TC1031
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ...... 6.0V
任何引脚.......... （ V电压
SS
- 0.3V ）至（v
DD
+ 0.3V)
结温....................................... + 150°C
工作温度范围.............- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围..............- 55 ° C至+ 150°C
TC1031电气规范
电气特性：
典型值适用于25℃和V
DD
= 3.0V ;牛逼
A
= -40 °至+ 85° C和V
DD
= 1.8V至5.5V ，除非
另有规定ED 。
符号
V
DD
I
Q
I
SHDN
V
IH
V
IL
I
SI
比较
R
OUT
（SD）的
C
OUT
（SD）的
T
SEL
T
DESEL
V
ICMR
V
OS
I
B
V
OH
V
OL
CMRR
PSRR
I
SRC
在关断输出电阻
输出电容在关机
选择时间
取消选择时间
共模输入电压范围
输入失调电压
（注1 ）
输入偏置电流
输出高电压
输出低电压
共模抑制比
电源抑制比
输出源电流
20
—
—
—
V
SS
– 0.2
–5
—
V
DD
– 0.3
—
66
60
1
—
—
20
500
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
—
—
V
DD
+ 0.2
+5
±100
—
0.3
—
—
—
MΩ
pF
微秒
纳秒
V
mV
pA
V
V
dB
dB
mA
V
DD
= 3V, V
CM
= 1.5V
T
A
= 25°C
IN + ， IN- = V
DD
到V
SS
R
L
= 10kΩ至V
SS
R
L
= 10kΩ至V
DD
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5V
V
CM
= V
DD
到V
SS
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 1.8V至5V
V
CM
= 1.2V
IN + = V
DD
， IN- = V
SS
V
DD
= 1.8V,
输出短路到V
SS
IN + = V
SS
， IN- = V
DD,
V
DD
= 1.8V,
输出短路到V
DD
SHDN = V
SS
SHDN = V
SS
V
OUT
有效期从SHDN = V
IH
R
L
= 10kΩ至V
SS
V
OUT
从SHDN = V无效
IL
R
L
= 10kΩ至V
SS
参数
电源电压
电源电流，工作
电源电流，关断
输入高门槛
输入低阈值
关断输入电流
民
1.8
—
—
80% V
DD
—
—
典型值
—
6
—
—
—
—
最大
5.5
10
0.1
—
20% V
DD
±100
单位
V
μA
μA
V
V
nA
所有输出打开， SHDN = V
DD
SHDN = V
SS
测试条件
关断输入
I
SINK
输出灌电流
2
—
—
mA
V
HYST
I
HYST
t
PD1
t
PD2
记
1:
电压范围在HYST引脚
迟滞输入电流
响应时间
响应时间
V
REF
– 0.08
—
—
—
—
—
4
6
V
REF
±100
—
—
V
nA
微秒
微秒
100mV的过载;
L
= 100pF的
100mV的过载;
L
= 100pF的
V
OS
被测量为（Ⅴ
UT
+ V
LT
– 2V
REF
）/ 2 ，其中V
UT
是上部迟滞阈值和V
LT
是与下迟滞阈值
V
REF
– V
HYST
设置为10mV 。这代表围绕V中的滞后阈值的非对称性
REF
DS21342C第2页
2005年Microchip的科技公司
TC1031
TC1031电气规范（续）
电气特性：
典型值适用于25℃和V
DD
= 3.0V ;牛逼
A
= -40 °至+ 85° C和V
DD
= 1.8V至5.5V ，除非
另有规定ED 。
符号
参考电压
V
REF
I
REF （ SINK ）
R
OUT
（SD）的
C
OUT
（SD）的
T
SEL
T
DESEL
C
L（ REF ）
E
VREF
e
VREF
记
1:
参数
民
典型值
最大
单位
测试条件
参考电压
灌电流
在关断输出电阻
输出电容在关机
选择时间
取消选择时间
负载电容
电压噪声
噪声密度
1.176
50
50
20
—
—
—
—
—
—
1.200
—
—
—
—
200
10
—
20
10
1.224
—
—
—
5
—
—
100
—
—
V
μA
μA
MΩ
pF
微秒
微秒
pF
μV
RMS
100Hz至100kHz的
μV / √Hz的
1kHz
SHDN = V
SS
SHDN = V
SS
REF有效期从SHDN = V
IH
R
L
= 100kΩ的到V
SS
从SHDN REF无效= V
IL
R
L
= 100kΩ
I
REF （ SOURCE ）
源出电流
V
OS
被测量为（Ⅴ
UT
+ V
LT
– 2V
REF
）/ 2 ，其中V
UT
是上部迟滞阈值和V
LT
是与下迟滞阈值
V
REF
– V
HYST
设置为10mV 。这代表围绕V中的滞后阈值的非对称性
REF
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DS21342C第3页
TC1031
3.0
详细说明
3.3
关断输入
的TC1031是一系列非常低功率，线性之一
针对低压积木产品，单
电源应用。最低工作电压为
器件为1.8V ，典型电源电流仅为6μA
（完全启用） 。它结合了一个比较器和一个
参考电压在一个封装中。比较
和参考输出处于高阻抗状态
期间关闭。
SHDN在V
IL
禁用这两个比较器和电压
引用并降低了电源电流小于
0.1μA 。 SHDN输入不能自由浮动;
不使用时，将其连接到V
DD
。输出是在一
当TC1031是被禁止的高阻抗状态。
比较器的输入和输出可以从被驱动
轨到轨时由TC1031是一个外部电压
禁用。当该装置是将不会发生闩锁效应
驱动到它的使能状态时SHDN被设定为V
IH
.
3.1
比较
该TC1031包含一个比较器，具有编程
梅布尔滞后。输入的范围扩展
超越这两个电源电压以200mV的。该compara-
器的输出会摆动的几个毫伏范围内
根据负载电流的电源所驱动。
比较显示出的传播延迟和
供电电流在很大程度上是独立于供应
电压。低输入偏置电流和偏置电压
使其适合于高阻抗精度
应用程序。
在关断期间的比较器被禁止，并有
高阻抗输出。
3.4
可编程迟滞
滞后是通过连接加至比较器
电阻器在V之间，R1
REF
和HYST引脚和
之间的HYST引脚和V另一个电阻R2
SS
.
对于没有迟滞V
REF
应直接连接到
HYST 。滞后，V
HB
是等于两倍的
在V之间的电压差
REF
和HYST引脚，
其中：
V
HB
= 2 * V
REF
* R1 / （ R1 + R2 ）（参见图3-1）
和周围的正常对称的（无
hysterersis ）门限比较器。该
在V之间允许的最大电压
REF
和H
YST
销是80mV的，给人160mV的最大滞后。
3.2
参考电压
2.0％的容差，内部偏置， 1.20V带隙
参考电压包括在TC1031 。它有一个
推挽输出能力的采购和下沉的
至少50μA 。在参考电压被禁用
关断，具有高阻抗输出。
图3-1：
TC1031可编程迟滞
6
R1
I
REF
5
HYST
V
REF
R1 =
V
HB
(2) (I
REF
)
V
HB
2
(
1.200V –
R2 =
)
I
REF
R2
1
V
SS
TC1031
注意：
尺寸R1和R2使得我
REF
≤
50A
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