TC1026
线性积木 - 低功耗比较器
运算放大器和参考电压
特点
结合了低功耗运算放大器，比较器和
在单一封装电压基准
优化了对单电源供电
小型封装： 8引脚MSOP和8引脚SOIC ，
8引脚PDIP
超低输入偏置电流：比为100pA减
低静态电流： 12μA （典型值）。
轨到轨输入和输出
可低至V
DD
= 1.8V ，最小
概述
该TC1026是一个混合函数器件组合
通用运算放大器，比较器和电压
引用一个8引脚封装。这增加了
集成允许用户替换两个或三个
包，从而节省了空间，降低了供电电流
并提高了系统的性能。
无论是运算放大器和比较器具有轨至轨输入
和输出允许操作从低电源
电压有较大的输入和输出摆幅。该
TC1026是专为低电压优化（V
DD
= 1.8V ） ，低
电源电流（ 12μA典型值）的操作。
封装在一个节省空间的8引脚MSOP封装的TC1026
消耗的8引脚SOIC的一半的电路板面积，是
适用于需要高集成度的应用，小
尺寸和低功耗。它也是采用8引脚SOIC封装
和8引脚PDIP封装。
应用
电源管理电路
电池供电设备
消费类产品
器件选型表
产品型号
TC1026CEPA
TC1026CEUA
TC1026CEOA
包
8引脚PDIP
8引脚MSOP
8引脚SOIC
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
功能框图
AMPOUT
1
TC1026
8
V
DD
AMPIN-
2
7
CMPOUT
AMP
-
+
CMP
-
6
+
封装类型
8引脚PDIP
8引脚MSOP
8引脚SOIC
AMPOUT
AMPIN
AMPIN +
V
SS
1
2
3
4
8
7
V
DD
CMPOUT
REF （ CMPIN ）
CMPIN +
AMPIN +
3
REF （ CMPIN- ）
V
SS
4
电压
参考
5
CMPIN +
TC1026CEPA
TC1026CEUA
TC1026CEOA
6
5
2002年Microchip的科技公司
DS21725B第1页
TC1026
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ...... 6.0V
封装功耗：
8引脚PDIP .............................................. 0.730毫瓦
8引脚SOIC .............................................. 0.470毫瓦
8引脚MSOP ............................................. 320毫瓦
任何引脚.......... （ V电压
SS
- 0.3V ）至（v
DD
+ 0.3V)
结温....................................... + 150°C
工作温度范围............. -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............. -55 ° C至+ 150°C
TC1026电气规范
电气特性：
典型值适用于25℃和V
DD
= 3.0V ;牛逼
A
= -40 °至+ 85° C和V
DD
= 1.8V至5.5V ，除非
另有规定ED 。
符号
V
DD
I
Q
运算放大器
A
VOL
V
ICMR
V
OS
I
B
V
OS （漂移）
增益带宽积
SR
大信号电压增益
共模输入范围
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电压漂移
增益带宽积
压摆率
-100
—
—
—
—
V
SS
– 0.2
100
—
±100
±0.3
50
±4
90
35
—
V
DD
+ 0.2
±500
±1.5
100
—
—
—
V / MV
V
V
mV
pA
μV/°C
千赫
V
DD
= 3V, V
CM
= 1.5V ，T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
到V
SS
V
DD
= 3V, V
CM
= 1.5V
V
DD
= 1.8V至5.5V ;
V
O
= V
DD
到V
SS
R
L
= 10kΩ的，V
DD
= 5V
参数
电源电压
电源电流
民
1.8
—
典型值
—
12
最大
5.5
18
单位
V
A
所有输出卸载
测试条件
毫伏/微秒
L
= 100pF的
R
L
= 1MΩ至GND
增益= 1
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
dB
dB
mA
R
L
= 10k
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5V
V
CM
= V
DD
到V
SS
T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
SS
V
DD
= 1.8V至5V
V
IN
+ = V
DD
, V
IN
- = V
SS
输出短路到V
SS
V
DD
= 1.8V ，增益= 1
IN + = V
SS
， IN- = V
DD
输出短路到V
DD
V
DD
= 1.8V ，增益= 1
为0.1Hz至10Hz
1kHz
V
OUT
CMRR
PSRR
I
SRC
输出信号摆幅
共模抑制比
电源抑制比
输出源电流
V
SS
+ 0.05
66
80
3
—
—
—
—
V
DD
– 0.05
—
—
—
I
SINK
输出灌电流
—
125
—
纳伏/赫兹
En
en
比较
V
IR
V
OS
I
B
V
OH
V
OL
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入电压范围
输入失调电压
输入偏置电流
输出高电压
输出低电压
—
—
V
SS
– 0.2
-5
-5
––
V
DD
– 0.3
—
10
125
—
—
—
—
—
—
—
—
V
DD
+ 0.2
+5
+5
±100
—
0.3
μVpp
纳伏/赫兹÷
V
mV
pA
V
V
V
DD
= 3V ，T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
T
A
= 25 ° C， IN + = V
DD
到V
SS
R
L
= 10kΩ至V
SS
R
L
= 10kΩ至V
DD
DS21725B第2页
2002年Microchip的科技公司
TC1026
3.0
详细说明
4.0
典型应用
的TC1026是一系列非常低功率，线性之一
针对低压积木产品，单
电源应用。该TC1026最低工作
电压为1.8V ，典型电源电流仅为12μA 。
它结合了一个比较器，运算放大器和电压
参考在单个封装中。
的TC1026适合于各种各样的
应用中，特别是在电池供电的系统。它
通常认为在电源管理中的应用，
处理器的监督和接口电路。
4.1
外部迟滞（比较）
3.1
比较
该TC1026包含一个比较。该compara-
器的输入范围超出两个电源电压
由200mV的和输出摆幅会内的几个
所述用品的根据负载电流毫伏
被驱动。反相输入端在内部连接
到参考的输出。
比较显示出的传播延迟和供应
目前它在很大程度上是独立供应
电压。低输入偏置电流和偏置电压
使其适合于高阻抗精度
应用程序。
迟滞可以通过外部设置三个电阻
利用正反馈技术（见图4-1） 。
在设计过程设置外部比较器
滞后如下：
1.
选择反馈电阻R
C
。自从
比较器的输入偏置电流在最
为100pA ，电流至R
C
可以被设置为
100nA的（即，输入偏置电流的1000倍）
并保持出色的精度。趋势/涌流
通过研究
C
在比较器的触发点是V
R
/
R
C
其中，V
R
是一个稳定的参考电压。
确定的滞后电压（V
HY
）之间
上和下阈值。
计算R
A
如下：
2.
3.
3.2
运算放大器连接器
4.
5.
该放大器的设计是这样的，大信号的增益，杀
速率和带宽基本上独立供应
电压。的低输入偏置电流和偏置电压
在TC1026使其适合于高精度应用。
选择的阈值电压上升为V
SRC
(V
THR
).
计算R
B
如下：
公式4-2 ：
1
-
R
B
= ----------------------------------------------------------
V
THR
1
1
--------------------
–
------
–
-------
-
-
V
R
×
R
A
R
A
R
C
6.
验证
公式：
V
SRC
瑞星：
门槛
3.3
参考电压
2.0％的容差，内部偏置， 1.20V带隙
参考电压包括在TC1026 。它有一个
推挽输出能力的采购和下沉的
至少50μA 。
电压
公式4-3 ：
1
1
1
-
V
TH
=
(
V
R
) (
R
A
)
------ + ------- + -------
R
A
R
B
R
C
V
SRC
掉落：
公式4-4 ：
V
THF
=
V
THR
–
R
A
×
V
DD
------------------------
-
R
C
2002年Microchip的科技公司
该TC1026包含一个轨至轨运算放大器。该
放大器的输入范围超出两个电源
由200mV的和输出摆幅会内的几个
所述用品的根据负载电流毫伏
被驱动。
公式4-1 ：
V
-
R
A
= R
C
----------
V
D D
同
这些
DS21725B第5页
TC1026
线性积木 - 低功耗比较器
运算放大器和参考电压
特点
结合了低功耗运算放大器，比较器和
在单一封装电压基准
优化了对单电源供电
小型封装： 8引脚MSOP和8引脚SOIC ，
8引脚PDIP
超低输入偏置电流：比为100pA减
低静态电流： 12μA （典型值）。
轨到轨输入和输出
可低至V
DD
= 1.8V ，最小
概述
该TC1026是一个混合函数器件组合
通用运算放大器，比较器和电压
引用一个8引脚封装。这增加了
集成允许用户替换两个或三个
包，从而节省了空间，降低了供电电流
并提高了系统的性能。
无论是运算放大器和比较器具有轨至轨输入
和输出允许操作从低电源
电压有较大的输入和输出摆幅。该
TC1026是专为低电压优化（V
DD
= 1.8V ） ，低
电源电流（ 12μA典型值）的操作。
封装在一个节省空间的8引脚MSOP封装的TC1026
消耗的8引脚SOIC的一半的电路板面积，是
适用于需要高集成度的应用，小
尺寸和低功耗。它也是采用8引脚SOIC封装
和8引脚PDIP封装。
应用
电源管理电路
电池供电设备
消费类产品
器件选型表
产品型号
TC1026CEPA
TC1026CEUA
TC1026CEOA
包
8引脚PDIP
8引脚MSOP
8引脚SOIC
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
功能框图
AMPOUT
1
TC1026
8
V
DD
AMPIN-
2
7
CMPOUT
AMP
-
+
CMP
-
6
+
封装类型
8引脚PDIP
8引脚MSOP
8引脚SOIC
AMPOUT
AMPIN
AMPIN +
V
SS
1
2
3
4
8
7
V
DD
CMPOUT
REF （ CMPIN ）
CMPIN +
AMPIN +
3
REF （ CMPIN- ）
V
SS
4
电压
参考
5
CMPIN +
TC1026CEPA
TC1026CEUA
TC1026CEOA
6
5
2002年Microchip的科技公司
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TC1026
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ...... 6.0V
封装功耗：
8引脚PDIP .............................................. 0.730毫瓦
8引脚SOIC .............................................. 0.470毫瓦
8引脚MSOP ............................................. 320毫瓦
任何引脚.......... （ V电压
SS
- 0.3V ）至（v
DD
+ 0.3V)
结温....................................... + 150°C
工作温度范围............. -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围.............. -55 ° C至+ 150°C
TC1026电气规范
电气特性：
典型值适用于25℃和V
DD
= 3.0V ;牛逼
A
= -40 °至+ 85° C和V
DD
= 1.8V至5.5V ，除非
另有规定ED 。
符号
V
DD
I
Q
运算放大器
A
VOL
V
ICMR
V
OS
I
B
V
OS （漂移）
增益带宽积
SR
大信号电压增益
共模输入范围
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电压漂移
增益带宽积
压摆率
-100
—
—
—
—
V
SS
– 0.2
100
—
±100
±0.3
50
±4
90
35
—
V
DD
+ 0.2
±500
±1.5
100
—
—
—
V / MV
V
V
mV
pA
μV/°C
千赫
V
DD
= 3V, V
CM
= 1.5V ，T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
DD
到V
SS
V
DD
= 3V, V
CM
= 1.5V
V
DD
= 1.8V至5.5V ;
V
O
= V
DD
到V
SS
R
L
= 10kΩ的，V
DD
= 5V
参数
电源电压
电源电流
民
1.8
—
典型值
—
12
最大
5.5
18
单位
V
A
所有输出卸载
测试条件
毫伏/微秒
L
= 100pF的
R
L
= 1MΩ至GND
增益= 1
V
IN
= V
SS
到V
DD
V
dB
dB
mA
R
L
= 10k
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5V
V
CM
= V
DD
到V
SS
T
A
= 25 ° C，V
CM
= V
SS
V
DD
= 1.8V至5V
V
IN
+ = V
DD
, V
IN
- = V
SS
输出短路到V
SS
V
DD
= 1.8V ，增益= 1
IN + = V
SS
， IN- = V
DD
输出短路到V
DD
V
DD
= 1.8V ，增益= 1
为0.1Hz至10Hz
1kHz
V
OUT
CMRR
PSRR
I
SRC
输出信号摆幅
共模抑制比
电源抑制比
输出源电流
V
SS
+ 0.05
66
80
3
—
—
—
—
V
DD
– 0.05
—
—
—
I
SINK
输出灌电流
—
125
—
纳伏/赫兹
En
en
比较
V
IR
V
OS
I
B
V
OH
V
OL
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入电压范围
输入失调电压
输入偏置电流
输出高电压
输出低电压
—
—
V
SS
– 0.2
-5
-5
––
V
DD
– 0.3
—
10
125
—
—
—
—
—
—
—
—
V
DD
+ 0.2
+5
+5
±100
—
0.3
μVpp
纳伏/赫兹÷
V
mV
pA
V
V
V
DD
= 3V ，T
A
= 25°C
T
A
= -40 ° C至85°C
T
A
= 25 ° C， IN + = V
DD
到V
SS
R
L
= 10kΩ至V
SS
R
L
= 10kΩ至V
DD
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2002年Microchip的科技公司
TC1026
3.0
详细说明
4.0
典型应用
的TC1026是一系列非常低功率，线性之一
针对低压积木产品，单
电源应用。该TC1026最低工作
电压为1.8V ，典型电源电流仅为12μA 。
它结合了一个比较器，运算放大器和电压
参考在单个封装中。
的TC1026适合于各种各样的
应用中，特别是在电池供电的系统。它
通常认为在电源管理中的应用，
处理器的监督和接口电路。
4.1
外部迟滞（比较）
3.1
比较
该TC1026包含一个比较。该compara-
器的输入范围超出两个电源电压
由200mV的和输出摆幅会内的几个
所述用品的根据负载电流毫伏
被驱动。反相输入端在内部连接
到参考的输出。
比较显示出的传播延迟和供应
目前它在很大程度上是独立供应
电压。低输入偏置电流和偏置电压
使其适合于高阻抗精度
应用程序。
迟滞可以通过外部设置三个电阻
利用正反馈技术（见图4-1） 。
在设计过程设置外部比较器
滞后如下：
1.
选择反馈电阻R
C
。自从
比较器的输入偏置电流在最
为100pA ，电流至R
C
可以被设置为
100nA的（即，输入偏置电流的1000倍）
并保持出色的精度。趋势/涌流
通过研究
C
在比较器的触发点是V
R
/
R
C
其中，V
R
是一个稳定的参考电压。
确定的滞后电压（V
HY
）之间
上和下阈值。
计算R
A
如下：
2.
3.
3.2
运算放大器连接器
4.
5.
该放大器的设计是这样的，大信号的增益，杀
速率和带宽基本上独立供应
电压。的低输入偏置电流和偏置电压
在TC1026使其适合于高精度应用。
选择的阈值电压上升为V
SRC
(V
THR
).
计算R
B
如下：
公式4-2 ：
1
-
R
B
= ----------------------------------------------------------
V
THR
1
1
--------------------
–
------
–
-------
-
-
V
R
×
R
A
R
A
R
C
6.
验证
公式：
V
SRC
瑞星：
门槛
3.3
参考电压
2.0％的容差，内部偏置， 1.20V带隙
参考电压包括在TC1026 。它有一个
推挽输出能力的采购和下沉的
至少50μA 。
电压
公式4-3 ：
1
1
1
-
V
TH
=
(
V
R
) (
R
A
)
------ + ------- + -------
R
A
R
B
R
C
V
SRC
掉落：
公式4-4 ：
V
THF
=
V
THR
–
R
A
×
V
DD
------------------------
-
R
C
2002年Microchip的科技公司
该TC1026包含一个轨至轨运算放大器。该
放大器的输入范围超出两个电源
由200mV的和输出摆幅会内的几个
所述用品的根据负载电流毫伏
被驱动。
公式4-1 ：
V
-
R
A
= R
C
----------
V
D D
同
这些
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QQ：2880707522 复制
