨。
低电平有效关断输入， SHDN ，可在
在TC1038和禁用比较，将其
输出处于高阻抗状态。该TC1038画
只有0.05μA （典型值）时，关断模式下为
活跃的。
一个内部偏置1.20V带隙基准是
包括在TC1039 。引用是准确的
2.0 ％的容差。该参考文献是独立的
比较器的TC1039 。
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
封装在一个5引脚SOT- 23A （ TC1037 ）或6引脚
SOT- 23A （ TC1038 / TC1039 ） ，这些单比较
适用于需要高集成度的应用，
小尺寸和低功耗。
应用
电源管理电路
电池供电设备
消费类产品
器件选型表
产品型号
TC1037CECT
TC1038CECH
TC1039CECH
包
5引脚SOT- 23A
6引脚SOT- 23A
6引脚SOT- 23A
功能框图
产量
1
2
–
4
IN-
+
3
5
V
DD
封装类型
5引脚SOT- 23A
V
DD
5
IN-
4
6引脚SOT- 23A
V
DD
6
SHDN
5
IN-
4
V
SS
IN +
TC1037
TC1037ECT
1
2
3
IN +
TC1038ECH
1
2
3
IN +
产量
V
SS
IN +
1
2
–
+
3
6
5
4
V
DD
SHDN
IN-
输出电压V
SS
输出电压V
SS
6引脚SOT- 23A
V
DD
6
REF
5
IN-
4
TC1038
产量
V
SS
1
2
–
+
3
电压
参考
6
5
4
TC1039ECH
1
2
3
IN +
V
DD
REF
IN-
输出电压V
SS
IN +
注意：
5引脚SOT -23A相当于EIAJ的SC- 74A 。
6引脚SOT- 23A相当于EIAJ的SC- 74 。
TC1039
2002年Microchip的科技公司
DS21344B第1页
TC1037/TC1038/TC1039
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ...... 6.0V
任何引脚.......... （ V电压
SS
- 0.3V ）至（v
DD
+ 0.3V)
结温....................................... + 150°C
工作温度范围............. -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............. -55 ° C至+ 150°C
TC1037 / TC1038 / TC1039电气规范
电气特性：
典型值适用于25℃和V
DD
= 3.0V 。最低和最高值适用对于T
A
= -40 °到
+ 85°C和V
DD
= 1.8V至5.5V ，除非另有说明。
符号
V
DD
I
Q
I
SHDN
参数
电源电压
电源电流，工作（ TC1039 ）
(TC1037/TC1038)
电源电流关断模式
（仅TC1038 ）
输入高门槛
输入低阈值
关断输入电流
在关断输出电阻
输出电容在关机
选择时间
取消选择时间
民
1.8
—
—
—
典型值
—
6
4
—
最大
5.5
10
8
0.3
单位
V
A
A
A
所有输出卸载，
SHDN = V
DD
对于TC1038
SHDN = V
SS
测试条件
关断输入（ TC1038只）
V
IH
V
IL
I
SI
比较
R
OUT
（SD）的
C
OUT
（SD）的
T
SEL
T
DESEL
V
ICMR
A
VOL
增益带宽积
V
OS
I
B
V
OH
V
OL
CMRR
PSRR
I
SRC
20
—
—
—
—
—
20
500
—
100
90
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
—
V
DD
+ 0.2
—
—
+5
+5
±100
—
0.3
—
—
—
M
pF
微秒
纳秒
V
V / MV
千赫
mV
mV
pA
V
V
dB
dB
mA
R
L
= 10kΩ的，V
DD
= 5V
V
DD
= 1.8V至5.5V ;
V
O
= V
DD
到V
SS
V
DD
= 3V, V
CM
= 1.5V ，T
A
= 25°C,
T
A
= -40 ° C至85°C
T
A
= 25°C;
IN + ， IN- = V
DD
到V
SS
R
L
= 10kΩ至V
SS
R
L
= 10kΩ至V
DD
T
A
= 25°C ; V
DD
= 5V;
V
CM
= V
DD
到V
SS
T
A
= 25°C ; V
CM
= 1.2V;
V
DD
= 1.8V至5V
IN + = V
DD
， IN- = V
SS
输出短路到V
SS
V
DD
= 1.8V
IN + = V
SS
， IN- = V
SS
输出短路到V
SS
V
DD
= 1.8V
100mV的过载，C
L
= 100pF的
10mV的过载，C
L
= 100pF的
SHDN = V
SS
（仅TC1038 ）
SHDN = V
SS
（仅TC1038 ）
V
OUT
有效期从SHDN = V
IH
R
L
= 10kΩ至V
SS
（仅TC1038 ）
V
OUT
有效期从SHDN = V
IL
R
L
= 10kΩ至V
SS
80% V
DD
—
—
—
—
—
—
20% V
DD
±100
V
V
nA
共模输入电压范围V
SS
– 0.2
大信号电压增益
增益带宽积
输入失调电压
输入偏置电流
输出高电压
输出低电压
共模抑制比
电源抑制比
输出源电流
—
—
–5
–5
—
V
DD
– 0.3
—
66
60
1
I
SINK
输出灌电流
2
—
—
mA
T
PD1
T
PD2
响应时间
响应时间
—
—
4
6
—
—
微秒
微秒
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2002年Microchip的科技公司
TC1037/TC1038/TC1039
TC1037 / TC1038 / TC1039电气规范（续）
电气特性：
典型值适用于25℃和V
DD
= 3.0V 。最低和最高值适用对于T
A
= -40 °到
+ 85°C和V
DD
= 1.8V至5.5V ，除非另有说明。
符号
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
参考电压（ TC1039只）
V
REF
I
REF （ SINK ）
C
L（ REF ）
E
VREF
e
VREF
参考电压
灌电流
负载电容
噪声电压
噪声电压密度
1.176
50
50
—
—
—
1.200
—
—
—
20
1.0
1.224
—
—
100
—
—
V
A
A
pF
V
RMS
100Hz至100kHz的
μV / √Hz的
1kHz
I
REF （ SOURCE ）
源出电流
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TC1037/TC1038/TC1039
2.0
引脚说明
引脚说明如表2-1所示。
表2-1：
PIN号
TC1037
（ 5引脚SOT- 23A ）
1
2
3
4
5
引脚功能表
符号
产量
V
SS
IN +
IN-
V
DD
比较器的输出。
负电源。
比较器的非反相输入。
比较器的反相输入端。
正电源。
描述
PIN号
TC1038
（ 6引脚SOT- 23A ）
1
2
3
4
5
6
符号
产量
V
SS
IN +
IN-
SHDN
V
DD
比较器的输出。
负电源。
比较器的非反相输入。
比较器的反相输入端。
描述
低电平有效关断输入（ TC1038只） 。该引脚上的低投入禁用比较
并将输出端处于高阻抗状态。
正电源。
PIN号
TC1039
（ 6引脚SOT- 23A ）
1
2
3
4
5
6
符号
产量
V
SS
IN +
IN-
REF
V
DD
比较器的输出。
负电源。
比较器的非反相输入。
比较器的反相输入端。
描述
1.20V带隙电压基准输出（ TC1039只） 。
正电源。
DS21344B第4页
2002年Microchip的科技公司
TC1037/TC1038/TC1039
3.0
详细说明
4.0
典型应用
的TC1037 / TC1038 / TC1039是一系列非常低
动力，定位于低线性积木产品
电压，单电源应用。在TC1037 /
TC1038 / TC1039最低工作电压为1.8V
与典型电源电流仅为4μA的TC1037
和TC1038 （完全启用）和6μA的TC1039 。
在TC1037 / TC1038 / TC1039系列适合于一
广泛的应用，特别是在电池
供电系统。它通常认为在电力的应用
管理，监督的处理器和接口
电路。
4.1
3.1
比较
在TC1037 / 8/9包含一个比较。该
比较器的输入范围超出两个电源
通过电压200mV的，输出摆幅会内
耗材根据负载的几个毫伏
电流驱动。
比较显示出的传播延迟和
供电电流在很大程度上是独立于供应
电压。低输入偏置电流和偏置电压
使得它适合于高阻抗精度
应用程序。
在关断期间的TC1038比较器被禁止
并具有高阻抗输出。
2.
3.
外部迟滞（比较）
迟滞可以通过外部设置两个电阻
利用正反馈技术（见图4-1） 。
在设计过程设置外部比较器
滞后如下：
1.
选择反馈电阻R
C
。自从
比较器的输入偏置电流在最
为100pA ，电流至R
C
可以被设置为
100nA的（即，输入偏置电流的1000倍）
并保持出色的精度。趋势/涌流
通过研究
C
在比较器的触发点是V
R
/
R
C
其中，V
R
是一个稳定的参考电压。
确定的滞后电压（V
HY
）之间
上和下阈值。
计算R
A
如下：
3.2
参考电压
公式4-1 ：
4.
3.3
关断输入（ TC1038只）
5.
6.
验证
公式：
V
SRC
瑞星：
门槛
公式4-3 ：
1
1
1
-
V
TH
=
(
V
R
) (
R
A
)
------ + ------- + -------
R
A
R
B
R
C
V
SRC
掉落：
公式4-4 ：
V
THF
=
V
THR
–
2002年Microchip的科技公司
SHDN在V
IL
禁止比较器，并减小了
供应至小于0.3μA的电流。 SHDN输入
不能被允许浮动。当不使用时，将其连接到
V
DD
。比较器的输出处于高阻抗
状态时， TC1038被禁用。比较器的
输入可从轨到轨由外部驱动
电压时， TC1038被禁用。无闭锁会
当该装置被驱动到它的使能状态发生
当SHDN设置为V
IH
.
选择的阈值电压上升为V
SRC
(V
THR
).
计算R
B
如下：
公式4-2 ：
1
-
R
B
= ----------------------------------------------------------
V
THR
1
1
--------------------
–
------
–
-------
-
-
V
R
×
R
A
R
A
R
C
电压
同
这些
2.0％的容差，内部偏置， 1.20V带隙
参考电压包括在TC1039 。它有一个
推挽输出能力的采购和下沉的
至少50μA 。
V
HY
-
R
A
= R
C
----------
V
DD
R
A
×
V
DD
------------------------
-
R
C
DS21344B第5页
QQ：2881677436 复制
