TC1025
1.0
电动
特征
*超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ...... 6.0V
任何引脚.......... （ V电压
SS
- 0.3V ）至（v
DD
+ 0.3V)
结温....................................... + 150°C
工作温度范围.............- 40 ° C至+ 85°C
存储温度范围..............- 55 ° C至+ 150°C
TC1025电气规范
电气特性：
典型值适用于25℃和V
DD
= 3.0V 。最低和最高值适用对于T
A
= -40 °到
+ 85° C和V
DD
= 1.8V至5.5V ，除非另有说明。
符号
V
DD
I
Q
V
ICMR
V
OS
I
B
V
OH
V
OL
CMRR
PSRR
I
SRC
参数
电源电压
电源电流
共模输入范围
输入失调电压
输入偏置电流
输出高电压
输出低电压
共模抑制比
电源抑制比
输出源电流
民
1.8
—
V
SS
– 0.2
-5
-5
-100
V
DD
– 0.3
—
66
60
1
典型值
—
8
—
—
—
—
—
—
—
—
最大
5.5
12
V
DD
+ 0.2
+5
+5
100
—
0.3
—
—
—
单位
V
μA
V
mV
mV
pA
V
V
dB
dB
mA
V
DD
= 3V, V
CM
= 1.5V ，T
A
= 25°C
T
A
= 25 ° C， IN + ， IN- = V
DD
到V
SS
R
L
= 10kΩ至V
SS
R
L
= 10kΩ至V
DD
T
A
= 25 ° C，V
DD
= 5V
V
CM
= V
DD
到V
SS
T
A
= 25 ° C，V
CM
= 1.2V
V
DD
= 1.8V至5V
IN + = V
DD
， IN- = V
SS
,
输出短路到V
SS
V
DD
= 1.8V
IN + = V
SS
， IN- = V
DD
,
输出短路到V
DD
V
DD
= 1.8V
100mV的过载，C
L
= 100pF的
10mV的过载，C
L
= 100pF的
测试条件
比较
I
SINK
输出灌电流
2
—
—
mA
t
PD1
t
PD2
响应时间
响应时间
—
—
4
6
—
—
微秒
微秒
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TC1025
3.0
详细说明
4.0
典型应用
的TC1025是一系列非常低功率，线性之一
针对低压积木产品，单
电源应用。该TC1025最低工作
电压为1.8V ，典型电源电流仅为8μA 。
它结合在单个封装中两个比较器。
的TC1025适合于各种各样的
应用程序，特别是在电池供电系统。
通常情况下，它发现在电源管理中的应用，
处理器监控，和接口电路。
4.1
3.1
比较
该TC1025包含两个比较器。该compara-
器的输入范围超出两个电源电压
由200mV的和输出摆幅会内的几个
所述用品的根据负载电流毫伏
被驱动。
比较展品传播延迟和供应
目前它在很大程度上是独立供应
电压。低输入偏置电流和偏置电压
使它们适合于高阻抗精度
应用程序。
2.
3.
外部迟滞（比较）
迟滞可以通过外部设置两个电阻
利用正反馈技术（见图4-1） 。
在设计过程设置外部比较器
滞后如下：
1.
选择反馈电阻R
C
。自从
比较器的输入偏置电流在最
为100pA ，电流至R
C
可以被设置为
100nA的（即，输入偏置电流的1000倍）
并保持出色的精度。趋势/涌流
通过研究
C
在比较器的触发点是V
R
/
R
C
其中，V
R
是一个稳定的参考电压。
确定的滞后电压（V
HY
）之间
上和下阈值。
计算R
A
如下：
公式4-1 ：
V
HY
-
R
A
= R
C
----------
V
DD
4.
5.
选择的阈值电压上升为V
SRC
(V
THR
).
计算R
B
如下：
公式4-2 ：
1
R
B
= ----------------------------------------------------------
-
V
THR
1
1
--------------------
–
------
–
-------
-
-
V
R
×
R
A
R
A
R
C
6.
验证
公式：
V
SRC
瑞星：
门槛
电压
同
这些
公式4-3 ：
1
1
1
-
-
V
THR
=
(
V
R
) (
R
A
)
------
+
------
+
-------
R
A
R
B
R
C
V
SRC
掉落：
公式4-4 ：
R
A
×
V
DD
V
THF
=
V
THR
–
------------------------
-
R
C
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TC1025
4.2
32.768 kHz的“时间日期时钟”
晶控振荡器
4.4
振荡器和脉宽
调制器
一个非常稳定的振荡器驱动程序可以通过使用被设计
晶体谐振器作为反馈元件。图4-2
示出使用这种技术的典型应用电路
制定时钟驱动器的天（ TOD ）时钟时间
芯片。 R的值
A
和R
B
确定的直流电压
在哪一级比较人次 - 在这种情况下单
一半的V
DD
。 R的RC时间常数
C
和C
A
应
设置几次大于晶体振荡器的
期，这将确保50％的占空比由可维护性
荷兰国际集团的直流电压在比较器的反相输入端
等于输出信号的绝对值的平均年龄。
4.3
非可重触发单稳态
多谐振荡器
使用两个比较器，一个非可重触发单触发
多谐振荡器可以使用电路设计组态
日粮图4-3 。这种设计的主要特点是，
脉冲宽度是独立的幅度
电源电压，因为充电电压和
拦截电压为V的一个固定百分比
DD
。在
此外，这一个镜头能脉冲宽度与作为
多为99 ％的占空比，并显示输入锁定到
确保电路不会前重新触发
输出脉冲完全超时。触发电平
是需要在输入端的电压，提高电压
节点A处比在节点B处的电压高，并且被设置
通过电阻分压器R4和R10和阻抗
网络由R1，R2和R3中。当所述一个
射已被触发， CMPTR2的输出为高，
使基准电压的非反相输入
CMPTR1的去V
DD
。这可以防止任何附加
从干扰的电路，直到输出输入脉冲
脉冲已超时。
的定时电容器C1的值必须小
足以让CMPTR1放电C1至一个二极管
从CMPTR2反馈信号之前，电压
（通过R10）切换CMPTR1其高的状态和
允许C1开始通过R5指数充电。
适当的电路动作取决于快速放电
通过该电压由R6，R9和D2设定为最后的C1
电压的一个小二极管压降。两个传播延迟
后C1上的电压下降到低于上水平
CMPTR2的非反相输入端， CMPTR1的输出
切换到正电源轨，并开始充电C1
通过R5 。的时间延迟，该延迟设置输出脉冲
选自C1充电到参考电压宽度的结果
由R6 ，R9和D2中，加4比较设定propaga-
化延迟。当C1两端电荷的电压
超出基准电压，则输出脉冲返回到
地面且输入是再次准备好接收一个触发
信号。
Microchip的线性构造块比较适应
好到振荡器应用对于低频（小于
超过100kHz时） 。图4-4显示了一个对称方
使用康波的最小数目波发生器
堂费。输出由R4的RC时间常数设定
和C1 ，和在循环的总滞后由R1设定
R2和R3 。振荡器的最大频率为
只有通过的大信号传播延迟的限制
比较除此之外没有任何电容性负载的
输出其降解的压摆率。为了分析这一
电路中，假定输出最初是高的。为了这
发生，在反相输入端上的电压必须小于
比在非反相输入端的电压。因此，
电容器C1被放电。在电压
非反相输入端（V
H
）为：
公式4-5 ：
R2
(
V
DD
)
V
H
= --------------------------------------------
-
[
R2 +
(
R1
||
R3
) ]
其中，如果R 1 = R 2 = R 3 ，则：
公式4-6 ：
2
(
V
DD
)
V
H
= -------------------
3
电容C1将通过R4充电。当
电压比较器的反相输入端是等于
V
H
时，比较器输出将切换。与输出
在地电位，在非反相输入端的值
终端（V
L
）由滞后网络减小到
按给定的值：
公式4-7 ：
V
DD
-
V
L
= ----------
3
使用相同的电阻和以前一样，电容C1必须
现在通过R4放电至地。输出
将返回到高状态时，在整个电压
电容器已经放电到一个值等于V
L
。该
振荡期间将花费的时间的两倍
RC电路来充电至其一半的最终值。该
周期可由下式计算：
公式4-8 ：
1
---------------- = 2
(
0.694
) (
R4
) (
C1
)
-
频率
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